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偶极-偶极相互作用辅助量子点自组装用于高效发光二极管
当前最先进的量子点发光二极管的外部量子效率受限于较低的光子输出耦合效率。采用纳米棒、纳米片和点盘纳米晶体等取向纳米结构的发光二极管有利于光子输出耦合；然而，它们的内部量子效率往往会受到影响，因此实现净增益一直颇具挑战性。本文报道了各向同性形状的量子点，其特征是由纤锌矿相和闪锌矿相组成的混合晶体结构。纤锌矿相促进偶极-偶极相互作用，从而使溶液处理薄膜中的量子点定向，而闪锌矿相则有助于提升电子态简并度，从而实现定向光发射。这些特性的结合在不影响内部量子效率的情况下改善了光子输出耦合。制备的发光二极管的外部量子效率为 35.6%，并且可以在初始亮度为 1,000 cd m –2 的情况下连续运行 4.5 年，性能损失最小约为 5%。
极化子跳跃在所有无定形阴极电致色素氧化物中诱导的双波段吸收
图1个极化子跳跃在WO 3中诱导的双波段吸收。A在不同时间间隔的GalvanoStatic电荷插入后WO 3膜的原位光学透射率。b，在450 nm（表示可见范围）和1100 nm（代表NIR范围）的WO 3膜的电荷能力的函数。c，od光谱是波长的函数，以及北极理论的吸收系数的理论计算。理论曲线已分解为下两个面板中的两个偏振子峰。d，在电荷插入过程中在不同时间的WO 3（W 4 F峰）膜的XPS光谱。e，d中XPS光谱得出的相应的W值的比例。XPS光谱和其他电荷插入状态的比例可在图中看到S6。f，C（A 1，A 2;左侧尺度）的两个峰的振幅显示为LI插入时间的函数，并将其与位点饱和理论获得的跳跃效率（H.E;右手尺度）相比。H.E.通过45分钟XPS的插值在D下降到零，从而获得了15和30分钟的点。
项目 2021-07 - 极寒天气...
– I2 发电资源（包括发电机端子）通过升压变压器的高压侧连接到 100 kV 或以上的电压：a) 单个总铭牌额定值大于 20 MVA。或者，b) 工厂/设施总铭牌额定值大于 75 MVA – I4 分散式发电资源，总容量大于 75 MVA（总铭牌额定值），并通过一个系统连接，该系统主要用于将这种容量输送到电压为 100 kV 或以上的公共连接点 o BES 定义中确定的黑启动资源，包含 I3 适用性部分未规定的排除
MIL-HDBK-217F - TQU GROUP
6： 分立半导体 分立半导体，简介 ................................................................00.......... 二极管，低频 ..............................................................................................， 二极管，高频（微波，RF） ................................................................ 晶体管，低频，双极 ........................................................................................ 晶体管，低频，Si FET ........................................................0................................ 单结晶体管 ................................................................................................ 晶体管，低噪声，高频，双极 .............. G O.*......**.*.......................... 晶体管，大功率，高频，双极 .......0..... ........................................ 晶体管，高频，GaAs FET ............ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . ....... ....... ....... ....... ....... .......
MIL-HDBK-217F
6：分立半导体 分立半导体，简介 ................................................................00.......... 二极管，低频 ..............................................................................................， 二极管，高频（微波，RF） ................................................................ 晶体管，低频，双极 ........................................................................................ 晶体管，低频，Si FET ........................................................0................................ 晶体管，单结 ........................................................................................................ 晶体管，低噪声，高频，双极 .............. G O.*......**.*..........................晶体管，高功率，高频，双极 .......0..... ........................................ 晶体管，高频，GaAs FET ............ ...........0。 。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
锂极48V- PowerPoint的存在
电池型48V / 105 AH技术锂 /磷酸铁（LIFEPO4）标称电压48 V级额定容量105 AH额定能量5,040 kWhnº在80％SOH 5000 SOH 5000 SOH 5000 SOH 5000的循环。40,5V Maximum discharge voltage 54 V Recommended discharge current (0.5C) 50 A Maximum discharge current (at 1C) 100 A Fuses 250 A Charge Max charging voltage 54,00 V Recommended charging voltage Range 51,75 V - 53,2 V Recommended charging current (0.7C) 70 A Temperature Charging Temperature 0 ºC to 55 ºC Discharging Temperature -20 ºC to 55 ºC Mechanic Connections 1组螺栓连接器保护等级IP65
极寒及冬季天气 | 更新 #2
执行摘要 北极气团正在影响美国中部，从加拿大边境向南一直到德克萨斯州带来了降雪、冰冻和极寒天气，导致冬季电力需求创下历史新高，并影响了发电量。德克萨斯州电力可靠性委员会 (ERCOT) 已指示公用事业公司自周一早上起在德克萨斯州实施受控停电以管理负荷。西南电力联盟 (SPP) 和中部大陆独立系统运营商 (MISO) 也在周一和周二实施了受控停电。预计北极气团将在本周剩余时间内继续影响该地区，预计周三德克萨斯州将出现更多冬季天气。电力行业摘要
实施计划-项目2021-07极寒...
参见主题可靠性标准。背景项目 2021-07 的目的是制定可靠性标准，通过改善极端寒冷天气下的运营、准备和协调来提高大容量电力系统 (BES) 的可靠性，正如联邦能源管理委员会 (FERC)、NERC 和区域实体联合工作人员对 2021 年 2 月极端寒冷天气事件的调查（“联合调查报告”）所建议的那样。1 2021 年 2 月事件从 2021 年 2 月 8 日至 20 日，极端寒冷天气和降水导致大量发电机组停电、降额或无法启动，从而导致能源和输电紧急情况（称为“事件”）。事件总稳定负荷削减是美国历史上最大的受控稳定负荷削减事件，也是继 2003 年 8 月东北部停电和 1996 年 8 月西海岸停电之后停电兆瓦 (MW) 负荷数量第三大的事件
MIL-HDBK-217F-Notice2.pdf - 无 MTBF
分立半导体。简介 .................................................................................... 二极管。低频 ...................................................................................................... 二极管。高频（微波、射频） ........................................................................ 晶体管。低频。双极 ...................................................................................... 晶体管。低频。Si FET ............................................................................. 晶体管，单结 ...................................................................................................... 晶体管，低噪声、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高功率、高频、双极 ............................................................................. 晶体管，高频、GaAs FET ............................................................................. 晶体管，高频、Si FET ............................................................................. 晶闸管和 SCR ............................................................................................................. 光电子学、检测器、隔离器、发射器 ............................................................................. 光电子学、字母数字显示器 ............................................................................. 光电子学、激光二极管 .............................................................................
