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WRRF 模型向数字孪生应用的转变
a Biomath, Ghent University, Coupure links 653, 9000 Gent,Belgium b Center for Advanced Process Technology for Urban Resource recovery (CAPTURE), Frieda Saeysstraat 1, 9000 Gent,Belgium c modelEAU, Université Laval, 1065 avenue de la Médecine , 魁北克 G1 V 0A6, QC, 加拿大 d CentrEau,魁北克水研究中心, 1065 avenue de la Médecine, Québec G1 V 0A6, QC, Canada e Primodal, Inc., 122 Leland Street, Hamilton, Ontario L8S 3A4, Canada f FCG Finnish Consulting Group Ltd, Osmontie 34, P.O. Box 950, FI-00601 赫尔辛基，芬兰 g 开普敦大学土木工程系水研究组，Rondebosch，7700 Cape，南非 h Jacobs，9191 Jamaica St，Englewood，CO 80112，美国 i 化学工程系，巴斯大学，英国巴斯 Claverton Down，BA2 7AY j Hatch, Ltd，加拿大安大略省密西沙加 Speakman Dr 2800 号，L5 K 2R7 k 南京大学宜兴环境研究所，江苏省宜兴市恒通路 128 号，214200，中国 l南京智能科技发展有限公司，南京仁恒置地广场 B 座 706 室，江新洲建业，江苏南京 210019，中国 m 丹麦技术大学环境工程系，Bygningstorvet，115 号楼，2800，Kongens Lyngby，丹麦*通讯作者。电子邮件：elena.torfs@ugent.be
ICNS-14 参与者统计
ED1-2 （ 口头 ） 14:45 - 15:00 通过掺杂分布工程提高 p-GaN 栅极 HEMT 的稳健性 Matteo Borga 1 , Niels Posthuma 1 , Anurag Vohra 1 , Benoit Bakeroot 2 , Stefaan Decoutere 1 1 比利时 imec，2 比利时 imec、CMST 和根特大学 ED1-3 （ 口头 ） 15:00 - 15:15 在低 Mg 浓度 p-GaN 上使用退火 Mg 欧姆接触层的横向 p 型 GaN 肖特基势垒二极管 Shun Lu 1 , Manato Deki 2 , Takeru Kumabe 1 , Jia Wang 3,4 , Kazuki Ohnishi 3 , Hirotaka Watanabe 3 , Shugo Nitta 3 , Yoshio Honda 3 , Hiroshi Amano 2,3,4 1 日本名古屋大学工程研究生院、2 日本名古屋大学深科技系列创新中心、3 日本名古屋大学可持续发展材料与系统研究所、4 日本名古屋大学高级研究所 ED1-4（口头） 15:15 - 15:30 高 VTH E 模式 GaN HEMT 具有强大的栅极偏置相关 VTH 稳定性掺镁 p-GaN 工程 吴柯乐 2 , 杨元霞 2 , 李恒毅 2 , 朱刚廷 2 , 周峰 1 , 徐宗伟 1 , 任方芳 1 , 周东 1 , 陈俊敦 1 , 张荣 1 , 窦友正 1 , 海陆 1 1 南京大学, 中国, 2 科能半导体有限公司, 中国 ED1-5 （口头报告） ） 15:30 - 15:45 EID AlGaN/GaN MOS-HEMT 中 Al 2 O 3 栅氧化膜下的电子态分析 Takuma Nanjo 1 , Akira Kiyoi 1 , Takashi Imazawa 1 , Masayuki Furuhashi 1 , Kazuyasu Nishikawa 1 , Takashi Egawa 2 1 Mitsubishi electric Corporation, Japan, 2 Nagoya Inst.日本科技大学
纳米医学路线图
1 意大利技术学院基金会精准医学纳米技术实验室，Via Morego 30，热那亚 16163，意大利 2 特拉维夫大学 Shmunis 生物医学和癌症研究中心精准纳米医学实验室，特拉维夫 6997801，以色列 3 伊比和阿拉达·弗莱施曼工程学院材料科学与工程系 4 特拉维夫大学纳米科学与纳米技术中心，特拉维夫 6997801，以色列 5 特拉维夫大学癌症生物学研究中心，特拉维夫 6997801，以色列 6 纽卡斯尔大学药学院，泰恩河畔纽卡斯尔 NE1 7RU，英国 7 SM Discovery Group Inc，美国科罗拉多州 8 SM Discovery Ltd，英国达勒姆 9 奥胡斯大学分子生物学和遗传学系跨学科纳米科学中心，丹麦 10加州大学洛杉矶分校生物工程系，洛杉矶，CA 90095，美国 11 南京大学化工学院分析化学国家重点实验室和生命科学化学协同创新中心，南京 210023，中国 12 加州大学洛杉矶分校加州纳米系统研究所，洛杉矶，CA 90095，美国 13 以色列理工学院，海法 3200003，以色列 14 巴黎大学和巴黎大学北校区、INSERM U1148、LVTS、H ˆ opital X. Bichat，巴黎，F-75018，法国 15 埃因霍温理工大学化学生物学实验室、生物医学工程系和复杂分子系统研究所，埃因霍温，荷兰 16分子成像，亚琛工业大学，德国亚琛 17 靶向治疗系，特温特大学，荷兰恩斯赫德 18 药剂学系，乌得勒支大学，荷兰乌得勒支
人类需要实现锂资源多样化
唯一不同的是，大多数已知的可开采锂矿仅分布在少数几个国家。尽管澳大利亚目前是世界上最大的锂生产国，但全球已知储量的一半左右都蕴藏在智利、玻利维亚和阿根廷边境“锂三角”的盐滩中。中国也有相当可观的储量。从这些来源提取锂是一个能源密集型的过程。需要大量的水将水从源头泵入巨大的池塘，水在那里蒸发，剩下盐。这些盐经过进一步加工和分离，可获得富含锂的矿物。该过程的所有阶段都需要使用大量的淡水，通常是在这种资源稀缺的干旱地区。据估计，提取一吨锂需要多达 200 万升的水。一个显而易见的替代方法是从盐水（比如海水）中获取锂；这种元素在世界海洋中储量丰富。但是，由于锂的含量为百万分之0.1-0.2，从这些来源提取金属在技术上具有挑战性，而且和锂矿开采一样，它也会产生相当大的环境影响。出于这些原因，盐水不被认为是一种可靠的来源。但是，正如中国南京大学材料科学家何平、周浩生和他们的同事在《自然》杂志的一篇评论文章中所解释的那样，有办法改进现有的从低质量来源中分离锂的方法，比如开发更有效地捕获锂的化学品，或使用特殊的过滤器和电力将其分离出来（S. Yang 等人，《自然》杂志 636 期，309-321 页；2024 年）。好消息是，从改进的过滤器到更好的沉淀方法，几种技术正在被开发来实现这一点。然而，作者表示，要充分利用低质量的锂源，研究需要回到基础，了解如何分离低浓度的微小离子，然后重新开始改进目前正在开发的技术。研究人员还在研究锂的替代品，包括钠。钠元素在元素周期表中位于锂的正下方，具有相似的化学性质，更容易获取，但其原子更重。
简历 - 王鑫
刘志平（2023/02-2023/05，现为南京大学博士生）、陈逸飞（2023/01-2023/04，剑桥大学研究生）、张蕾（2021/12-2023/04，现为香港科技大学广州分校博士生）、刘霞（2021/08-2023/04，中科院博士生）、张浩凯（2021/10-2023/04，清华大学博士生）、朱成宏（2021/12-2023/04，现为香港科技大学广州分校博士生）、荆明睿（2022/05-2023/04，现为香港科技大学广州分校博士生）、余湛（2021/11-2023/05，现为新加坡国立大学博士生）、宋志新（2020/04-2021/07，现于佐治亚理工学院攻读博士学位）、赵选强（202008-202208，现于香港大学攻读博士学位）、赵本池（2020/10-2022/03，现于大阪大学攻读博士学位）、陈然柳（2020/08-2021/08，现于哥本哈根大学攻读博士学位）、蒋佳庆（2020/07-2021/04，现于加州理工学院攻读博士学位）、曹晨峰（2020/07-2020/10，现于香港科技大学攻读博士学位）、余思卓（2021/01-2021/10，现于巴黎-萨克雷大学攻读博士学位）、夏子涵（2021/04-2022/03，现于南加州大学学生）、王庆河（2020/09-2021/09，现于加州大学洛杉矶分校学生）、王子河(2020/07-2021/07，现百度软件工程师)、莫印(2021/09-2021/12，百度→香港科技大学广州)、李罗珍(2022/08-2022/11，现荷兰代尔夫特理工大学研究生)、朱成凯(2021/08-2023/04，现香港科技大学广州)博士生)、耿刘（2021/08-2023/04，现为香港中文大学（深圳）博士生）、姚宏顺（2021/08-2023/04，研究生）、王振铎（2022/07-2022/09）、施凯彦（2021/04-2021/07）、叶瑞林（2021/09-） 2022/01), 黄嘉欣(2021/09-2022/01)、王家辉(2021/06-2021/08)、宋艺轩(2021/06-2021/08)、李茂然(2021/02-2021/07)、刘迎建(2021/01-2021/07)、严子贤(2020/09-2021/09)、席韩哲(2021/05-2021/09)、陈一方(2020/03-2020/06)、孟泽林(2020/04-2021/07)。
NorCAS 征文通知.pdf
成员： • Orazio Aiello，国立大学。新加坡（SG）• Janne Aikio，大学奥卢大学 (FI) • Johan Alme，卑尔根大学 (NO) • Atila Alvandpour，林雪平大学 (SE) • Paul Annus，Taltech (EE) • Snorre Aunet，NTNU (NO) • Marco Balboni，费拉拉大学 (IT) • Abdullah Baz，Umm Al-Qura 大学 (SA) • Elmars Bekecal，里士满技术大学，里士满大学 (SE) • 隆德大学 (SE) • Claudio Brunelli，诺基亚 (FI) • Luigi Carro，UFRGS (BR) • Mario Casu，都灵理工大学 (IT) • Kun-Chih (Jimmy) Chen，国立中山大学 (TW) • Yong Chen (Nick)，清华大学。 （中国） • Hans Jakob Damsgaard，诺基亚（FI） • Patricia Derler，国家仪器（美国） • Peeter Ellervee，Taltech（EE） • Diana Goehringer，德累斯顿工业大学（德国） • Gunnar Gudnason，奥迪康（丹麦） • Xinfei Guo，Mellanox TechnSEologies（美国） • Half-Houston University（美国），阿尔托大学（FI） • Shadi Harb，英特尔，（美国） • Thomas Hollstein，Taltech（EE） • Heikki Hurskainen，诺基亚（FI） • Waqar Hussain，Nordic Semiconductors（NO） • Maksim Jenihhin，Taltech（EE） • Gert Jervan，Taltech（EE） • Ted Johan SE，Gulson University（CA）nar Kjeldsberg，NTNU（NO） • Kristian Gjertsen Kjelgård，Univ.奥斯陆（挪威） • Peter Koch，奥尔堡大学（丹麦） • Selcuk Köse，大学罗切斯特 (美国) • Marko Kosunen，阿尔托大学 (FI) • Olli-Erkki Kursu，大学。奥卢 (FI) • Kimmo Kuusilinna，Nosteco (FI) • Vesa Lahtinen，诺基亚 (FI) • Yannick Le Moullec，Taltech (EE) • Pasi Liljeberg，图尔库大学 (FI) • Liang Liu，隆德大学 (SE) • Farshad Moradi，奥胡斯大学 (DK) • Ilkka Nissinen，大学。奥卢 (FI) • Sajjad Nouri (DE) • Jari Nurmi，特拉维夫大学 (FI) • Vojin G. Oklobdzija，加州大学戴维斯分校 (美国) • Milica Orlandić，挪威科技大学 (NO) • Dmitry Osipov，ITEM (DE) • Vassilis Paliouras，大学。帕特雷 (GR) • Darshika G. Perera，UCCS（美国） • Ernesto Pérez，CSEM（瑞士） • Luca Pezzarossa，DTU（丹麦） • Sebastian Pillement，Univ.南特大学 (FR) • Juha Plosila，图尔库大学 (FI) • Timo Rahkonen，奥卢大学 (FI) • Toomas Rang，Taltech (EE) • Jussi Ryynänen，阿尔托大学 (FI) • Ketil Røed，大学。奥斯陆（挪威） • Juha Röning，大学奥卢大学（FI） • Alireza Saberkari，林雪平大学（SE） • Martin Schoeberl，丹麦技术大学（DK） • Shahrian Shahabuddin，俄克拉荷马州立大学(美国) • Ibraheem Shayea，伊斯坦布尔技术大学。 (TR) • Ming Shen，奥尔堡大学（DK） • Olli Silvén，奥卢大学（FI） • Henrik Sjöland，隆德大学（SE） • Kalle Tammemäe，Taltech（EE） • Jing Tian，南京大学（CN） • Kjetil Ullaland，卑尔根大学（NO） • Vishnu Unnikrishnan，坦佩雷大学。 (FI) • Boris Vaisband，麦吉尔大学（CA） • Lan-Da Van，国立交通大学(TW) • 马克·维斯特巴卡 (Mark Vesterbacka)，林雪平大学(SE) • Seppo Virtanen，图尔库大学 (FI) • Upasna Vishnoi，Marvell Semiconductor (美国) • Roshan Weerasekera，西英格兰大学 (英国) • Avinash Yadav，Nvidia (美国) • Trond Ytterdal，挪威科技大学 (NO) • Milad Zamani，奥胡斯大学 (DK)，• Yuteng ZhouWPI（美国）• Viktor Åberg，隆德大学（瑞典）• Johnny Öberg，KTH（瑞典）