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从硅 - 隔离器微林中的G中心合奏中的腔体增强零值发射
hal是一个多学科的开放访问档案，用于存款和传播科学研究文件，无论它们是否已发表。这些文件可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
基于硅的量子发射器的电子状态的应变工程
硅发光复合缺陷已被认为是基于在电信波长下工作的自旋和光子自由度的量子技术的潜在平台。它们在复杂设备中的集成仍处于起步阶段，并且主要集中在光萃取和指导上。在这里，通过应变工程来解决与碳相关杂质的电子状态（G-Centers）的控制。通过将它们嵌入绝缘体上的硅斑块中，并以罪恶将它们嵌入[001]和[110]方向上，并显示出对零声子线（ZPL）的受控分裂，这是由压电镜理论框架所解释的。分裂可以大至18 MeV，并且通过选择贴片大小或在贴片上的不同位置移动来调整它。一些分裂的，紧张的ZPL几乎完全极化，相对于平流区域，它们的总体强度可提高7倍，而它们的重组动力学略有影响，因为缺乏purcell效应。该技术可以扩展到其他杂质和基于SI的设备，例如悬浮桥，光子晶体微腔，MIE谐振器和集成的光子电路。
使用185例克莱恩 - levin综合征患者的18F-氟脱氧葡萄糖正电子发射断层扫描/计算机断层扫描的功能性脑成像：早期标记？
kleine – Levin综合征是一种罕见的疾病，其特征是重新呼吸症的复发性发作，认知障碍，伴奏，脱离和行为扰动。在发作之间，大多数患者的睡眠，情绪和行为正常，但在脑功能成像中可能存在一些残留异常。 however, the frequency, localization and significance of abnor- mal imaging are unknown, as brain functional imaging have been scarce and heterogenous [including scintigraphy 18F-fluorodeoxyglu- cose positron emission tomography/computerized tomography (FDG-PET/CT) and functional MRI during resting state and cognitive ef- fort] and based on case reports or on group analysis in small groups.使用在克莱恩 - 列文综合征诊断时的18F-氟脱氧葡萄糖正电子发射断层扫描/计算机断层扫描术的视觉分析，我们检查了一项横截面研究中虚弱和超级代谢的频率，定位和临床决定因素。在179例Kleine-Levin综合征患者中，接受了18F-氟脱氧葡萄糖正电子发射断层扫描/计算机断层扫描，视觉分析仅限于在无症状期间研究的138名未经治疗的患者。多达70％的患者患有缺失代谢，主要影响后缔合皮质和海马。缺乏代谢与年龄较小，最近（<3年）的病程和上一年中较高的发作有关。在该疾病开始时，低代谢率更广泛（从左边的枕骨连接到整个同型外侧，然后是双侧后缔合性皮层）。相比之下，前额叶背侧皮层有多代谢，其中一半的患者（几乎所有患者在后部地区都有伴随性的低甲状酸酯），这也与年龄较小和较短的疾病病程有关。认知表现（包括情景记忆）在患有海马低代谢的患者中相似。总而言之，在无症状kleine – levin综合征期间，对18F-氟脱氧葡萄糖正电子发射断层扫描/计算机化的tomog-raphy的个人视觉分析经常观察到低代谢。它主要影响后缔合皮质和海马，主要是在最近发病的年轻患者中。低代谢在克莱恩 - levin综合征的第一年期间提供了特征标记，这可以在诊断过程中帮助临床医生。
从振动镜和多光子纠缠产生的双侧光子发射
量子自旋液体是量子物质的外来阶段，尤其与许多现代冷凝物质系统有关。dirac自旋液体（DSL）是一类无间隙的自旋液体，它们没有准粒子描述，并有可能在2 d晶格上的各种自旋1/2磁系统中实现。尤其是，在低能量下，（2 + 1）d量子型动力动力学在低能量上描述了平方晶格旋转1 /2磁体中的DSL，N f = 4 f = 4个无质量的dirac fermions的风格，最少耦合到出现的u（1）球场。存在相关的，对称性允许的单极扰动使得正方形晶格上的DSL本质上不稳定。我们认为，DSL描述了熟悉的Neel相（或价键固体（VBS）相）内的稳定连续相变。换句话说，DSL是物质单阶段内的“不必要”量子关键点。我们的结果提供了方形晶格DSL的新型视图，即临界旋转液体可以存在于Neel或VBS状态本身内，并且不需要离开这些常规状态。
通过在脉冲激光沉积在Si基板上的脉冲激光层中的稀土掺杂微发射器
稀土发射器已在集成的光学源中研究了一段时间，作为激光源[1]和带有眼镜[2，3]或聚合物[4]的波导放大器。最近，它们被整合到互补的金属氧化物半导体（CMOS）驱动或兼容的SI光子芯片中，作为激光源[5]，放大器[6，7]以及调节剂[8，9]。稀土发射器为开发新的主动光学功能的可能性提供了许多可能性，该功能最初集中于第四组[10]或III-V材料[11，12]。然而，需要在硅平台上的有效掺入（例如粘结[13]，掩盖沉积[5，14]，额外的层[15]或蚀刻[16，17]，需要复杂的处理，这对实际应用可能是昂贵且有害的。尤其是Y 2 O 3和Al 2 O 3矩阵的情况，它需要电感耦合等离子体优化的蚀刻[18-20]。在这项工作中，我们提出了稀土掺杂层微发射体的创新设计，而无需使用升降加工与脉冲激光沉积（PLD）结合使用。在通过掩模（例如g。photoresist）的升降过程中，通过蚀刻的经典结构进行了蚀刻的经典结构，但在升降过程中，将材料与沉积的材料一起清除。这种方法比蚀刻更容易，避免沿蚀刻的侧壁潜在损害。尽管非常有吸引力，但提升过程的主要缺点之一是沉积过程中的底物温度。pld允许克服这种限制。升降处理是薄层图案（例如金属）或较厚层的微电子中常规的，具有低温沉积（如溅射）[21]，原子层[22]或玻璃沉积[23]。的确，如果底物温度高于200°C（即光固定剂的硬烘烤温度），则提升处理不能成功。PLD是一种通常用于
单光子发射器向量子技术迈进了一步
研究人员表示：“GaN/AlN 量子点的一个非常吸引人的特征是它们属于 III 族氮化物半导体家族，即固态照明革命（蓝色和白色 LED）背后的家族，其重要性在 2014 年获得了诺贝尔物理学奖。”“如今，就消费市场而言，它是仅次于硅的第二大半导体家族，主导着微电子行业。因此，III 族氮化物受益于坚实而成熟的技术平台，这使得它们在量子应用开发中具有很高的潜在价值。”
调整两个相干耦合量子发射器的超辐射和亚辐射性质
量子纠缠态的控制和操纵对于量子技术的发展至关重要。一种有前途的途径是通过它们的光学偶极-偶极相互作用耦合固态量子发射器。纠缠本身就具有挑战性，因为它需要发射器之间的纳米距离和近乎简并的电子跃迁。在这里，我们实施高光谱成像来识别耦合的二苯并蒽分子对，并通过使用斯塔克效应调整分子光学共振来找到最大纠缠的超辐射和亚辐射电子态的独特光谱特征。我们展示了使用振幅和相位定制的激光场对长寿命亚辐射离域态进行远场选择性激发。耦合分子的光学纳米显微镜揭示了由其激发路径中的量子干扰引起的空间特征，并揭示了每个发射器的位置。受控电子态叠加将有助于破译由相干耦合控制的更复杂的物理或生物机制并开发量子信息方案。
放射性碘标记的鲁卡帕尼类似物作为俄歇电子发射体用于癌症治疗
然而，EBRT 对治疗转移性或隐匿性场外疾病无效 [3]，[4]。在过去的几十年里，放射性配体疗法 (RLT) 已成为抗击癌症的一种有前途的工具 [5]。RLT 与传统 EBRT 有显著不同：放射性标记化合物通过肠外或口服给药，定位到肿瘤组织，在那里以 α、β 或俄歇电子 (AE) 粒子的形式发射电离辐射 [6]。这会导致 DNA 损伤、肿瘤细胞死亡和肿瘤消退。123I 发射短程俄歇电子，将其能量沉积在纳米距离内，从而产生高线性能量转移 (LET) [7]。因此，放射性药物定位到其最有效靶点附近至关重要，即肿瘤细胞核内的 DNA。这也避免了对周围健康细胞的潜在交叉影响 [8]。为了实现将发射俄歇电子的放射性核素选择性地递送至肿瘤以治疗癌症，需要将放射性核素附着到靶向配体上 [9]。由于 PARP-1 的核定位，选择性 PARP 抑制剂似乎是俄歇电子发射放射性核素载体的极佳候选者 [10]。
角度和极化选择性自发发射在染料掺杂的金属/绝缘体/金属纳米腔
摘要。在本文中，我们提出了一项活动，以介绍公钥加密PHY的概念，并使服务前的STEM教师探索基本信息学以及Mathemati Cal概念和方法。我们遵循教义工程方法中的教学情况理论（在数学教育研究中广泛使用），以使用图形设计和分析有关不对称加密的教学情况。遵循教学工程的阶段，在对内容的初步分析，教学环境的限制和构成之后，我们对情况进行了构思和分析，并特别关注环境（学生可以与学生互动）以及对教学变量的选择。我们讨论了他们对参与者详细说明加密信息所需的解决问题策略的影响。我们实施了我们的情况并收集了定性数据。然后，我们分析了后验参与者使用的不同策略。A后验分析与先验分析的比较显示了活动的学习潜力。要详细阐述不同的解决问题的策略，参与者需要探索和理解数学，信息学和两个学科的前沿中的几种概念和方法，并在不同的符号簿之间移动。
垂直腔体发射激光器具有改善的宽温度依赖性
垂直腔体发射激光器（VCSEL）是高性能计算系统，数据中心和其他短距离光学网络中高速和功率短得分光学互连（OIS）的首选光源。这样的OI通常在0至70°C的温度范围内运行。但是，基于VCSEL的OIS的某些新兴应用，例如在某些军事系统中的汽车光学网络和光网络中，需要在温度范围更大的温度范围内运行，例如从 - 40到125°C。VCSEL是OI温度最敏感的组件，并且成本和功率效率所需的未冷却/未加热的操作需要降低温度依赖性的VCSEL，在温度范围更大的情况下运行。VCSER性能的温度依赖性源于光谱和共振波长偏移之间的光学增益和不匹配的变化。减轻这些效果的方法包括使用具有适当增益式失调的VCSEL和增益工程，以扩大光学增益频谱。本文研究了在大温度范围内优化运行的850 nm VCSEL。关键研究包括阈值 - 旧电流与性能参数（纸张A）的相关性和chire QW VCSels的设计，以稳定跨温度（Pa-per）。洞察设计为极端环境设计强大的VCSEL。