摘要 单电荷泵是单位安培量子标准的主要候选者,因为它们可以产生精确和量化的电流。为了在精度和操作速度方面达到计量要求,过去十年来,人们一直关注基于半导体的设备。使用各种半导体材料可以测试电荷泵设备的通用性,这是计量学非常理想的证明,GaAs 和 Si 泵处于这些测试的最前沿。在这里,我们展示了可以在尚未探索的半导体中实现泵送,即锗。我们实现了一个单孔泵,其可调势垒量子点在 Ge/SiGe 异质结构界面处静电定义。我们通过使用单个正弦驱动系统(频率高达 100 MHz)来观察量化电流平台。原型的运行受到多个点的意外形成的影响,这可能是由于无序电位和随机电荷波动造成的。我们建议直接改进制造工艺,以在未来的实验中改善泵特性。