XiaoMi-AI文件搜索系统
World File Search System双极
使用双极流动性流通治疗系统的电化学过氧化
摘要：在与地表和地下水相关的条件下氧化有机污染物的痕量浓度，将空气扩散的阴极偶联到不锈钢钢质阴极中，将大气O 2转化为过氧化氢（H 2 O 2），然后将其激活为产生羟基自由基（hydroxylics）。通过将H 2 O 2的生成与其激活分开，并采用由不锈钢纤维组成的流通电极，可以有效地以克服O 2，H 2 O 2的质量转移限制和微量有机污染物的方式有效地操作这两个过程。单独控制这两个过程产生的灵活性使得避免了多余的H 2 O 2的积累以及H 2 O 2后发生的能量损失已被耗尽。在存在天然有机物的存在下发生的治疗疗效的降低大大低于通常在均质晚期氧化过程中观察到的治疗疗效。实验表明，静电排斥阻止了带负电的·OH清除剂干扰中性污染物的氧化。双电极系统的能源消耗低于针对小型饮用水处理系统的其他技术报告的值。这两个阴极的协调操作有可能为使用点饮用水点提供一种实用，廉价的方式。关键字：分散处理，零化学输入，序列氧气减少，选择性转化，库仑排斥■简介
定量双极论证图的贡献函数：基于原则的分析
正式论证已成为人工智能领域内的一个充满活力的研究领域。尤其是，形式论证的辩证性质被认为是共同的人机推理和决策的有前途的促进者，也是亚符号和符号AI之间的潜在桥梁[1]。在正式的论点中，参数及其关系作为指示图表示，其中节点是参数，边缘是参数关系（通常：攻击或支持）。从这些论点图中，得出了有关参数的可接受性状态或优势的推论。一种正式的论证方法正在增加研究的注意力是定量双极论证（QBA）。在QBA（通常是数值）权重（通常是数值的）权重（如此公认的初始优势）中分配给了参数，并且参数通过支持和攻击关系连接。因此，通过节点的传入边缘直接连接到节点的参数可以称为攻击者和支持者（取决于关系）。给出了定量的双极论证图（qbag），然后论证语义渗透了论证的最终强度。从直觉上讲，论点的攻击者倾向于降低其最终力量，而支持者倾向于增加它的最终力量。通常，正式论证和QBA的新生应用通常与解释性相关[2，3]，例如，在可解释的推荐系统[4]的背景下，回顾聚合[5]或机器学习模型，例如随机森林[6]或神经网络[7]。这遵循上述参数影响的直觉为了利用QBA作为解释性的促进者，至关重要的是，对一种论点对另一个论点的影响有一种严格的理解，这一点至关重要。
双极抑郁症患者的低剂量白介素-2
保留所有权利。未经许可就不允许重复使用。（未经同行评审证明）是作者/资助者，他已授予Medrxiv的许可证，以永久显示预印本。此预印本版的版权持有人于2024年7月19日发布。 https://doi.org/10.1101/2024.07.19.24310686 doi：medrxiv preprint
Ari Live！事件报告。 神经肌肉疾病课程2025 更新 面部识别技术的建议 创新政策和工业后经济复苏 第2部分：制造新的Pandemics疫苗 二维量子中的远程电容传感 - 策略2030 神经形态计算简报 可重构双极量子点的色散读数纳米线 “用于现实世界应用和剥削的高级材料”将提供各种功能材料的非常详细的概述 UCL暑期学校的大脑如何工作和什么... MSSL的研究 数据策略 ECON0018宏观经济理论和政策 高级材料处理和制造（... UCL暑期学校解剖学和发育... 空间认知的大规模神经计算模型，将记忆与视觉整合 政策简介 - 垃圾填埋税，建筑和拆除浪费与循环经济 yasutada sudo
•我们在AI中看到的问题已经存在 - 偏见，数据等问题等是人类已经存在的当前问题。AI迫使我们考虑这些并将其冲洗掉。•将辅助AI采用公共服务的主要障碍是（缺乏）解释性和数字素养 - 公共信任以及基于AI的决策对特定人群的影响加剧。•支持警察劳动力，需要适合21世纪的正式培训和教育评论，遇到培训能力问题，并带来了他们内部缺失的专业知识。•公众与NHS和医疗保健有情感上的联系 - 在这种护理的情况下，AI的引入可能会感到不合适。然而，行政任务的自动化可能会减轻工作量压力，并对NHS员工的福祉产生积极影响。•决策者必须记住，并非每个问题都是AI问题，而不是每个解决方案都是AI解决方案 - 必须考虑个人情况。•必须通过变更，集中标准制定和关于数字素养的公共教育的跨政府要求确保公平访问服务。•使用AI（环境，人类）的成本 - 部署应伴随着这些费用的陈述，以供考虑到任何生产力提高。•可以激励公司开发AI，以反映成果中的内在人类价值观，而不是传统的生产力措施。
异质结双极晶体管 pdf
自 1950 年代以来，研究人员一直在研究晶体管的特性和行为，特别关注宽禁带发射极。发表在各种会议和期刊上的论文探讨了异质结构双极晶体管 (HBT)、集成电路和 Si/SiGe 外延基晶体管等主题。研究还检查了温度对晶体管性能的影响，包括在高达 300°C 的温度下的直流和交流性能。研究人员调查了各种材料系统，包括应变层异质结构及其在 MODFET、HBT 和激光器中的应用。研究了 SiGe HBT 中寄生能垒的行为，以及热电子注入对高频特性的影响。其他研究集中于渐变层和隧穿对 AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管性能的影响。已经开发出突变半导体-半导体异质结处隧道电流的解析表达式，并提出了异质结界面处热电子发射电流的新物理公式。本文讨论了有关异质结双极晶体管 (HBT) 的各种研究论文，这种半导体器件兼具双极晶体管和场效应晶体管的优点。这些论文涵盖的主题包括热电子发射、电荷控制模型、器件建模以及基极分级、合金化和应变对 HBT 性能的影响。研究探索了不同材料的使用，包括 GaAs/AlGaAs、InP、Si-Ge 合金和应变层异质结构。这些论文讨论了了解这些材料的电子特性（例如有效质量、带隙和价带不连续性）的重要性。文章还涉及 HBT 中的非平衡电子传输，这对高频性能至关重要。研究人员研究了各种生长技术，包括分子束外延 (MBE) 和化学气相沉积 (CVD)，以创建高质量的 HBT 器件。研究论文中的一些主要发现和结论包括：* 了解异质结材料电子特性的重要性* 应变对 HBT 性能和器件特性的影响* 需要先进的生长技术，如 MBE 和 CVD，以创建高质量的 HBT 器件* Si-Ge 合金和应变层异质结构在提高 HBT 性能方面的潜力总体而言，本文中介绍的论文展示了正在进行的研究工作，旨在提高异质结双极晶体管的性能和特性。本文讨论了有关硅锗 (Si/Si1-x Gex) 异质结构的各种研究和研究论文，重点介绍了它们的特性及其在微电子器件中的应用。一项研究使用导纳谱分析了由 Si/Si1-x Gex 异质结构制成的 MOS 电容器。另一篇论文研究了在硅衬底上生长的无应变和相干应变 Si1- x Gex 的电子漂移迁移率。文章还讨论了用于高频应用的碳掺杂 SiGe 异质结双极晶体管 (HBT) 的开发，以及针对低温操作的 HBT 技术的优化。此外，研究人员还探索了应变和重掺杂对 Si/Si1-x Gex 合金间接带隙的影响。论文还涉及各种主题，例如外延 Si 和 SiGe 基双极技术的设计和优化、UHV/CVD SiGe HBT 中集电极-基极结陷阱的影响以及 Ge 分级对 SiGe HBT 偏置和温度特性的影响。总体而言，研究重点是了解 Si/Si1-x Gex 异质结构在微电子器件（包括 HBT 和其他半导体技术）中的特性和应用。本文讨论了 SiGe 基双极晶体管和 III-V 异质结双极晶体管 (HBT) 研究的进展。目标是优化这些器件以用于高性能电子应用，包括高速数字集成电路、模拟电路、微波集成电路和 RF 器件。1993 年至 2002 年期间发表的研究文章探讨了 SiGe HBT 的各个方面，例如针对高电流密度的优化、屏障效应、渡越时间建模和紧凑的电流-电压关系。这些研究旨在提高这些器件的性能和效率。另一个研究领域侧重于 III-V HBT，包括基于 GaAs 的 HBT、AlGaN/GaN HBT 和 GaN HBT。目标是开发用于微波应用的新技术并克服建模和模拟这些器件的挑战。这些研究还调查了不同生长技术的使用，例如金属有机化学气相沉积 (MOCVD)，并探索 AlGaN/GaN HBT 选择性区域生长的潜力。总体而言，该研究旨在突破 SiGe 基双极晶体管和 III-V HBT 的可能性界限，从而开发出适用于广泛应用的高性能电子设备。过去几十年来，异质结双极晶体管 (HBT) 的研究得到了广泛的开展。各种研究都探索了它们的潜在应用、优势和局限性。在 2001 年发表在 IEEE Transactions on Electron Devices 上的一篇文章中，研究人员讨论了 HBT 在高频应用中的能力。同一出版物还介绍了 Shigematsu 等人在 1995 年的另一项研究，该研究提出了一种具有改进特性的自对准 InP/InGaAs HBT 的新设计。此外，Low 等人在 1999 年发表的一篇文章。固态电子学杂志探讨了 InGaP HBT 技术在射频和微波仪器中的应用。研究人员强调了它的潜在优势，包括与硅双极晶体管相比更快的开关速度。一些研究也集中于 HBT 的设计和制造。Gao 等人在 1992 年发表在 IEEE 电子器件学报上的一篇文章介绍了一种用于功率应用的异质结双极晶体管设计。在同一期刊上发表的另一项研究中，Gao 等人 (1991) 研究了发射极镇流电阻设计和 AlGaAs/GaAs 功率 HBT 的电流处理能力。微波多指 HBT 中的崩塌现象也得到了广泛的研究。Liu 等人 (1993 年和 1994 年) 在 IEEE 电子器件学报上发表的研究检查了高功率密度对这些器件中电流增益崩塌的影响。此外，Chou 和 Ferro 在 1997 年的会议论文集中概述了异质结双极晶体管，重点介绍了它们的应用和优势。研究人员探索了用于红外光子探测的先进半导体器件概念和技术，旨在提高 III-V 器件的性能。研究人员还致力于通过引入碳掺杂基极来提高 AlGaAs/GaAs 异质结双极晶体管的预期寿命。该研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了它们在各种工作条件下性能的潜在改进。本研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了其在各种操作条件下性能的潜在改进。本研究讨论了工艺技术对自对准 HBT、栅极定义和亚微米栅极长度干蚀刻制造方案的影响。此外，还进行了高温偏压应力测试，以评估具有台面蚀刻结构的 HBT 的可靠性，揭示了它们在各种操作条件下性能的潜在改进。
单极 - 双极交叉状态的证据
域壁中的扭结（和反kinks）之间的弹性相互作用在塑造域结构及其动力学方面起着关键作用。在散装材料中，扭结作为弹性单孔相互作用，取决于壁之间的距离（d -1），通常以刚性和直域的结构为特征。在这项工作中，通过原位加热显微镜技术在独立样品上的原位加热显微镜技术研究了域结构的演变。随着样本量的减小，观察到显着转化：域壁表现出明显的曲率，并伴随着域壁和连接密度的增加。这种转换归因于扭结的明显影响，引起了样品翘曲，其中“偶极 - 偶极”相互作用是主导的（d -2）。此外，在实验上鉴定出单极和偶极方案之间描述单极和偶极方案之间的交叉的临界厚度范围，并通过原子模拟来证实。这些发现与原位研究和基于独立的铁罗薄膜和纳米材料的新设备的开发有关。
温度对双极晶体管特性影响的研究
摘要。电子电路板的温度升高会对电子电路产生明显的影响，从而导致电路元件的基本参数发生一些变化。本文旨在研究和分析高温对双极晶体管静态和动态特性的影响。这项研究是通过在不同温度下研究和分析 NPN BJT 晶体管 2SC2120 的几个参数进行的实验。结果表明，随着温度从 25 °C 升高到 130 °C，集电极电流从 0.19 A 显著增加到 0.23 A，电流增益从 0.14 显著增加到 0.22。至于阈值电压，发现其值从 0.6 伏降低到 0.4 伏。结果还表明，对于动态特性，随着温度升高到 130 °C，发射极-基极结的扩散电容从 10.1 nF 增加到 45.02 nF。最后发现，在相同的温度范围内，栅漏结的反向电容从41.4 pF增加到47.3 pF。
对双极钠离子电池的形成和调查Dovil˙eškarnulyt˙e1，Milda Petruleviˇcienje 2，JurgaJuodkazytāe2，Linas Vil
可再生能源以取代常规能源，为气候变化缓解计划做出贡献并实现能源独立性。储能系统是可持续能源系统不可或缺的一部分。目前，储能系统大多依赖于锂离子电池，这些电池价格昂贵，不环保且易燃。因此，正在开发更安全，更便宜，更环保的电池。水电池是锂离子电池的有前途的替代品，但是由于水的电化学稳定窗口狭窄，其能量密度较低[1]。因此，设计了双极NA-ion电池，导致电池和能量密度的电压增加[2]。在这项工作中，钒钛钠（NVTP）用作阳极和阴极，用于形成对称双极NVTP | NVTP硬币类型细胞。使用两层和三个堆叠层组装二极电池，以达到3.6 V的电压。此外，还使用并研究了两个不同组合物的电解质。在图1中。NVTP的电静态电荷排出循环的结果|提出了包含2和3个堆叠层的NVTP硬币类型细胞。可以观察到快速淡出的淡出，这主要是由于破坏和寄生反应问题。双极NVTP的库仑效率，能力保留和自我释放时间|比较了NVTP电池。
可重构双极量子点的色散读数纳米线
“用于现实世界应用和开发的高级材料”将提供非常详细的概述，概述各种功能材料和新兴的高级设备，用于高科技领域的现实世界应用。The course will start with an overview of different classes of functional materials, including semiconductors, nanomaterials, composites, biomaterials, piezoelectric, and thermoelectric materials with a particular focus on their implementation in real-world applications, with main attention to electronic devices, including solar cells, light emitting diodes, transistors, capacitors and sensors.该模块将继续详细说明这些新兴的高级功能材料的必要概念，这些材料将使学生能够解释材料选择，产品设计，设备制造，表征技术，材料翻译，市场趋势及其未来前景的原理。该模块将弥合基本材料科学知识与实现现实世界应用中新型产品设计和制造的实施之间的差距。此外，还将提供许多基于新型功能材料的实际应用的工业和企业案例研究。该模块将在学生中发展各种不同的能力和技能，使他们能够为未来的企业冒险，行业的就业工作做好准备，并在博士层面进行进一步的研究