市场新闻6微型芯片收入达到2024年的23亿美元微电子新闻8 Qorvo,以创建异质的集成包装RF生产和原型化中心; acquires UWB software provider 7Hugs Labs • Imec's Advanced RF program to develop 6G device technology Wide-bandgap electronics News 16 ROHM and UAES open joint lab in Shanghai •Infineon launches first 1200V transfer-molded SiC integrated power module •GTAT to supply SiC boules to Infineon •DENSO adopts SDK's 150mm SiC epiwafers Altum wins two-year ESA合同•HRL目标是首先W波段N极高的低噪声放大器•EPC增强了欧洲销售团队•200mm Wafers材料和加工设备新闻35 AXT合并Boyu和Jinmei的IGAN和A-PRO共同开发650V GAN设备;从Dingxing•GlobalWafers接管Siltronic•Umicore合格的VCSELS 6英寸GE Wafers•IQE开发IQGEVCSEL 150技术;创始人纳尔逊(Nelson)将放弃首席执行官角色•血浆 - 塞姆(Plasma-therm)获得OEM的PVD,RTP和Etch Business Led News 52 Aledia在300mm硅Wafers上生产首个微型筹码•Porotech•Porotech推出了首个原住民Red Ingan LED Epiwafer for Micro-Newss•Osram unde usram unde usirs•OSR uviirs usecers•OSR uv-cyers usectron uv-cyecron uv-cyecron uv-cyers usecron uv-cyecron, SLD Laser •ROHM develops VCSEL module technology • NUBURU raises $20m • Hitachi High-Tech acquires VLC Photonics Optical communications News 68 POET unveils first flip-chip directly modulated lasers • Lumentum acquires TriLumina assets •Ayar Labs raises $35m • Lumentum sampling first 100G PAM4 directly modulated lasers Photovoltaics News 86 NREL和UNSW提高了两连通效率的记录,至32.9%
市场新闻 6 功率半导体器件需求上升,推动宽带隙市场发展 微电子新闻 8 Fraunhofer IAF 报告创纪录的 640GHz InGaAs MOSHEMT 晶体管 •富士通荣获 IEEE HEMT 里程碑奖 •Qorvo 融资 2 亿美元 宽带隙电子新闻 14 SiCrystal 将向 ST 供应价值 1.2 亿美元的 150 毫米 SiC 晶圆 •II–VI 签署协议,供应价值 1 亿美元的 SiC 基板 •住友开始生产 150 毫米 GaN-on-SiC •GaN Systems 从 SPARX 获得资金 •IVWorks 融资 670 万美元 •GaN 电源充电器在 CES 上展出 •JST 的 NexTEP 计划生产基于 THVPE 的块状 GaN 生长设备 材料和加工设备新闻 33 Shin-Etsu 获得 Qromis 的 GaN 基板技术许可 •Aixtron 获得 PlayNitride 的 μ LED 生产资格 •BluGlass 和 Luminus合作评估 RPCVD 隧道结级联 LED LED 新闻 42 Plessey 在硅上开发原生红色 InGaN LED,用于 μ LED 显示屏 • TowerJazz 与 Aledia 合作开发纳米线 LED 工艺 • MICLEDI 从 imec.xpand、PMV、FIDIMEC 融资 450 万欧元 • Nakamura 将获得 NAS 奖 光电子新闻 43 TDK 投资 SLD Laser • ON Semi 与 SOS LAB 合作开发 LiDAR • Ambarella、Lumentum 与 ON Semi 合作开发 3D 感应 光通信新闻 51 II–VI 在 150mm GaAs 上推出高速数据通信 VCSEL,用于消费电子产品中的光纤 HDMI 电缆 PV 新闻 58 晶科能源与上海空间电源研究所合作
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n近年来,使用CMOS兼容的过程制造硅光子IC(SI PIC)已使具有光学和电函数性具有成本效益的硅芯片的开发。1 - 5)这项技术是光子学 - 电力融合的高性能平台,可在各种行业提供有希望的应用。6 - 9)为增强硅光子学的整合和功能密度,已提出异质和杂交整合方法,以将各种材料系统与单个包装中的各种材料系统相结合。10,11)但是,基于PIC的模块的总成本受到测试,组装和包装过程的影响,这可能占常规INP PIC模块的总成本的80%。12,13)仅产品测试可贡献总成本的约29%,14)对于较不发达的硅光子技术技术,该图可能会增加到约60% - 90%。15)因此,减少测试,组装和包装成本对于降低基于SI PIC模块的整体成本至关重要。先前的研究采用了两种主要策略来降低测试成本:利用增强的测试结构,16)并增强了测试过程的自动化水平。14)在图片中,一种普遍的测试方法涉及信号通过具有不平衡分裂比的定向耦合器(例如99:1)。这种构造允许99%的信号正常通过波导,而1%的信号被击倒到测试分支。21)17)开发信号通常通过表面耦合器耦合到测试设备,从而促进了自动晶圆级测试系统用于原位和筛选测试的利用。18)然而,在组装和包装阶段,表面光栅耦合器(GCS)在带宽,极化和效率方面遇到限制。19)相比之下,利用点尺寸转换器(SSC)的边缘耦合提供了优点,例如带宽的带宽,降低极化敏感性和增强的耦合效率。20)然而,边缘耦合预先挑战,例如与SSC相关的较大足迹,固定的耦合位置,有限的对齐耐受性和耦合方面的严格规范。
摘要:功率转换效率(PCE)是评估太阳能电池的输出特性的主要参数。抗反射涂层(ARC)起着抑制太阳能电池表面的光损失的作用,从而增强了PCE。本文研究了晶体硅(C-SI)太阳能电池上双层抗反射涂层(DLARC)的不同材料。使用PV Lighthouse软件的晶圆射线示踪剂完成模拟硅太阳能电池的总体过程方法。检查了具有不同类型的双层的五个光捕获(LT)方案。c-Si的最大电势光电密度(J MAX)用ARC显示出比参考c-Si(无弧)的J max的改善。lt方案II:SIO 2 /TIO 2产生J Max的最大值,其中该值为42.20 mA /cm 2。这表明方案II具有最高的J MAX增强功能,值为10.01%。这一发现意味着DLARC适用于减少光损失,因此有效地提高了太阳能电池的性能。关键字:光伏,太阳能电池,抗反射涂层,光捕获,射线跟踪1。简介
表1显示了HS-8005系列阵容。为了减少划痕,日立化学化学已经开发了各种具有优化粒径和分布的产品。使用HS-8005-X3,抛光划痕可以减少到HS-8005的1/10或更少。我们建立了生产技术,以精心控制粒度和陶瓷颗粒的分布,以提供稳定的优质产品,并拥有陶瓷泥浆市场的全球最高份额。为了满足进一步减少刮擦的要求,Hitachi Chemical以NC系列形式开发了超细颗粒,以进行下一代浆液。虽然将常规的陶瓷颗粒粉碎以进行微插曲,但NC系列颗粒的大小是通过晶体生长法的泥浆,由于大尺寸颗粒而导致的划痕最小化。图3显示了HS-NC和HS-8005的外观。HS-NC是一种超细,透明的纳米级粒子。
north-slope.org › uploads › 2022/03 PDF 声纳浮标系统.... .9-55 ... 无线电接收和录音系统。... 约 1 瓦,在 31 个标准宽带之一上传输。
致所有相关方:美国陆军工程兵团 (USACE) 移动区请求您审查并评论拟议的水生植物管理,佛罗里达州梅里特磨坊池塘。环境评估草案的副本位于以下网站:https://www.sam.usace.army.mil/Missions/Planning-Environmental/Environmental-Assessments/。该文件正在分发给资源机构和感兴趣的公众成员,为期 15 天的评论期。拟议的行动包括两个部分:1) 利用罗丹明 WT 示踪染料进行水交换研究和 2) 进行除草剂处理以控制入侵水生植物。与美国协调鱼类和野生动物管理局和佛罗里达州历史保护官员正在进行中。有关本环境评估草案的通信应通过电子邮件发送给 Velma Diaz 女士,地址为 velma.f.diaz@usace.army.mil,或邮寄至美国陆军工程兵团,莫比尔区,CESAM-PD-EI,收件人:Velma Diaz 女士,邮政信箱 2288,阿拉巴马州莫比尔 36628。评论必须在本通知发布之日起 15 天内收到。
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