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Cellartis® iPSC CRISPR/Cas9 Gesicle 和单细胞克隆系统用户手册
一旦 Cas9/sgRNA RNP 复合物通过囊泡递送并恢复细胞，就必须分离单细胞并将其扩增成克隆细胞系，以便分离和筛选目标基因型（图 3）。传统上，从作为菌落生长和传代的 hiPS 细胞建立克隆群效率低、困难且耗时；通常会导致细胞死亡或过早分化。然而，Cellartis iPSC CRISPR/Cas9 囊泡和单细胞克隆系统的细胞培养组件包含一个确定的培养系统（Cellartis DEF-CS™ 培养系统，由基础培养基、涂层和添加剂组成），可有效进行单细胞克隆和扩增编辑的 hiPSC 克隆。 DEF-CS 培养系统是一种基于单层的培养系统，它通过允许单细胞传代、促进接种单细胞的存活和进一步扩增以及保留这些细胞的多能性，克服了基于菌落的培养所面临的挑战。
中间层激子介导的BiLayer MOS2中的第二次谐波生成
第二次谐波生成（SHG）是一个非线性光学过程，其中两个光子连贯地组合成两个光子的能量的两倍。的效果SHG。在这里，我们显示了反转对称晶体中非线性光学过程的调整。这种可调节性基于双层MOS 2的独特性能，该特性显示出强烈的光学振荡器强度，但也显示了层间激子的共振。当我们通过改变激光能将SHG信号调谐到这些共振上时，SHG振幅通过几个数量级增强。在谐振情况下，双层SHG信号达到的幅度与单层的两个共振信号相当。在施加的电场中，可以通过鲜明的效应来调节层间激子能量。因此，取消了层间激子退化性，并通过我们的模型计算得出的良好再现了两个数量级，进一步增强了双层SHG响应。
δ-5硼单层作为Li
我们使用密度函数理论模拟的δ-5硼单层作为碱金属（AM）和碱 - 地球金属（AEM）离子电池的阳极材料的电化学性能。探索了Δ-5硼M on洛耶木中各种金属原子（M）的电子特性，吸附，扩散速率和存储行为。我们的研究表明，电子和金属离子传输（0.493-1.117 eV）具有较高的电导率和低激活屏障，表明快速充电/放电速率。此外，发现LI，Na和K的δ-5硼单层的理论能力大于商业石墨的理论能力。AM和AEM的平均开路电压相当低，在0.34-1.30 V的范围内。我们的结果表明，δ-5硼单层单层可能是锂离子和非锂离子可充电电池中有希望的阳极材料。关键字：2D材料；吸附；储能；模拟;扩散简介
MX 2的电子，光学和光催化特性的应变工程（M = MO，W和X = S，SE）单层
1引言具有分层结构的二维材料，例如石墨烯和过渡金属二分法元素正在发展的技术，并且在计算和电路制造工业中的数字应用1-3。在具有修改功能特性的半导体中将这些材料从笨重到单层的限制。单层材料对研究人员来说是有吸引力的候选人。诸如MOS 2和WS 2之类的大量材料具有间接的带结构，而其单层是直接的，宽4-7。通过应变工程，结构和电气行为可以调整。电子迁移率和有效质量是电子设备的关键工具。散装或2D材料的外观外观在实验中产生很多菌株。这些发现表明了新的物理和化学能力包括电气，光学和磁性8。第一原理计算揭示了大小，形状和声子之间的联系
J. Phys。：冷凝。物质33（2021）225503（13pp）https://doi.org/10.1088/1361-648X/ABF381 Janus
于2021年3月3日收到，于2021年3月6日接受，2021年3月30日发表于2021年5月4日出版，跨标记摘要受到最近成功实验性合成的Janus结构的启发，我们系统地研究了Electric and tocials in 2xy in 2xy and x，x/y y = y a Janus Monolayers的电子，光学和电子运输特性（x/y 理论。单层2Xy在室温下动态稳定。在平衡时，IN2STE和IN2SETE都是直接的半导体，而In2SSE表现出间接的半导体行为。菌株显着改变In2Xy的电子结构及其光催化活性。此外，由于施加的应变，可以找到间接区域间隙转变。电场对In2Xy光学性质的影响可以忽略不计。同时，Janus In2xy单层的光吸光度强度通过压缩应变大大增加。此外，In2Xy单层具有非常低的晶格热导率，从而产生了较高的优点ZT，这使它们成为了室温热电材料的潜在候选者。
na功能化$ {\ rm {irt}}} {{\ rm {e}} _ 2} _ 2} $ monolayer：被抑制的费用订购和电场调谐拓扑相变
具有原子厚度的二维材料通常比其散装对应物具有优越的可调性，对新型纳米技术显示出巨大的希望。在分层的过渡金属二核苷元素IRTE 2中表现出由电荷顺序诱导的复杂结构扭曲，导致其相应单层材料的应用产生困难。在这里，使用第一个原理计算，我们证明在IRTE 2单层表面沉积Na可以抑制结构变形以形成稳定的Nairte 2板。它自然会破坏反转对称性，以实现Rashba型自旋分裂以进行潜在的自旋应用。此外，引入的空的na频带和IRTE 2单层的价带可以通过垂直电场的应用来反转，从而实现了从正常绝缘体到拓扑绝缘子的量子相变。这样的电场控制拓扑相变是实现拓扑场效应晶体管的希望。这些发现不仅提供了一种可行的方法来稳定IRTE 2单层，而且还扩大了其在旋转和低衰减的托泊托管中的应用。
2H -MOS2纳米片的共价交联 - 数字CSIC
二维（2D）材料，例如，由自组装的分子单层或通过单层范围材料的单层形成，可以与光子纳米腔有效地融合，并有可能达到强耦合方案。耦合可以使用经典的谐波振荡器模型或空腔量子电动力学哈密顿量，这些模型通常忽略单层内的直接偶极 - 偶极相互作用。在这里，我们对系统的全哈密顿量进行对角，包括这些直接的偶极偶极相互作用。对典型2D系统的光学特性的主要影响只是将单层的明亮集体激发的有效能量重新归一致，并将其与纳米光子模式相结合。另一方面，我们表明，对于极端场合的情况，大型过渡偶极矩和低损失，完全包括直接偶极 - 偶极相互作用，对于正确捕获光学响应至关重要，许多集体状态都参与其中。为了量化此结果，我们提出了一个简单的方程式，该方程式指示直接相互作用强烈修改光学响应的条件。
关于石墨和钻石中的摩擦机制
*通讯作者摘要。提出了石墨摩擦模型。在此模型中，摩擦过程被描述为表面层弹性变形的过程。此外，包含3-5个原子单层的纳米层，根据Griffiths方案的弹性和迅速崩溃，形成像固体润滑剂这样的层。接下来，中层进入摩擦过程。如果石墨的摩擦被认为与粘性液体的摩擦相似，那么从这种方法中可以得出摩擦取决于运动速度，其结构与贝纳德细胞相似，这意味着发生自组织和摩擦协同作用。不能使用通常的Amonton定律或基于流体动力学理论来解释石墨的摩擦，这是由于它与溶液的粘度相关的事实，其理论尚未完成。由于其表面的重建，亚稳态钻石的表面层变成石墨，其摩擦系数为相同的值k≈0.1。如果您卸下了亚稳态钻石的表面层，即将其变成钻石，然后其摩擦系数为k≈0.6。关键字：石墨，钻石，摩擦，表面，自组织，协同学，速度，润滑，弹性。简介
基准测试电解质的单层MOS2字段 -
一种非常有前途的原子薄半体导管的材料类是过渡金属二分法元素（TMDC）。该材料类在MX 2（M¼TransitionsMetal;x¼s，se，te）层中具有较强的共价键结晶，但相对较弱，但相对较弱，可以切断大量晶体的单层。由单层制造的设备可以描述为仅接口的设备，并且已经显示了TMDC作为气体传感器的应用。[14]为了能够在高性能的FET应用中使用TMDC，过度出现的主要挑战是这些单层的缺陷控制。[15]两种主要类型的缺陷是晶界，金属或金属葡萄染色体空位。既会降低材料的电性能，但是空缺也为使单层官能化的额外途径开辟了一条额外的途径，可以在传感器应用中进行优势。[16 - 20]最近，已经显示了使用去离子化（DI）水的基于MOS 2的FET装置的运行；但是，使用MOS 2多层。[21,22]这些结果构成了在
研究杨氏石墨烯及其衍生物模量的研究...
1物理系，1 Sam Higginbottom农业，技术与科学大学，Naini，Prayagraj-211007，北方邦，印度摘要 - Young的石墨烯模量及其衍生物及其衍生物的衍生物估计在沿Armchair方向及其沿着Zigzag方向应用时施加载荷。对于杨氏模量，使用弹性常数，取决于样品长度，宽度和厚度。因此，在石墨烯及其衍生物的加载案例中绘制了Young的模量长度图。发现，Young的模量随着恒定宽度而增加，而单层的Young模量大于双层。在扭曲的双层石墨烯的情况下，Young的模量以扭曲角度降低。关键词 - 弹性常数，Young的模量，扭曲的石墨烯和SWNT。简介 - 石墨烯片是在蜂窝结构中组织的二维碳原子。它与六角蜂窝晶格紧密结合。图1个石墨烯片的示意图。通常，六边形结构具有五个独立的弹性常数。这些如下； C 11，C 12，C 13，C 33和C 44。C 11和C 12更负责弹性。so，