This course aims at introducing the basic concepts and techniques in carrying out chemical analysis by using various modern spectroscopic and chromatographic instruments.Students will learn how to use modern instruments to determine the amounts of substances present in a mixture down to part per million levels (ppm), and identify the structure of a compound.Techniques such as UV-visible spectroscopy, infrared spectroscopy, mass spectrometry, nuclear magnetic resonance spectroscopy, gas chromatography and high performance liquid chromatography will be covered.This course will also discuss some common standard practices of collecting and preparing samples for laboratory testing, the accreditation system in testing laboratories.This course is conducted in the format of lecture.本课程旨在介绍化学分析中所用到的现代光谱和色谱仪器的基本概念和技术。学生将学习使用该 等仪器来分析浓度水平低至百万分之一的物质,并确定化合物的结构。课程内容包括紫外 − 可见光 谱法、红外线光谱法、质谱分析法、核磁共振、气相色谱法及高效能液相色谱法的操作技巧,以 及化验工作中的收集及制备样本的常用标准技巧和香港化验室所实行的认可系统。课程以讲课形 式进行。 Medium of Instruction:
如图1 所示,要使TM1830 工作在恒流状态下,芯片OUT 引脚上电压应大于2.2V,即芯片的2、3 脚之间的电压应达到2.2V 以上。在应用时,电源串接LED 灯后加在OUT 引脚上的电压建议在3.0V 左右。 如果芯片持续工作在额定恒流状态下,TM1830-2 和TM1830-3 的OUT 引脚电压应分别在12.0V 和8.0V 以内为宜。
功能说明 1、模式设置 本芯片为单线双通道通讯,采用归一码的方式发送信号。芯片接收显示数据前需要配置正确的工作 模式,选择接收显示数据的方式。模式设置命令共48bit,其中前24bit为命令码,后24bit为检验反码, 芯片复位开始接收数据,模式设置命令共有如下3种: (1)0xFFFFFF_000000命令: 芯片配置为正常工作模式。在此模式下,首次默认DIN接收显示数据,芯片检测到该端口有信号输 入则一直保持该端口接收,如果超过300ms未接收到数据,则切换到FDIN接收显示数据,芯片检测到该 端口有信号输入则一直保持该端口接收,如果超过300ms未接收到数据,则再次切换到DIN接收显示数据。 DIN和FDIN依此循环切换,接收显示数据。 (2)0xFFFFFA_000005命令: 芯片配置为DIN工作模式。在此模式下,芯片只接收DIN端输入的显示数据,FDIN端数据无效。 (3)0xFFFFF5_00000A命令: 芯片配置为FDIN工作模式。在此模式下,芯片只接收FDIN端输入的显示数据,DIN端数据无效。 2、显示数据
资料来源:https://towardsdatascience.com/machine-learning-methods-to-aid-in-coronavirus-response-70df8bfc7861、https://bdtechtalks.com/2020/03/09/artificial-intelligence-covid-19-coronavirus/、https://news.yahoo.co.jp/byline/kazuhirotaira/20200326-00169744/
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图 3 ReRAM 特性的电极依赖性:(a) 50×50 μm 2 ,(b) 200×200 μm 2 。 5.结论我们利用 TiO x 作为电阻变化层制作了 ReRAM,并评估了其特性。在本次创建的条件下,没有观察到复位操作。这被认为是因为在复位操作过程中,由于氧气的释放,灯丝没有断裂。比较电极尺寸,50×50 μm2 的较小元件与 200×200 μm2 的元件相比,可获得更优异的特性。这被认为表明了氧化退火过程中的尺寸依赖性。 6.参考文献 [1] A. Hardtdegen 等,IEEE Transactions on Electron Devices,第 65 卷,第 8 期,第 3229-3236 页 (2018) [2] Takeo Ninomiya,基于氧化物材料设计和可靠性建模的电阻式存储器量产,名古屋大学研究生院博士论文 (2016) [3] D.Carta 等,ACS Appl. Mater. Interfaces,第 19605-19611 页 (2016) [4] D. Acharyya 等,微电子可靠性。54,第 541-560 页 (2014)。