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乌干达制药技术和药物输送设计中的人工智能
人工智能（AI）已成为一种有力的工具，可以利用拟人化知识，并为复杂的挑战提供了快速的解决方案。AI技术和机器学习的显着进步在乌干达的药物发现，配方和药物剂型的测试中提供了变革的机会。研究人员可以通过利用分析包括基因组学和蛋白质组学在内的广泛生物学数据的AI算法来识别与疾病相关的靶标，并通过利用AI算法来预测其与潜在药物候选者的相互作用。这使得一种更有效，更有针对性的药物发现方法，从而增加了在乌干达成功批准药物批准的可能性。此外，AI可以通过优化乌干达制药行业的研发过程来促进发展成本。机器学习算法有助于实验设计，并可以预测乌干达药物候选药物的药代动力学和毒性。此能力可以优先考虑和优化铅化合物，从而减少了乌干达进行广泛且昂贵的动物测试的需求。个性化医学方法可以通过AI算法来促进，该算法分析现实世界中的患者数据，从而导致更有效的治疗结果并改善乌干达的患者依从性。这篇全面的评论探讨了AI在药物发现，药物递送剂型设计，过程优化，测试和药代动力学/药物学（PK/PD）研究中的广泛应用。本评论概述了乌干达制药技术中使用的各种基于AI的方法，从而强调了它们的收益和缺点。尽管如此，在制药行业对AI的持续投资和探索为增强乌干达药物开发过程和患者护理提供了令人兴奋的前景。
铅卤化物钙钛矿纳米立方体与介电纳米盘的形状定向共组装成二元纳米晶体超晶格
摘要：胶体纳米晶体 (NC) 的自组装在固态材料的多尺度工程中具有巨大前景，通过这种技术，原子工程 NC 构件被排列成具有协同物理和化学性质的长程有序结构 超晶格 (SL)。迄今为止，报告主要集中在球形 NC 的单组分和二元系统上，产生的 SL 与已知的原子晶格同构。通过组合各种形状的 NC，可以预期获得远远超出已知晶格范围的更大结构空间。本文报道了空间稳定的 CsPbBr 3 纳米立方体 (5.3 纳米) 与圆盘状 LaF 3 NC (直径 9.2 - 28.4 纳米，厚度 1.6 纳米) 共组装成二元 SL 的过程，产生了具有 AB、AB 2 、AB 4 和 AB 6 化学计量的六柱状结构，这在之前和我们的参考实验中均未观察到，参考实验中使用由球体和圆盘组成的 NC 系统。本文使用填充密度计算合理化了立方体形状的这种惊人效果。此外，在尺寸相当的纳米立方体（8.6 纳米）和纳米盘（6.5 纳米、9.0 纳米、12.5 纳米）系统中，还观察到了其他非柱状结构，例如 ReO 3 型 SL，其特征是盘和立方体的紧密混合和面对面排列，纳米立方体的面心立方或简单立方亚晶格，以及每个晶格位置有两个或三个盘。层状和 ReO 3 型 SL 采用大型 8.6 纳米 CsPbBr 3 NC，表现出集体超快光发射 超荧光 的特征，源自激发态发射偶极子的相干耦合。关键词：胶体纳米晶体、纳米晶体形状、自组装、二元超晶格、电子显微镜、卤化铅钙钛矿、超荧光 I
通过离子传输减缓实现室温卤化物钙钛矿场效应晶体管
该通道是通过电容耦合和在栅极电极上施加适当的偏压来实现的。然而，在传统 FET 架构中，卤化物钙钛矿在室温和低频（尤其是直流操作）下的电流调制具有挑战性，这主要是由于钙钛矿层的混合离子-电子特性。[2] 溶液处理的 FET 通常以累积模式工作，而传统的 Si 基晶体管则以反转模式工作，其中耗尽层将导电通道与半导体块体隔离。为了实现电流的栅极调制和累积模式下的大开关电流比，需要具有低离子浓度的钙钛矿层。在高离子浓度下，如图 1a 所示，无法形成累积通道，因为栅极场被移动离子屏蔽，如图 1b 所示。只有当栅极偏压足够大以至于离子无法完全屏蔽栅极场时，才能观察到场效应电流。因此，形成一个积累层，如图 1c 所示。溶液处理的钙钛矿中可移动离子的浓度估计为 10 25 m − 3 的数量级，[3,4] 导致表面电荷密度为几个 μ C cm − 2，例如甲基铵卤化铅的表面离子密度为 5 μ C cm − 2。[3] 当使用厚度为 200 nm 的典型 SiO 2 栅极电介质（相对介电常数，k = 3.9）时，如此大的密度需要施加大于 300 V 的栅极电压才能感应积累通道，但这是不切实际的，因为它会导致电介质击穿。因此，钙钛矿 FET 中的电流调制主要在低温下实现，此时离子电导率显著降低，或者在高频下使用脉冲模式操作，此时离子无法响应电场的快速变化。[5] 低温或高频操作严重限制了钙钛矿 FET 的实际应用。为了解决这些问题，人们尝试了材料改性，例如合成单晶微板、[6] 准二维纳米片 [7] 或多组分钙钛矿 [8,9]。然而，这些方法可能会损害高通量制造、可重复性或高效电荷传输。因此，减轻或补偿离子迁移率对于实现实用的钙钛矿基 FET 至关重要。在这里，我们建议使用能够诱导大表面电荷密度的介电材料，例如
RSC 进展
在金属卤化物钙钛矿领域，Cs 2 AgBiBr 6 双钙钛矿已成为包括太阳能电池在内的各种光电应用中有毒且不稳定的卤化铅钙钛矿的有效替代品。这归因于其出色的化学稳定性、无毒性质和卓越的光电特性，包括延长的载流子寿命。23 – 26 然而，Cs 2 AgBiBr 6 太阳能电池遇到了与效率相关的挑战，主要归因于其宽的 E g 。27 – 29 用杂质离子取代的过程已被认为是增强卤化物钙钛矿光学特性的有效方法。事实上，在众多策略中，替代因其简单性和易用性而脱颖而出。此外，它还具有在不干扰 LFHDP 晶体结构的情况下修改其性质的优势。 30 – 33 Ga 离子的加入已被证实是一种很有前途的掺杂剂，通过缓解复合，开路电压 (V oc ) 和 LL 因子 (FF) 均显著提高，从而提高效率。Ga 替代已证明具有通过减少表面陷阱来改善电荷传输的潜力。34 – 37 Boudoir 等人已将 Ga 掺杂到 Mg x Zn 1 − x O 中用于光伏器件，其浓度为 0.05（5%），他们表明 Ga 的这个浓度是最佳的。38 这个特定的浓度增强了器件性能，提高了捕获电荷载流子的效率。关于这个结果，本研究中使用了 0.05 Ga 浓度。本研究提出了一种新颖的探索方法，重点是将 Ga 成功掺入一种很有前途的 LFHDP 材料 Cs 2 AgBiBr 6 中。合成的 Cs 2 Ag 0.95 Ga 0.05 BiBr 6 经过 XRD、紫外可见光谱和太阳模拟器测量的全面检查。通过 XRD 分析阐明了材料的晶体结构和相纯度，从而深入了解了 Ga 取代对钙钛矿晶格的影响。紫外可见光谱深入研究了光学特性，揭示了吸收光谱的变化表明电子结构发生了变化。此外，太阳模拟器测量评估了 Cs 2 Ag 0.95 Ga 0.05-BiBr 6 的光转换效率和性能，使其成为光伏应用的有力候选者。这些表征技术的协同应用提供了对开创性 Cs 2 Ag 0.95 Ga 0.05 BiBr 6 的结构、光学和光伏特性的整体理解。这一贡献为可持续能源技术领域不断发展的 LFHDP 领域提供了宝贵的见解。重要的是，这项研究首次全面解释了 Cs 2 Ag 0.95 Ga 0.05 BiBr 6 引起的太阳能电池性能增强。
聚焦离子束铣削卤化物钙钛矿器件横截面的光发射
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