5.合同条款所在地、联系方式及提交地点 日本北海道惠庭市惠南63号 061-1411 日本陆上自卫队南惠庭警备队第323会计中队南惠庭支队 负责人:菅原 电话:0123-32-3101(内线352) 传真:0123-33-1488(直通)
4 天前 — 零件编号:规格。按规格。所用设备的名称。尺寸。单位。品牌。手柄。到期日期等...... (8)来自国防部长保健局、国防政策局局长、国防采购、技术和后勤局局长或陆上自卫队参谋长......
2024年10月15日——(7)任何未根据竞标指南中规定的“关于排除有组织犯罪集团的承诺”作出承诺的人将不允许参加竞标。 (8)国防部卫生局局长、国防政策局局长、采购、技术和后勤局局长,或……
1. 充电过程 IU5365E 采用完整的涓流充电、恒流充电、过充电、浮充 电四个过程进行充电。当电池电压小于涓流点时,系统以 I *20% 充电电流充电;当电池的电压大于涓流点时,系 C C 统以 I 充电电流充电;当电池电压达到所设定的过充电电 CC 压值 , 充电电流逐渐减小,当电流减小到所设定的过充电 结束电流值时,过充电结束,系统进入到浮充电过程 , 浮 充电电压为过充电电压V 的 90% 。 OC 浮充电模式的存在可以弥补由于电池自放电或者负载耗电 所导致的电池能量损失。在浮充电状态,如果输入电源和 电池仍然连接在充电器上,电池电压仍然逐渐下降到所设 置的过充电电压V 的 85% 时,系统会重新恢复充电状态。 OC
部分修改《机场照明设备规格标准》(通知) 针对上述内容,对《机场照明设备规格标准》补充卷(2018 年 10 月 11 日公告第 16074 号)进行了如下修改。 本通知适用于本通知发布之日及以后发布招标公告的工程。
2024 年 9 月 30 日 - 提交的文件应为日本工业标准 A4 尺寸。如果使用大于 A4 的纸张,请使用 A3。 但是,如果这很困难,或者您想使用小册子等。
简介:在过去的几十年中,碳纳米材料(例如碳纳米纤维(CNF)和石墨烯)由于其宏伟的特性而引起了强烈的科学兴趣[1,2]。关于石墨烯的大部分研究都是针对合成高质量和大面积石墨烯方法的探索。有希望的方法是脉搏激光沉积和化学蒸气沉积。虽然在理解石墨烯合成方面已经取得了重要成就,但它们的形成机制尚不清楚。现场技术的最新进展现在为研究原子水平研究固相相互作用的新可能性提供了新的可能性。在这里,我们报告了通过原位透射电子显微镜(TEM)直接观察到铜含有铜纳米纤维(CU-CNFS)的结构转化。实验:使用kaufmann型离子枪制造Cu-CNF(iontech。Inc. Ltd.,模型3-1500-100FC)。所使用的样品是尺寸为5x10x100 µm的市售石墨箔。通过在CNFS生长过程中连续供应Cu,在室温下用1 keV ar +离子辐射石墨箔的边缘。在其他地方详细描述了离子诱导的CNF生长机理的细节[3]。然后将Cu-CNF安装在200 kV的TEM(JEM2010,JEOL CO.,JEOL CO.)的阴极微探针上,并研究了Cu-CNFS向石墨烯的结构转化,在电流 - 电压(I-V)测量过程中进行了研究。结果和讨论:在I-V测量过程中,高温是通过Cu-CNF结构中的Joule加热获得的。焦耳CNF的加热导致其表面石墨化,最后在转化为严重扭曲的石墨烯中。tem图像表明,最初,CNF在本质上是无定形的,而I-V过程中的电流流动引起了CNF的晶体结构的急剧变化,形成了石墨烯的薄层(1-3层)。作为结果,在产生的电流大大增加的情况下,改进了结构的电性能,比初始值高1000倍(从10 -8到10 -5 a)。该过程采用三个步骤进行:Cu纳米颗粒的聚集,无定形碳扩散到Cu中,以及在进一步加热下的Cu纳米颗粒的电迁移。
1.充电模式 FM5012D 用线性方式对电池进行涓流 / 恒流 / 恒压三段式充电。当电池电压低于 V TRKL 时进行涓流充 电;当电池电压高于 V TRKL 时进行恒流充电;当电池电压接近 V BAT-REG 时进行恒压充电,此时充电电流 开始逐渐减小,当电流减小到 I FULL 时,判断电池已经充饱,芯片终止充电,待电池电压降低到 V RECHG 后进行再次充电 (Recharge) 。 2.充电软启动功能 当开始给电池充电时,芯片会控制充电电流逐渐增大到设定值,避免了瞬间大电流冲击引起的各种 问题。 3.充电电流设定 充电电流由内部电路设定为恒流 600 mA, 涓流充电为 60mA, I FULL 为 90 mA 可编程设置充饱电压为 500 mA, 涓流充电为 50mA , I FULL 为 75 mA 当输入供电不足或芯片温度过高时, I IN-LIM 会下降。 4.充饱电压设定 FM5012D 芯片默认充饱电压值为 4.20V 可编程设置充饱电压值为 4.35V 5.输入过压保护 输入电压过高,超过 V IN-OVP 时,芯片会控制关闭充电和升压输出,防止芯片和负载因为过压而损 坏,输入电压正常后充电恢复,风扇驱动输出 FAN 不恢复。 6.充电限流保护 当芯片 VIN 端口电压低于 4.7V 时,芯片进入 VIN 限流状态,充电电流逐渐减小,直至到零。 SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNITS
研究设计:综述。目的:找出最适合脊髓损伤康复的压疮愈合评估工具。方法:从 PubMed 检索文章。纳入标准为英文,发表时间截至 2008 年 12 月,描述在多项研究中评估的工具。搜索词为压疮、伤口愈合、疾病严重程度指数、结果的可重复性、敏感性和特异性。描述压疮分期量表的文章和未描述工具临床特性的文章被排除在外。在两项或多项研究中评估的所有工具的有效性、可靠性、响应性和常规临床使用的可行性均进行了描述。结果:描述了 11 种工具。所有工具的临床信息都不完整。两种工具的临床信息最完整且最有希望:“尺子长度和宽度”和“Sessing”量表。尺子方法显示出良好的评分者内和评分者间信度以及良好的并发效度。 “Sessing”量表具有中等并发效度,但未测试其响应度。结论:在选择最佳工具之前,有必要进一步研究压疮评估工具的临床测量特性。《脊髓》(2010 年)48,92-99;doi:10.1038/sc.2009.146;2009 年 12 月 1 日在线发表