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使用真空紫外光在 100 C 下沉积二氧化硅
机构名称：

使用真空紫外光在 100 C 下沉积二氧化硅

¥ 1.0
热度

开发了一种用于低温沉积二氧化硅的新光化学反应。在此过程中，硅烷在真空紫外线照射下与二氧化氮发生反应。报告了在 1006C 下生长的薄膜的电气和机械性能。硅上金属氧化物半导体结构的电容电压测量表明界面态密度 <5 10 11/cm 2。讨论了几种可能的反应机制，并提出了表明表面光化学可能是

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