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OBM遗传学 材料的最新进展是否存在磁性单孔吗？ OBM遗传学成功的北挪威大鼠i-gonad ... 评估美国各地的点对点电力市场... OBM遗传学在... 存在下的体外电穿孔 性腺，一种小说的体内基因组编辑系统， OBM神经生物学新技术支持人们... 环境和工程研究的进步 评估道路灰尘上的重金属污染 OBM遗传学肌营养不良蛋白的临床和分子特征... 通过太阳能技术在城市周边地区的赋权：墨西哥中部的案例研究
10p的抽象部分缺失是一种罕见的疾病。这种疾病的共同特征包括智力障碍，发育延迟，畸形特征，甲状旁腺功能减退，耳聋和肾异常，但患者之间的表型可能会有所不同。我们报告了一个婴儿女孩，出现了全球发育延迟，唇裂，先天性外脱皮，喉乳突，心房间隔缺陷和感觉性听力损失的独特面部特征。46，xx，del（10p→ter）在G带分析中观察到。进行了染色体微阵列，以获取有关可能与临床表型，医疗问题和管理有关的缺失大小和基因受累的更多详细信息。缺失涉及10p15.3 – p12.31的区域，大约为19.528739 MB。缺失的大小可以确定表型的变异性，而微阵列对于更好地理解缺失大小和基因受累的必要条件是必要的。
锗单孔泵 - NPL 出版物
摘要 单电荷泵是单位安培量子标准的主要候选者，因为它们可以产生精确和量化的电流。为了在精度和操作速度方面达到计量要求，过去十年来，人们一直关注基于半导体的设备。使用各种半导体材料可以测试电荷泵设备的通用性，这是计量学非常理想的证明，GaAs 和 Si 泵处于这些测试的最前沿。在这里，我们展示了可以在尚未探索的半导体中实现泵送，即锗。我们实现了一个单孔泵，其可调势垒量子点在 Ge/SiGe 异质结构界面处静电定义。我们通过使用单个正弦驱动系统（频率高达 100 MHz）来观察量化电流平台。原型的运行受到多个点的意外形成的影响，这可能是由于无序电位和随机电荷波动造成的。我们建议直接改进制造工艺，以在未来的实验中改善泵特性。
宽带紧凑型单孔双直硅光子mems开关
摘要 - 半导体行业的技术进步的光子综合电路（图片），在单个芯片上纳入了越来越多的光子组件，以创建大型光子集成电路。我们在这里提出了一个基于单孔双插入（SPDT）架构的宽带，紧凑和低损坏的硅光子MEMS开关，其中弯曲的静电静电执行器机械地将可移动的输入波导置换，以将光学信号重新定向到两个输出波导的芯片上，从而将光学信号重新定位。光子开关已在具有自定义MEMS发行后的已建立的硅光子技术平台中制造。紧凑的足迹为65×62 µm 2，该开关的灭绝比在70 nm的光学舱面上超过23 dB，低插入损失和低于1 µs的快速响应时间，满足大型可重新可预点的光通电通行器的积分要求。[2020-0391]
材料的最新进展是否存在磁性单孔吗？
应用于产生基因组编辑的大鼠，包括白化病sprague-dawley和白化病刘易斯大鼠（但是，不是有色的棕色挪威[bn]大鼠）。我们观察到成功的I -Gonad取决于所使用的小鼠菌株。例如，在随机繁殖小鼠（例如ICR和C3H/HE×C57BL/6）中，它在相对严格的电气条件下成功，但在C57BL/6菌株中却没有成功。在不太严格的条件下，I -Gonad在C57BL/6菌株中取得了成功。我们推测使用BN大鼠对I -Gonad也是如此。在应用> 500 mA的电流时，我们未能获得大鼠后代（胎儿/新生儿）；但是，使用NEPA21（NEPA基因）在100-300 Ma下I-Gonad导致基因组编辑的BN大鼠的产生，其效率为75％-100％。同样，使用CUY21EDIT II（BEX Co.）在150-200 Ma的电流下，I-Gonad导致基因组编辑的BN大鼠的产生，其效率为24％-55％。这些实验表明，在执行I -Gonad时，根据所使用的大鼠菌株选择适当的电流值的重要性。
CMOS系列单极单孔发射/接收开关和基于物联网的射频标识 div>的低噪声放大器设计
摘要：当前射频标识（RFID）标准之间的不相容性导致需要通用和无线保真度（Wi-Fi）兼容物联网应用程序（IoT）应用程序的RFID。这样的通用RFID需要单极双掷开关（SPDT）开关和低噪声放大器（LNA）才能通过天线指导和扩增接收到的原始信号。SPDT患有低隔离，高插入损失和低功率处理能力，而LNA遭受较小的增益，笨重的模具面积，质量较小（Q）因子，有限的调整灵活性等。由于当前一代设备中的被动电感器使用情况。在这项研究中，提出了基于互补的金属氧化物半导体（CMOS）的无电感SPDT和LNA设计。SPDT采用了一系列拓扑以及平行的共振电路和电阻体漂浮，以实现改进的插入损失和隔离性能，而LNA设计则以Gyrator概念实现，其中频率选择性储罐电路与伴随的活跃电感器形成了伴随的频率，并由伴随的激活电感器形成。使用90 nm CMOS的cmos cmos过程的表明，我们的SPDT设计完成了0.83 dB的插入损失，45.3 dB的隔离和11.3 dBM的动力处理能力，而LNA则达到33 dB的频率为33 db，bandf of 30 mhz和30 mhzz和db nf的频率。 SPDT和LNA的布局非常紧凑，分别为0.003 mm 2和127.7μm2。 这样的SPDT和LNA设计将增强与Wi-Fi兼容的IoT RFID技术的广泛改编。表明，我们的SPDT设计完成了0.83 dB的插入损失，45.3 dB的隔离和11.3 dBM的动力处理能力，而LNA则达到33 dB的频率为33 db，bandf of 30 mhz和30 mhzz和db nf的频率。SPDT和LNA的布局非常紧凑，分别为0.003 mm 2和127.7μm2。这样的SPDT和LNA设计将增强与Wi-Fi兼容的IoT RFID技术的广泛改编。