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World File Search System加速电压
补充信息，以控制相变的约瑟夫森连接处半流通状态的可控操作
所研究的设备包含平面JJS，由厚度为70 nm的NB膜制成。该胶片是通过在氧化的Si晶片上在室温下在室温下溅射沉积的。首先通过光刻和活性离子蚀刻将薄膜构成约6 µm宽的桥梁，然后由Ga+聚焦离子束（FIB）FEI NOVA 200。JJS具有可变的厚度桥结构。它们是通过通过fib在NB层中切一个狭窄的凹槽而制成的。单线切割，名义宽度为零，在10 pA和30/10 kV加速电压下进行。蚀刻时间是自动限制的。“长” JJ2是使用30 kV梁制成的，其斑点尺寸约为7 nm，而“短” JJ1是用10 kV fib制成的，其斑点大小约为两倍。由于NB的重新沉积，FIB切割的深度在纵横比（深度/宽度）〜2处是自限制（请参阅参考文献中的讨论[1]）。结果，JJ1既比JJ2更宽又深，如图3（a），导致临界电流的相应差异。
问卷调查 - SAV
我们研究了 X 射线微断层扫描在实现最佳分辨率、最小化测量不确定性、抑制 3D 图像重建中的伪影形成以及总体优化微断层扫描测量方法方面的局限性。我们探索了通过选择目标材料（钨、钼）控制减速辐射和特征辐射的比率来改变产生的 X 射线辐射光谱组成的可能性、X 射线辐射光谱组成对光束硬化效应的影响以及通过过滤 X 射线管的加速电压来影响 X 射线光谱的可能性。进一步开发和改进了用于测量微米范围内尺寸和使用球形标准测量材料孔隙率的 X 射线微 CT 校准方法。取得的最重要的成果包括为材料研究、工程、矿物学、生物学、考古学和文化遗产保护领域的微 CT 测量和无损检测的新方法提出建议。在材料研究领域，设计并优化了用于对 MgB 2 基超导体进行无损成像的微层析成像方法（由电气工程研究所 SAS 的 Kováč 博士开发），从而能够对各种结构不均匀性进行成像，并无损测量沿预制件拉出的导体的有效超导体横截面积。在成像技术在生物学和古生物学中的应用领域，已经提出了具有优化测量条件的方法，以提高对比度，并开发了用于对图像数据进行数字处理的方法。这可以大大增加结构在其整个体积中的可见性的复杂性，并补充了对结构选定尺寸的定量分析，同时可以实现较低的测量不确定度。