“自然发展了一些有史以来最精致,最先进的材料。这些天然发生的纤维的物理,机械和化学特性可以帮助解决我们面临的许多工程挑战,但是没有人能够使用诸如静电纺丝和湿旋转的现有技术在工业范围内制造这些生物纤维,”加拿大弗拉姆普顿(John Frampton)博士在Dalhousie和Bi Bioficific官员的加拿大生物生物生态学研究主席说:“使用静电纺织品和湿旋转旋转。“我们的3D生物纤维团队已经解决了使用专有的可扩展过程制作高质量生物纤维的问题,该过程已经比当前技术高至少600倍。迄今为止,制造量表的问题限制了这些生物复合材料的工业应用。凭借我们扩展生产的能力,我们希望改变生物复合市场!”
范围和章节大纲 本章旨在简要概述晶圆级封装 (WLP),包括晶圆级芯片规模封装 (WLCSP) 和扇出型封装,作为这些技术未来发展路线图的背景。本文并非旨在提供详细的历史,也不是与这些技术相关的所有可能的结构、工艺和材料的详细描述。在有关该主题的各种文章和书籍中可以找到更详细的信息。本章试图回顾 WLP 技术迄今为止的发展,并预测未来的需求和挑战。 晶圆级封装是指在晶圆仍为晶圆时对芯片进行封装,可以单独封装,也可以与其他芯片或其他组件(例如分立无源器件)或功能组件(例如微机电系统 (MEMS) 或射频 (RF) 滤波器)组合封装。这允许使用异构集成进行晶圆级和面板级封装。尽管从定义上讲,WLP 历来都是使用直径为 200 毫米或 300 毫米的圆形晶圆格式生产的,但多家供应商正在将类似的制造方法扩展到矩形面板格式。这将允许不仅在晶圆级基础设施(晶圆级封装,或 WLP)上制造异构封装,而且还可以在面板级基础设施(面板级封装,或 PLP)上制造异构封装。本章将包括异构集成路线图 (HIR) 的 WLP 和 PLP 格式。本章分为 7 个部分:1. 执行摘要 2. 晶圆级封装的市场驱动因素和应用 3. 晶圆级封装概述:技术、集成、发展和关键参与者 4. 技术挑战 5. 供应链活动和注意事项 6. 总结、最终结论和致谢 7. 参考文献
摘要:化脓性链球菌 Cas9 蛋白 (SpCas9) 是微生物中基于 CRISPR 的免疫系统的一个组成部分,已广泛用于基因组编辑。该核酸酶与向导 RNA (gRNA) 形成核糖核蛋白 (RNP) 复合物,从而诱导 Cas9 结构变化并触发其切割活性。在这里,电子圆二色性 (ECD) 光谱用于确认 RNP 的形成并确定其各个组成部分。ECD 光谱具有区分 Cas9 和 gRNA 的特征,前者显示出负/正谱,最大值位于 221、209 和 196 nm,而后者显示出正/负/正/负模式,条带分别位于 266、242、222 和 209 nm。首次展示了 gRNA:Cas9 RNP 复合物的实验 ECD 光谱。它表现出双标记正/负 ECD 偶联,最大值位于 273 和 235 nm,并且与每个 RNP 成分的单独光谱有显著不同。此外,Cas9 蛋白和 RNP 复合物在 ECD 测量后仍保留生物活性,并且它们能够在体外结合和裂解 DNA。因此,我们得出结论,ECD 光谱可被视为一种快速且无损的方法,用于监测 Cas9 蛋白因 Cas9 和 gRNA 相互作用而发生的构象变化,以及鉴定 gRNA:Cas9 RNP 复合物。
半导体行业是新加坡的主要制造业之一;占2014年制造总价值的17.6% - 该行业雇用了3600名工人,约占电子劳动力总数的53%。今天,新加坡是世界上三大晶圆铸造厂的所在地,全球四家顶级外包组装和测试服务公司,以及世界上9家顶级女装的半导体公司。其中一些公司包括Broadcom,NXP,Mediatek,Micron Semiconductor Asia PTE Ltd,United Microelectronics Corporation,STATS CHIPPAC,QUAPCOM,Qualcomm和Silicon Manufacturing Company的系统。在2013年,我们的晶圆厂每月生产约100万个晶圆,在全球范围内约有10个晶圆的晶圆。工作详细信息:
根据与诺斯罗普·格鲁曼公司的协议,合作者将有一段预定的时间(“设计期”),使用诺斯罗普·格鲁曼公司提供的模型和 PDK 进行设计。设计期结束后,合作者需要在规定的截止日期前向代工厂提交设计,以便将其设计纳入工厂运行。合作者还需要提交其设计和文档,以便在 STARRY NITE IP 存储库中存档。一旦掩模完成流片,诺斯罗普·格鲁曼公司将使用该掩模制造晶圆。请注意,诺斯罗普·格鲁曼公司不会对电路进行直流或射频测试;整个工厂流程中都会测量掩模上的过程控制监视器 (PCM) 结构。b. 合作者同意公布设计提交和掩模流片时间表。c. 请注意,美国政府对哪些设计将投入生产拥有最终决定权
1992 年在砂拉越的实地考察是在重要个人和组织的帮助下完成的。首先,我要衷心感谢砂拉越博物馆对我的实地研究的监督,特别是现任馆长 Peter Kedit 博士提供的实用建议和当地知识。我还要感谢其他乐于助人的博物馆工作人员,即 Tazudin Mohtar、Clement Sabang、Tuton Kaboy、Magdaline Kuih 和图书馆工作人员。砂拉越旅游协会(特别是 Rose Tan)和环境与旅游部旅游协调员 Denis Hon 提供了有关旅游的宝贵信息。我要感谢古晋的许多商业旅行社和导游,他们允许我参加 Than 长屋之旅,邀请我分享旅游餐,并分发游客调查表。我特别感谢亚洲陆上服务公司的 Ngu Ka Sen 的支持,这对我在 Nanga Stamang 的实地研究有很大帮助。
我们有 4 间化妆室,尺寸为 3000 毫米 x 4000 毫米,配有化妆台和镜子,每间化妆室有 8 把椅子、一个服装栏杆,可舒适地容纳 4 - 8 人。化妆室对演出接力进行本地控制。化妆室旁边有卫生间和淋浴设施。化妆室就在主后台走廊旁边。厨房、洗衣房(家用洗衣机和烘干机)、化妆室、厕所、淋浴间和舞台入口都非常近(不会迷路)。从化妆室到舞台的入口是通过场景码头,那里有 USL 和 USR 入口。请参见图 4 底层布局。
半导体价值链容易受到干扰,这对现代经济构成了相当大的风险。更好的数据对于决策者识别瓶颈、监控特定半导体类型的供需平衡以及管理干扰至关重要。本文提出了半导体类型和生产设施的通用分类法,以促进协调的数据收集和共享。该分类法将半导体产品分为四大类——“逻辑”、“内存”、“模拟”和“其他”——并根据其普及程度和特定功能细分为子类别。半导体生产设施根据所使用的技术和生产不同类型半导体的能力、安装的生产能力以及其他相关工厂(和公司)特征进行分类。该分类法将成为半导体生产数据库的基础,并将在未来进行修订,以跟上半导体技术的发展。
本文介绍了一种无需依赖载体晶圆即可直接放置芯片到晶圆的替代方法,该方法专门针对混合键合、3DIC 和集成光子学应用而设计。芯片到晶圆键合是异质垂直集成设备制造中的关键工艺,通常涉及在集成到目标晶圆之前将各个芯片放置到载体或处理晶圆上的中间步骤。这种传统方法增加了成本、复杂性、潜在的兼容性问题和工艺步骤。在本研究中,我们提出了一种简化的工艺,消除了对载体晶圆的需求,从而简化了集成并减少了制造步骤。利用大气等离子清洗,我们清洁并激活芯片和目标晶圆的表面,以促进直接放置键合。通过实验验证,我们证明了这种方法的可行性和有效性。我们的研究结果展示了成功的芯片到晶圆键合,界面污染最小,键合强度增强。此外,我们还探讨了大气等离子清洗参数对键合质量的影响,为工艺优化提供了见解。这项研究为芯片到晶圆键合提供了一种有前途的替代方案,提高了垂直集成电路制造的效率和简便性,特别是在混合键合、3DIC 和集成光子学应用领域。
8 三星电子有限公司三星先进技术研究所 (SAIT),韩国水原 16678 gwanlee@snu.ac.kr 摘要 (Century Gothic 11) 通过化学气相沉积 (CVD) 在具有外延关系的晶体基底(例如 c 面蓝宝石)上合成了晶圆级单晶过渡金属二硫属化物 (TMD)。由于 TMD 外延生长的基底有限,因此需要将转移过程转移到所需的基底上进行器件制造,从而导致不可避免的损坏和皱纹。在这里,我们报告了通过过渡金属薄膜的硫属化在超薄 2D 模板(石墨烯和 hBN)下方的 TMD(MoS 2 、MoSe 2 、WS 2 和 WSe 2 )的异轴(向下排列)生长。硫族元素原子通过石墨烯在硫族化过程中产生的纳米孔扩散,从而在石墨烯下方形成高度结晶和层状的TMD,其晶体取向排列整齐,厚度可控性高。生长的单晶TMD显示出与剥离TMD相当的高热导率和载流子迁移率。我们的异轴生长方法能够克服传统外延生长的衬底限制,并制造出适用于单片3D集成的4英寸单晶TMD。参考文献 [1] Kang, K. 等。具有晶圆级均匀性的高迁移率三原子厚半导体薄膜。Nature 520 , 656-660 (2015).[2] Liu, L. 等。蓝宝石上双层二硫化钼的均匀成核和外延。Nature 605 , 69-75 (2022) [3] Kim, K. S. 等人。通过几何限制实现非外延单晶二维材料生长。Nature 614 , 88-94 (2023)。