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Blackman，Ryan T. 天文学和星体化学研究标题的未来空间实验平台 氮化硅的多技术研究
1耶鲁大学天文学系，美国纽黑文52号，美国康涅狄格州06511； ryan.blackman@yale.edu 2 Department of Astronomy, The Ohio State University, 4055 McPherson Laboratory, 140 West 18th Avenue, Columbus, OH 43210, USA 3 Lowell Observatory, 1400 Mars Hill Road, Flagstaff, AZ 86001, USA 4 Ball Aerospace and Technologies Corporation, 1600 Commerce Street, Boulder, CO 80301, USA 5 Department of Physics, Yale University, 217 Prospect ST，New Haven，CT 06511，美国6物理与天文学系，旧金山州立大学，旧金山Holloway大街1600号，旧金山，CA 94132，美国7 DTU Space，National Space Institute，丹麦技术大学，Elektrovej 328，DK-2800 KGS技术大学。Lyngby，丹麦8号亚利桑那大学光学科学学院，1630 E University Boulevard，Tucson，Tucson，AZ 85719，美国9 Jet Propulsion实验室，加利福尼亚技术学院，4800 Oak Grove Drive，Pasadena，Pasadena，CA 9110 9 35899，美国11 INAF - Osservatorio Astromonico di Brera，通过Emilio Bianchi 46，I-23807 Merate，意大利Merate，12 Fibertech Optica Inc，330 Gage Avenue，Suite 1，Kitchener 1，Kitchener，On，On，ON，N2M 5C6，加拿大N2M 5C6，加拿大，2019年12月20日获得2019年12月20日； 20020年2月25日修订； 3月17日接受；出版于2020年4月28日
第三代半导体碳化硅行业前瞻
图表 9 ： SiC 产业链及代表企业 ............................................................................................................................. 6 图表 10 ： 导电型碳化硅衬底 ................................................................................................................................. 6 图表 11 ： 半绝缘型碳化硅衬底 ............................................................................................................................. 6 图表 12 ： WolfSpeed 公司导电碳化硅衬底演进过程 ........................................................................................... 7 图表 13 ： SiC 衬底制作工艺流程 ........................................................................................................................... 8 图表 14 ： PVT 法生长碳化硅晶体示意图 ............................................................................................................. 8 图表 15 ： 用于制备碳化硅的籽晶 ......................................................................................................................... 8 图表 16 ： CMP 过程示意图 ................................................................................................................................... 10 图表 17 ： CVD 法制备碳化硅外延工艺流程 ........................................................................................................11 图表 18 ： SiC 功率器件种类 ............................................................................................................................... 12 图表 19 ： SiC-SBD 与 Si-SBD 比较 ..................................................................................................................... 13 图表 20 ： SiC-SBD 正向特性 ............................................................................................................................... 13 图表 21 ： SiC-SBD 温度及电流依赖性低 ........................................................................................................... 13 图表 22 ： SiC-SBD 具有优异的 TRR 特性 ........................................................................................................... 13 图表 23 ： SiC MOSFET 与 Si IGBT 开关损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 24 ： SiC MOSFET 与 Si IGBT 导通损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 25 ： SiC MOSFET 体二极管动态特性 ......................................................................................................... 14 图表 26 ： N 沟道 SiC IGBT 制备技术图 ............................................................................................................. 15 图表 27 ： SiC 行业发展阶段曲线 ....................................................................................................................... 16 图表 28 ： SiC 市场规模现状及预测 ................................................................................................................... 17 图表 29 ： 新能源汽车包含功率器件分布情况 .................................................................................................. 18 图表 30 ： 对车载和非车载的器件要求 .............................................................................................................. 18 图表 31 ： 车载 OBC 发展趋势 ............................................................................................................................. 19 图表 32 ： 硅基材料功率器件的工作极限 ........................................................................................................... 19 图表 33 ： 全球新能源汽车碳化硅 IGBT 市场规模 ............................................................................................ 19 图表 34 ： 全球新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 35 ： 中国新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 36 ： 2020 年全球新能源乘用车车企销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 37 ： 2020 年全球新能源乘用车车型销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 38 ： 光伏碳化硅器件优越性 ....................................................................................................................... 22 图表 39 ： 全球光伏需求预测 ............................................................................................................................... 22 图表 40 ： 全球光伏碳化硅 IGBT 市场规模 ........................................................................................................ 23 图表 41 ： 全球光伏 IGBT 市场规模 .................................................................................................................... 23 图表 42 ： 2015-2021 年中国累计充电桩数量 ..................................................................................................... 24 图表 43 ： 2015-2020 年中国车桩比例 ................................................................................................................. 24 图表 44 ： 中国新能源汽车充电桩市场规模及预测 ............................................................................................ 25 图表 45 ： 全球充电桩碳化硅器件市场规模 ....................................................................................................... 25 图表 46 ： 全球轨道交通碳化硅市场规模及预测 ............................................................................................... 26 图表 47 ： 2020 年全球轨道交通运营里程 TOP10 .............................................................................................. 26 图表 48 ： 轨道交通碳化硅器件占比预测 ........................................................................................................... 27 图表 49 ： 全球轨道交通碳化硅技术采用情况 ................................................................................................... 27 图表 50 ： 2015-2025 年中国 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 28 图表 51 ： 2015-2021 年中国 UPS 器件类型情况 ................................................................................................ 28 图表 52 ： 2011-2020 年全球 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 29 图表 53 ： 2019-2025 年全球 UPS 碳化硅器件市场规模 .................................................................................... 29 图表 54 ： 国外碳化硅衬底技术进展 ................................................................................................................... 30 图表 55 ： 碳化硅衬底尺寸市场占比演变 ........................................................................................................... 30
第 14 组：二氧化硅回收
根据初步的行业研究，目标市场缩小到最有可能盈利的应用。然后，该团队联系制造商，获取内部二氧化硅的详细信息，以便与特性结果进行比较。尽管最初尝试设计二氧化硅净化系统，但发现该系统能耗很高，在研究期间不会给第 14 组带来微不足道的利润。相反，根据这些结果，使用决策树根据粉末成分和特性的多样性提出了多种回收二氧化硅的方法。
使用真空紫外光在 100 C 下沉积二氧化硅
开发了一种用于低温沉积二氧化硅的新光化学反应。在此过程中，硅烷在真空紫外线照射下与二氧化氮发生反应。报告了在 1006C 下生长的薄膜的电气和机械性能。硅上金属氧化物半导体结构的电容电压测量表明界面态密度 <5 10 11/cm 2。讨论了几种可能的反应机制，并提出了表明表面光化学可能是
清晰的融合二氧化硅用于半导体制造
沉积过程的一种非常特殊的情况是所谓的外延沉积，或者只是外延。该专业局部旨在将材料沉积到单晶模板上，生长为单晶层。半核心设备制造链中的第一步之一是在空白硅晶片上沉积外延硅。这是在外交过程中完成的。经常运行这些过程，一次仅处理一个晶圆（即单个晶圆处理）或少数数字（即多窃听或迷你批次）。
天文学和星体化学研究标题的未来空间实验平台氮化硅的多技术研究
摘要。X射线探测器用于太空天体物理任务易受噪声，该光子受到工作能量范围以外的能量的光子引起的噪声；因此，需要有效的外部光学阻断过滤器来保护检测器免受偏离辐射的影响。这些过滤器在满足X射线探测器的科学要求中起着至关重要的作用，并且它们在任务生活中的适当操作对于实验活动的成功至关重要。我们研究了由氮化硅和铝制成的薄三明治膜，作为空间任务中高能检测器的光学阻滞过滤器。在这里，我们报告了厚度在40 nm至145 nm的sin膜的多技术表征的结果，两侧有几十纳米的纳米含量。，我们已经测量了同步辐射束线时的X射线传输，紫外线的排斥，可见和近红外辐射，X射线光电谱的铝表面上天然氧化物的量，通过原子力显微镜的样品表面的形态和蛋白质效应。
融合二氧化硅
摘要：用超短激光脉冲对透明材料的受控处理需要详细而精确的了解，从激光能量沉积和材料内部能量转化到流体动力学弛豫和机械响应中的各种激光 - 物质相互作用机制。为了解决这个问题，我们首先基于飞秒泵和探针显微镜偏置镜开发了多时间的实验方法。泵是一个360-FS，1-μJ红外（1030 nm）激光脉冲，分开以提供515 nm的飞秒探头，并延迟可调节从飞秒到纳米秒的延迟。获得的时间分辨的阴影图像允许测量瞬态探针传输。然后，载体密度是通过使用Beer-Lambert Law和Drude模型方法来确定的，证明了大部分熔融二氧化硅内部略有临界等离子体的超快形成。并行，定量双折射图像通过使用光弹性定律来测量压力，从而通过发射GPA压力波的发射光弹性定律揭示了吸收的激光能量，这是激光脉冲后几百个picseconds。然后，使用多尺度型物理模型来解释实验观察结果，计算电子动力学，激光传播和流体动力响应。实验验证后，模拟允许确定局部基本材料特性（应力，密度和温度）的时间演变。我们的方法将来可以用来解释由超短激光脉冲引起的机械驱动的透明材料结构。实验和模拟结果的这种组合使我们能够定量讨论不同激光能量弛豫通道在发现整个相互作用情况的材料中的重要性。我们的模型预测20-GPA的最大初始应力载荷，最高晶格温度达到3.5 10 4K。我们还表明，通过发射弱冲击波，消散了总吸收激光能量的〜2％。
固体二氧化硅纳米颗粒作为水性介质中荧光方染料的载体：迈向分子工程方法
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为可持续未来的HPQ二氧化硅解决方案创新
DR。 Mauro Cesar terence -CTO毛罗博士拥有Presbiteriana Mackenzie大学（UPM）的化学学位，博士学位，博士学位。以及圣保罗大学的核技术博士后。 他是UPM的教授25年，在那里他协调了材料工程和纳米技术的研究生课程。 他的研究着重于聚合物，电离辐射，纳米材料（石墨中的石墨烯和氧化石墨烯）和材料表征。 他参与了该项目的创建，并且是UPM的MackGraphe（石墨烯和纳米材料研究中心）的成员。。DR。 Mauro Cesar terence -CTO毛罗博士拥有Presbiteriana Mackenzie大学（UPM）的化学学位，博士学位，博士学位。以及圣保罗大学的核技术博士后。他是UPM的教授25年，在那里他协调了材料工程和纳米技术的研究生课程。他的研究着重于聚合物，电离辐射，纳米材料（石墨中的石墨烯和氧化石墨烯）和材料表征。他参与了该项目的创建，并且是UPM的MackGraphe（石墨烯和纳米材料研究中心）的成员。他参与了矿业项目Noovamineração和AquanitásHolding。此外，毛罗（Mauro）还从CNPQ - 巴西获得了他对技术发展和创新的贡献。
优化锡唑化合物二氧化硅中获得，结构阐明和药代动力学评估
药物化学在药物原型开发过程中起作用，在这种情况下，它起源于新分子的合成以及表征过程。从这个意义上讲，一组分子一直在对其突出的药理活性产生兴趣，这是Tiosmicarbazonas的类别，在这里强调了其由tiazols组成的核心衍生物。因此，本研究的目的是合成可以呈现药理活性的这类分子的新药理剂。此外，它旨在优化噻唑化合物的合成过程，以及通过二氧化硅分析中的药代动力学特性的确定。作为一种方法，选择了超声合成，具有1：1化学计量比例，用于溶剂，将使用乙醇的使用产生为产品两种编纂的tiazols，例如TZ-03和TZ-04。收入的结果，值分别为70％和98.3％。与二氧化硅分析有关，评估与口服生物利用度和药代动力学表征有关，以及用于吸收，分布，代谢和排泄的数据。除此之外，还由红外线进行，以识别有关化合物组的特定频带。