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b'one 在某种意义上用 O \xe2\x88\x9a \xf0\x9d\x91\xa1 步量子行走代替经典随机游走的 \xf0\x9d\x91\xa1 步。需要注意的是，量子快进只能以非常小的成功概率产生最终状态。然而，在我们的应用中，它以概率 e \xce\xa9 ( 1 ) 成功。这通过一个富有洞察力的论点表明，该论点根据经典随机游走来解释量子快进的成功概率。也就是说，它对应于经典随机游走从一个随机的未标记顶点开始，在 \xf0\x9d\x91\xa1 步后访问一个标记顶点，但在 \xf0\x9d\x91\xa1 个额外步骤后返回到未标记顶点的概率。我们表明，通过调整游走的插值参数，可以将该概率调整为 e \xce\xa9 ( 1 )。在第 2 节中描述了一些准备工作之后，我们在第 3 节中讨论了算法 1 和主要结果，并在第 4 节中提供了分析的细节。在第 5 节中，我们表明 HT + 和 HT 之间的差距确实可能非常大。我们在 \xf0\x9d\x91\x81 \xc3\x97 \xf0\x9d\x91\x81 网格上构造标记元素的排列，其中 HT + = \xce\xa9 ( \xf0\x9d\x91\x81 2 ) 但 HT = O( \xf0\x9d\x91\x93 ( \xf0\x9d\x91\x81 ))，其中 \xf0\x9d\x91\x93 任意缓慢地增长到无穷大。这表明当有多个标记元素时，Krovi 等人的算法可能严重不理想。原因是他们的算法实际上解决了一个更难的问题：它从限制在标记顶点的平稳分布中采样（在网格的情况下为均匀分布）。因此，当从该分布中采样比仅仅找到一些标记元素困难得多时，他们的算法可能会很慢。在第 6 节中，我们介绍了第二种更简单的新算法，我们推测 2 可以在 O \xe2\x88\x9a' 时间内找到一个标记元素
b'one 在某种意义上用 O \xe2\x88\x9a \xf0\x9d\x91\xa1 步量子行走代替经典随机游走的 \xf0\x9d\x91\xa1 步。需要注意的是，量子快进只能以非常小的成功概率产生最终状态。然而，在我们的应用中，它以概率 e \xce\xa9 ( 1 ) 成功。这通过一个富有洞察力的论点表明，该论点根据经典随机游走来解释量子快进的成功概率。也就是说，它对应于经典随机游走从一个随机的未标记顶点开始，在 \xf0\x9d\x91\xa1 步后访问一个标记顶点，但在 \xf0\x9d\x91\xa1 个额外步骤后返回到未标记顶点的概率。我们表明，通过调整游走的插值参数，可以将该概率调整为 e \xce\xa9 ( 1 )。在第 2 节中描述了一些准备工作之后，我们在第 3 节中讨论了算法 1 和主要结果，并在第 4 节中提供了分析的细节。在第 5 节中，我们表明 HT + 和 HT 之间的差距确实可能非常大。我们在 \xf0\x9d\x91\x81 \xc3\x97 \xf0\x9d\x91\x81 网格上构造标记元素的排列，其中 HT + = \xce\xa9 ( \xf0\x9d\x91\x81 2 ) 但 HT = O( \xf0\x9d\x91\x93 ( \xf0\x9d\x91\x81 ))，其中 \xf0\x9d\x91\x93 任意缓慢地增长到无穷大。这表明当有多个标记元素时，Krovi 等人的算法可能严重不理想。原因是他们的算法实际上解决了一个更难的问题：它从限制在标记顶点的平稳分布中采样（在网格的情况下为均匀分布）。因此，当从该分布中采样比仅仅找到一些标记元素困难得多时，他们的算法可能会很慢。在第 6 节中，我们介绍了第二种更简单的新算法，我们推测 2 可以在 O \xe2\x88\x9a' 时间内找到一个标记元素
通过多相夹杂物实现可拉伸有机硅的均匀导电性
许多软机器人组件需要高度可拉伸的导电材料才能正常运行。这些导电材料通常用作传感器或热响应材料的加热器。然而，可拉伸材料很少，它们可以承受软机器人通常经历的高应变，同时保持焦耳加热所需的电气特性（例如，均匀的电导率）。在这项工作中，我们提出了一种含有液体和固体夹杂物的硅树脂复合材料，它可以在经历 200% 的线性应变时保持均匀的电导率。这种复合材料可以铸造成薄片，使其能够包裹在热响应软材料周围，这些软材料在加热时会增加体积或可拉伸性。我们展示了这种材料如何为电控形状变化的软机器人致动器以及仅由电刺激驱动的全硅树脂致动系统开辟可能性。此外，我们还表明这种可拉伸复合材料可用作其他应用中的电极材料，包括线性响应高达 200% 应变且信号噪声接近于零的应变传感器。
使用决策图自动均匀量子态准备
摘要 — 大多数量子算法在执行所需的特定应用计算之前，都会假设基态叠加中的某些特定初始状态。此类状态的准备本身需要量子电路执行的计算。在本文中，我们研究了特定量子态子集的自动状态准备，这些子集是基态子集的均匀叠加，称为均匀量子态。我们利用此类状态可以用布尔函数表示，并提出一种基于函数分解的递归算法。当使用二元决策图作为函数表示时，我们可以根据决策图的大小实现快速且可扩展的量子态准备。我们表明，该算法可以为函数找到量子电路，而最先进的算法不再适用。索引术语 — 量子计算、量子态准备、布尔函数、决策图
基于应变软化模型和Mogi-Coulomb准则的非均匀应力场中隧道应力与变形的解析解
摘要 建立了非均匀应力场下隧洞开挖力学模型，提出了一种同时考虑黏聚力和内摩擦角弱化的应变软化模型，推导了峰后区半径、应力与位移的解析解。以桃园煤矿某隧洞为工程实例，确定了隧洞峰后区半径、地表位移和应力分布情况，讨论了平竖应力比、中间主应力、残余黏聚力、残余内摩擦角对隧洞变形的影响。研究结果表明：由于应力场不均匀，隧洞周边峰后区半径和应力分布随方向呈变化趋势；考虑中间主应力时，隧洞峰后区半径和地表位移较大；残余黏聚力和内摩擦角越大，隧洞峰后区半径和地表位移越小。
触觉溅射目标中的纹理不均匀性
溅射沉积如图1所示，溅射沉积过程是通过用离子轰击所需沉积材料的目标来完成的。事件离子在目标内引发碰撞级联。当级联反应以足够的能量克服表面结合能到达目标表面时，可以弹出原子。溅射室的示意图如图2所示。电场将传入的气体电离（通常是氩气）。阳性离子轰击靶（阴极）和溅射原子在底物上（阳极）。可以加热底物以改善键合。溅射产量（即从每个入射离子射出的原子的平均原子数）取决于几个参数，包括相对于表面的离子入射角，离子的能量，离子和靶原子的相对质量以及靶原子的表面结合能。虽然影响溅射的相对较大的数字参数使其成为一个复杂的过程，但具有如此多的控制参数可以对所得膜的生长和微观结构进行很大程度的控制。各向异性的晶体靶材料，晶格相对于靶表面的方向影响溅射产量。在多晶溅射目标中，以不同速率的不同方向溅射的晶粒。这可能会影响沉积薄膜的均匀性。一个关键控制参数是目标材料中纹理的均匀性。图3显示了铜单晶溅射产量的各向异性（Magnuson＆Carlston，1963年）。所有面部中心材料的一般趋势均具有：S（111）> s（100）> s（110）。
通过控制衬底偏离角来改善垂直 GaN-on-GaN 功率开关器件的晶圆级均匀性
2 法政大学 关键词：GaN-on-GaN、肖特基势垒二极管、均匀性、光致发光、功率器件 摘要 为了大规模生产 GaN-on-GaN 垂直功率器件，n 漂移层在 10 15 cm 3 范围内的净施主浓度 ND NA 的晶圆级均匀性是一个重要因素，因为它决定了击穿电压 VB 。在本研究中，我们通过控制 GaN 衬底的偏角展示了 GaN 肖特基势垒二极管晶圆级均匀性的改善。通过 MOVPE 在具有各种偏角和偏差的独立 GaN 衬底上生长外延结构。使用电容电压测量（C V）、光致发光（PL）和二次离子质谱（SIMS）仔细分析了 ND NA 的变化。与碳有关的NA变化导致了NDNA的不均匀性，而这与晶圆的衬底偏角有关。通过最小化偏角的变化可以提高NDNA的均匀性。引言在GaN衬底上制造的垂直结构GaN功率开关器件对于高效功率转换系统很有前景，因为这些器件提供极低的导通电阻（R on）和高击穿电压（VB）[1-3]。减少对器件成品率和可靠性致命的致命缺陷是一个重要问题。GaN-on-GaN二极管初始故障机理已有报道[4]，其中具有外延坑的二极管在非常低的反向电压下表现出严重击穿。此外，最近有报道称表面粗糙度会影响可靠性[5]。在使用金属有机 (MO) 源引入碳 (C) 杂质时，n 漂移层中的净施主浓度必须控制在 10 15 cm3 范围内才能获得高 VB [6]。通过低施主含量，可以在负偏置条件下抑制 pn 或肖特基界面处的峰值电场 [7, 8]。然而，关于垂直 GaN-on-GaN 器件中净施主浓度的晶圆级均匀性的报道很少。
使用热线转速计系统测量风洞中速度分布的均匀性 SN Ch. Dattu. V 1*、Rao Yerrapragada. KSS 2*、Dr. B.Balakrishna 3*
1*Pragati 工程学院，机械工程系副教授，安得拉邦 2* Aditya 工程学院，机械工程系副教授，安得拉邦 3*JNTU KAKINADA，机械工程系教授，安得拉邦 摘要 本研究旨在通过实验和计算研究风洞中速度分布的均匀性。风洞是一种用来检查流体流过完全浸没的物体时产生的流线和力的仪器。uni-insta 的风洞（300 mm*300 mm）设计为具有较大的工作段，以便能够布置大量场地模型。隧道内置边界层模拟系统，可以很好地模拟大气速度梯度。隧道围绕分段式木质框架建造，在沉降长度和工作段采用外部级胶合板，侧面采用层压板覆盖，便于维护。钟形安装入口后面是平滑的沉降长度室，由分级良好的蜂窝状细网组成。工作部分的侧板是透明的丙烯酸盖，可提供较大的可视区域。额外的哑光后侧板为烟雾轨迹提供了摄影构造。工作部分的顶板是可拆卸的，以便固定模型。关键词：- uni-insta 的风洞、丙烯酸盖、流线。
利用...对风洞中速度剖面均匀性的测量
1*Pragati 工程学院，机械工程系副教授，安得拉邦 2* Aditya 工程学院，机械工程系副教授，安得拉邦 3*JNTU KAKINADA，机械工程系教授，安得拉邦 摘要 本研究旨在通过实验和计算研究风洞中速度分布的均匀性。风洞是一种仪器，用于检查流体流过完全浸没的物体时产生的流线和力。uni-insta 的风洞（300 毫米*300 毫米）设计为具有较大的工作段，以便能够布置大量场地模型。该风洞内置边界层模拟系统，可以很好地模拟大气速度梯度。风洞围绕分段式木质框架建造，在沉降长度和工作段采用外部级胶合板，侧面采用层压板覆盖，便于维护。内置钟形安装入口，后面是平滑的沉降长度室，由分级良好的蜂窝状细网组成。工作部分的侧面板是透明的丙烯酸盖，可提供较大的可视区域。额外的哑光后侧面板为烟雾轨迹提供摄影构造。工作部分的顶板是可拆卸的，以便固定模型。关键词：- uni-insta
均匀磁化矩形杆和圆柱体退磁因子的简单近似表达式
光学显微镜显示蚀刻后表面清晰无特征。总之，我们描述了一种制造可靠、易于去除的高能高剂量离子注入掩模的新工艺。要注入的样品以额外的 AIGaAs 金属剥离层作为表面层，在其上通过常规光刻胶剥离技术对金属掩模进行图案化。注入后，通过使用 HCl 选择性蚀刻 AIGaAs 来去除 AIGaAs 金属剥离层和金属掩模。由于 HCl 的选择性，在去除金属掩模期间底层外延结构不会受损。这项工作得到了国家科学基金会化合物半导体微电子工程研究中心 (CDR-85-22666)、材料研究实验室 (DMR-86-12860) 和海军研究实验室 (NOOO14-88-K-2oo5) 的支持。