一维粒子模拟 (PIC) 用于分析新视野号绕冥王星太阳风 (SWAP) 仪器在距离太阳约 34 天文单位处观测到的行星际激波上游区域测得的能谱。使用单个种群模拟不同的太阳风离子 (SWI) 和拾取离子 (PUI) 种群,我们可以清楚地识别出每个种群对全球能谱的贡献。强调了激波前沿倾斜度在沿磁场流回远离前沿的上游区域的 PUI 形成中的重要作用。在本模拟中可以很好地恢复 SWAP 实验测得的能谱。详细分析表明:(1) 能谱的最高部分主要由回流的 PUI-H + 和 PUI-He + 形成; (2) 能谱的中间部分由太阳风 SW-H + 和 SW-He 2+ 入射离子组成,这些离子叠加在 PUI-H + 粒子群上,(3) 低能范围由入射 PUI-H + 组成。使用 PUI-H + 粒子群的初始填充壳分布(而不是零厚度壳),可以提高实验结果与模拟结果之间的一致性,因为这会强烈影响光谱的低能部分。这意味着 PUI-H + 离子在日光层中首次被拾取后,有足够的时间扩散到壳分布并填充壳分布,这表明随后的冷却对全球能谱有重要影响。
III-V材料在硅上的直接生长是开发单层积分激光器的关键推动剂,在重要通信和计算技术中为超密集的光子整合提供了巨大的潜力。但是,III-V/SI晶格和热膨胀不匹配构成了重大障碍,从而导致缺陷使激光性能降低。这项研究克服了这一挑战,证明了与天然GAAS底物上的顶级激光器相当的INAS/GAAS-SI激光器。这是通过新开发的外延方法来实现的,其中包括一系列严格优化的增长策略。原子分辨率扫描隧道显微镜和光谱实验揭示了活性区域的出色材料质量,并阐明了每种生长策略对缺陷动态的影响。优化的III-V-n-silicon脊脊 - 波导激光器显示出低至6 mA的连续波阈值电流,高温操作达到165°C。在80°C,对于数据中心应用至关重要,它们保持12 ma阈值和35 MW的输出功率。此外,使用相同过程在SI和GAAS底物上制造的激光均显示出几乎相同的平均阈值电流。通过消除与GAAS/SI不匹配相关的性能限制,这项研究为将广泛的III-V光子技术的广泛范围稳健而高密度整合到硅生态系统中铺平了道路。
nexsys®TPPL电池解决方案为全球数千种应用提供无维护功率。Nexsys®TPPL电池针对快速和机会充电的优化,非常适合轻至中型应用,而可选的加速吞吐量包则适用于某些更高量的应用程序。 Nexsys®TPPL电池集合将高级集体设计技术与强大的材料和构造结合在一起,提供了出色的灵活性和性能,并且对冲击和振动的高度耐药性。针对快速和机会充电的优化,非常适合轻至中型应用,而可选的加速吞吐量包则适用于某些更高量的应用程序。Nexsys®TPPL电池集合将高级集体设计技术与强大的材料和构造结合在一起,提供了出色的灵活性和性能,并且对冲击和振动的高度耐药性。
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摘要 - 本文重点介绍了在短路条件下SIC MOSFET的鲁棒性水平的提高。在这项研究中,提出了两种允许在短电路操作下在平面电源MOSFET设备中确保安全的“失败”(FTO)模式的方法。这些方法基于栅极源电压的直接去极化及其根据FTO和经典不安全热失控之间的临界消散功率(W/mm²)的计算进行估计。他们允许确定门源电压的最大值,以在接近名义值的排水源电压下保留FTO模式。引入了FTO和“ Fafto-Short”(FTS)之间功率密度的边界。对竞争中的两种故障模式进行了完整的实验,该实验可能出现在1.2 kV SIC MOSFET的短路测试(SC)测试中。最后,研究了栅极源电压去极化对国家电阻(R DS(ON))的惩罚,以评估技术效率。
•如果公司是一家运营公司(例如,在工业企业集团,贸易公司,公用事业5行业中,将激活适当的储量证据标志)•为储备提供的适当证据旗将被激活,如果公司是一家控股公司(即,在多个部门的持有公司中或在金融部门中与企业中的公司IN IS IS IN IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS INS IS INS IS INS IS INS IS INS IS INS INS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS INS IS IS IS IS INS IS IS IS IS IS INS INS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IS IN IS IS IN IS IS INITITY组成)。如果这些持股构成10%或更多的控股公司资产组合,或者控股公司拥有20%或更多的已确定的化石燃料相关的实体,则在相关化石燃料相关的实体中持有持有的证据标志。
马里兰州国家港口——海军水面作战中心达尔格伦分部激光武器杀伤力杰出科学家克里斯托弗·劳埃德周三表示,海军在部署高能激光系统方面取得了重大进展,该系统可以满足海军作战部长迈克尔·吉尔迪上将的2021年导航计划对定向能系统的需求,该系统能够击败反舰巡航导弹。
阈值电压不稳定很大程度上被归因于 p-GaN/AlGaN 堆栈中存在的两种竞争机制,即空穴和电子捕获,分别导致负和正的 V TH 偏移 [3-9]。其中一种机制的盛行程度可能取决于栅极偏压和温度 [3]、技术种类 [11] 以及应力 / 表征时间 [12]。总体而言,来自栅极金属的空穴注入和 / 或高场耗尽肖特基结中的碰撞电离已被确定为导致 V TH 不稳定的此类现象的根本原因。提出了一些工艺优化措施,例如降低栅极金属附近 p-GaN 层中的活性镁掺杂浓度 [11]、降低 AlGaN 势垒中的铝含量 [3] 以及优化 p-GaN 侧壁的蚀刻和钝化 [10],以限制正向栅极应力下的负和正 V TH 偏移。
研究人员开发了一种特殊的测试方法,称为邻近连接试验,以测量 RAS 和 RAF 在癌细胞内相互作用的频率。他们的结果表明,RAS-RAF 相互作用较强的肿瘤也具有更高水平的活性 RAS 信号传导,这与对 KRASG12C 抑制剂的更好反应有关。