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37 硅缺陷的拉曼光谱...
众所周知，几乎所有半导体器件的制造工艺路线都伴随着各种低温和高温处理循环，这不可避免地会导致各种缺陷的形成，并对硅缺陷结构的发展和为改变半导体材料性能而引入的杂质形成的深中心（DC）的形成产生重大影响（Abdurakhmanov等人，2019年；Utamuradova等人，2006年；Utamuradova等人，2023年）。在生产各种结构和器件的半导体晶片的技术加工过程中，缺陷之间会发生各种相互作用，这些相互作用主要由晶格中具有最大迁移率的点缺陷决定（Normuradov等人，2022年；Turgunov等人，2020年）。晶体中的点缺陷是各种掺杂不受控制的技术杂质，它们既存在于间隙位置，也存在于替代位置，以及结构晶格缺陷 - 弗伦克尔对、空位和间隙原子。结构
基于…的一维光子晶体波导
摘要 — 在本文中，我们介绍了一种 TM 偏振 C 波段的一维光子晶体条带波导 (1D-PCSW)。波导结构基于绝缘体上硅平台，使用标准 CMOS 技术即可轻松实现。通过 3D 有限元法 (FEM) 进行了数值研究。通过优化器件的几何参数，提高了透射率和偏振消光比 (PER)。因此，TM 偏振光可以在波导中传播，在整个 C 波段电信波长窗口内损耗约为 2 dB，而 TE 偏振光的传输损耗高达 >30 dB。因此，在整个 C 波段波长范围内可获得 ~28.5 dB 的 PER。所提出的器件的总长度约为 8.4 µm，包括两端的 1 µm 硅条带波导段。基于本文的研究，可以实现需要严格偏振滤波的多种光子器件。
接触材料和几何形状 - NIST 的 TSAPPS
外延石墨烯 (EG) 器件中的量子效应使得量子霍尔效应 (QHE) 电阻在 R H = R K / 2 = h /2 e 2 处达到稳定的水平，其中 R H 是霍尔电阻，R K 是冯·克利青常数 [1]–[3]。通过使用串联和并联连接作为构建块，我们可以构建量子霍尔阵列电阻标准 (QHARS)，以提供多个量化电阻值 [4]–[9]。然而，基于多个量化霍尔电阻 (QHR) 器件的电阻网络通常会受到接触和互连处累积电阻的影响。在本文中，我们表明，通常在四个端子处测量以获得高精度的量化电阻也可以在应用超导分裂接触时通过消除不需要的电阻在两个端子处测量。虽然 QHE 器件的多串联 (MS) 互连已经得到了广泛的研究
综述文章 用于智能计算的铁电器件
近年来，晶体管的尺度不断逼近物理极限，阻碍了计算能力的进一步发展。后摩尔时代，新兴的逻辑和存储器件成为扩展智能计算能力的基础硬件。本文综述了用于智能计算的铁电器件的最新进展。首先阐明了铁电器件的材料性质和电学特性，然后讨论了可用于智能计算的新型铁电材料和器件。全面回顾和比较了用于低功耗逻辑、高性能存储器和神经形态应用的铁电电容器、晶体管和隧道结器件。此外，为了为开发基于高性能铁电的智能计算系统提供有用的指导，本文讨论了实现超大规模铁电器件以实现高效计算的关键挑战。
计算电子在半导体纳米结构中停留时间的数值方法
摘要 半导体器件的操作速度在一定程度上取决于电子通过半导体纳米结构的时间。然而，由于量子力学中对传输时间的定义存在争议，以及电子在半导体器件中遇到的有效势函数复杂，传输时间的计算十分困难。本文基于改进的传输矩阵法数值求解薛定谔方程，并利用HG Winful关系计算停留时间，开发了一种数值方法来评估电子在半导体器件中的传输时间。与精确可解析的矩形势垒情况相比，所建立的数值方法精度高，误差小，可用来研究半导体器件的动态响应和操作速度。所提出的数值方法成功地应用于电子在双矩形势垒中的停留时间的计算，并揭示了传输时间与势垒数量的依赖关系。
量子密钥分发系统的通用模拟框架
摘要 量子密钥分发 (QKD) 提供了一种基于物理的方法来安全地协调远程用户之间的密钥。模拟是设计和优化 QKD 系统的重要方法。我们开发了一个基于光子信号和光学器件的量子算子描述的通用模拟框架。光学器件可以自由组合并由光子激发事件驱动，这使其原则上适用于任意 QKD 系统。我们的框架侧重于光学器件和系统结构的实际特性。建模时考虑了器件的缺陷和量子系统的非局部特性。我们模拟了单光子和 Hong-Ou-Mandel (HOM) 干涉光学单元，它们是 QKD 系统的基础。使用该事件驱动框架的结果与理论结果一致，表明其用于 QKD 的可行性。
MXD8721 – 0.5-6.0GHz SPDT 开关
注意：长时间处于最大额定条件下可能会降低器件的可靠性。如果只有一个参数设置为极限值，而所有其他参数都设置为标称值或低于标称值，则器件不会受损。超过此处列出的任何限制都可能导致器件永久损坏。
材料进展 - RSC 出版
由于单结钙钛矿太阳能电池（PSC）器件的光电转换效率（PCE）从3.8％1提高到25.7％2，作为最有前途的光伏器件之一，吸引了全世界的目光。然而，电极材料（如金或银）和有机空穴传输材料（如2,2 0 ,7,7 0 -四[N,N-二（4-甲氧基苯基）氨基]-9-9 0 -螺二芴，螺-OMeTAD）的成本较高，一定程度上限制了其商业化。碳的功函数（5.0 eV）与金的功函数（5.1 eV）相近3，理论上可以替代金作为PSC器件的对电极。2014年，H. Han教授等在Nature Communications上发表了题为“Better to the PSC”的文章。首次提出了一种基于碳电极的新型无HTM（空穴传输材料）全可印刷介观钙钛矿太阳能电池（p-MPSC）。4