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高度均匀的气体量子点，在电信范围内与间接 - 单向带频率交叉
我们通过填充液滴蚀刻的纳米霍尔斯，基于嵌入单晶Algasb矩阵中的煤气量点（QD）（QD）展示了一种新的量子限制的半导体材料。液滴介导的生长机制允许形成非经典单QD光源所需的低QD密度。光致发光（PL）实验表明，在电信波长下，燃气QD具有间接的单向频率跨度。这是由于受纳米结构尺寸控制的量子限制的结果，导致导带中γ和L阀的比对。我们表明，在接近1.5μm波长的直接带隙状态下，GASB QD具有I型频带对齐，并且具有狭窄的光谱线的激发量发射，并且由于高材料质量和尺寸均匀性，因此具有狭窄的光谱线和非常低的PL发射不均匀扩展。这些特性在红外量子光学和量子光子整合的应用方面非常有前途。
具有大规模尺寸均匀性的超细BaTiO3纳米粒子的铁电态和极化切换行为
a 北京邮电大学理学院信息光子学与光通信国家重点实验室，北京 100876，中国。电子邮件：bike@bupt.edu.cn b 清华大学材料科学与工程学院新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室，北京 100084，中国。电子邮件：wxh@tsinghua.edu.cn c 哥伦比亚大学应用物理和应用数学系，纽约，NY 10027，美国。电子邮件：sb2896@columbia.edu d 布鲁克海文国家实验室凝聚态物理与材料科学系，纽约州厄普顿 11973，美国 e 中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室，北京 100190，中国 † 提供电子补充信息（ESI）。请参阅 DOI: 10.1039/ d0tc05975g
可重新配置的非均匀功率组合V波段PA，+17.9 dbm PSAT和26.5％的PAE在16 nm Finfet CMOS
摘要 - 本文介绍了双模式V波段功率放大器（PA）的设计，该功率放大器（PA）使用负载调制提高了功率退回（PBO）时的效率。PA利用可重新选择的两/四向电源组合器来实现两种离散的操作模式 - 满足功率和后退功率。Power Combiner采用了两种技术来进一步提高PBO的PA效率：1）使用具有不均匀转弯比的变压器的使用，以减少对两种模式和2模式之间的PA内核的阻抗差异的差异）使用拟议的开关方案，以消除与背部功率模式相关的泄漏电感（bpm）。两阶段PA的峰值增益为21.4 dB，分数BW（FBW）为22.6％（51-64 GHz）。在65 GHz时，PA的P SAT为 + 17.9 dBm，OP 1 dB为 + 13.5 dBm，峰值功率增加了效率（PAE），在全功率模式下为26.5％。在BPM中，测得的P SAT，OP 1 dB和峰值PAE分别为 + 13.8 dBm， + 9.6 dBm和18.4％。在4.5 dB后退时，PAE的点数增加了6％。PA能够在平均P OUT/PAE分别 + 13 dbm/13.6％的情况下扩增6 GB/S 16-QAM调制信号，EVM RMS为-20.7 dB。此PA在16 nm的FinFET中实施，占0.107 mm 2的核心面积，并在0.95-V电源下运行。
pic -integenter，均匀的056％tensile trains trains ge -on ...
摘要：机械应变工程对于许多集成的光子应用一直很有希望。然而，对于材料电子带隙的工程，应变均匀性与与光子集成电路（图片）的集成兼容性之间存在权衡。在此，我们采用了氮化硅（SIN X）应激源的简单凹陷型设计，以达到均匀的应变，并在图片上感兴趣的材料中具有增强的幅度。正常的，均匀的0.56％薄层紧张的锗（GE） - 隔离剂（GOI）金属 - 肌电指挥剂 - 金属光二极管。该设备在1,550 nm时表现出1.84±0.15 A/W。在1,612 nm处提取的GE吸收系数增强了〜3.2×至8,340 cm -1，并且优于0.53 Ga 0.47的高度，最高为1,630 nm，受测量光谱限制。与非衰退的设备相比，观察到C频带中的额外吸收系数改善10％至20％，在L频带中观察到40％至60％。这项工作促进了自由空间PIC应用的凹陷GOI光电二极管，并为各种铺平了道路（例如ge，GESN或III-V基于图片上均匀紧张的光子设备。
超细batio3纳米颗粒的铁电状态和极化切换行为具有较大尺寸均匀性
1北京邮政与电信大学科学学院信息光子学和光学通信的关键实验室，中国北京100876。电子邮件：bike@bupt.edu.cn 2国家主要实验室新陶瓷和精细处理，材料科学与工程学院，北京大学，北京大学，北京100084，电子邮件：wxh@tsinghua.edu.edu.cn.cn 3 3 3 3 3 3应用和应用数学部门sb2896@columbia.edu 4浓缩物理和材料科学系，布鲁克黑文国家实验室，纽约州阿普顿市11973 5北京国家冷凝物质物理学实验室，物理学研究所，中国学院科学研究所，贝吉利亚学院，北京100190，中国电子补充信息（ESI）。参见doi：10.1039/x0xx00000x
![B'Abstract Aharoni和Howard，以及独立的Huang，Loh和Sudakov提出了以下彩虹版本的ERD \ XCB \ XCB \ X9DOS匹配猜想：用于正整数N，K，M，使用N \ Xe2 \ X89 \ X89 \ X89 \ XA5 km（如果每个人）f 1，f 1，f 1，f 1，f 1，如果。 。 ，f m \ xe2 \ x8a \ x86 [n] k的大小大于最大{n k \ xe2 \ x88 \ x92 n \ x92 n \ x88 \ x88 \ x92 m +1 k，km \ xe2 \ x88 \ x88 \ x92 1 k}，然后存在成对的e 1，cysets e 1，互相互互相关。 。 。 ，e m这样，e i \ xe2 \ x88 \ x88 f i对于所有i \ xe2 \ x88 \ x88 [m]。我们证明存在一个绝对常数n 0，因此该彩虹版本适用于k = 3和n \ xe2 \ x89 \ xa5 n 0。我们将这个彩虹匹配的问题转换为特殊的HyperGraph H上的匹配问题。然后，我们将几种现有技术结合在均匀超图中的匹配中：\ xef \ xac \ x81nd在H中的吸收匹配m；使用Alon等人的随机化过程与\ Xef \ Xac \ x81nd几乎是H \ Xe2 \ X88 \ X92 V（M）的几乎常规子图； \ xef \ xac \ x81nd在H \ xe2 \ x88 \ x92 V（m）中几乎完美匹配。为了完成该过程，我们还需要证明在3-均匀的超图中的匹配项上获得新的结果，这可以看作是Luczak和Mieczkowska结果的稳定版本，并且可能具有独立的兴趣。](/simg/6/66b12590acfaebc9bf0ec40f52ef0eeec179ff5a.webp)
B'Abstract Aharoni和Howard，以及独立的Huang，Loh和Sudakov提出了以下彩虹版本的ERD \ XCB \ XCB \ X9DOS匹配猜想：用于正整数N，K，M，使用N \ Xe2 \ X89 \ X89 \ X89 \ XA5 km（如果每个人）f 1，f 1，f 1，f 1，f 1，如果。 。 ，f m \ xe2 \ x8a \ x86 [n] k的大小大于最大{n k \ xe2 \ x88 \ x92 n \ x92 n \ x88 \ x88 \ x92 m +1 k，km \ xe2 \ x88 \ x88 \ x92 1 k}，然后存在成对的e 1，cysets e 1，互相互互相关。 。 。 ，e m这样，e i \ xe2 \ x88 \ x88 f i对于所有i \ xe2 \ x88 \ x88 [m]。我们证明存在一个绝对常数n 0，因此该彩虹版本适用于k = 3和n \ xe2 \ x89 \ xa5 n 0。我们将这个彩虹匹配的问题转换为特殊的HyperGraph H上的匹配问题。然后，我们将几种现有技术结合在均匀超图中的匹配中：\ xef \ xac \ x81nd在H中的吸收匹配m；使用Alon等人的随机化过程与\ Xef \ Xac \ x81nd几乎是H \ Xe2 \ X88 \ X92 V（M）的几乎常规子图； \ xef \ xac \ x81nd在H \ xe2 \ x88 \ x92 V（m）中几乎完美匹配。为了完成该过程，我们还需要证明在3-均匀的超图中的匹配项上获得新的结果，这可以看作是Luczak和Mieczkowska结果的稳定版本，并且可能具有独立的兴趣。
B'Abstract Aharoni和Howard，以及独立的Huang，Loh和Sudakov提出了以下彩虹版本的ERD \ XCB \ XCB \ X9DOS匹配猜想：用于正整数N，K，M，使用N \ Xe2 \ X89 \ X89 \ X89 \ XA5 km（如果每个人）f 1，f 1，f 1，f 1，f 1，如果。。，f m \ xe2 \ x8a \ x86 [n] k的大小大于最大{n k \ xe2 \ x88 \ x92 n \ x92 n \ xe2 \ x88 \ x88 \ x92 m +1 k，km \ xe2 \ xe2 \ x88 \ x88 \ x92 1 k}，然后存在Emubse em subse et emsetse。。。，e m，以至于所有i \ xe2 \ x88 \ x88 [m] e i \ xe2 \ x88 \ x88 f i。我们证明存在一个绝对常数n 0，因此该彩虹版本适用于k = 3和n \ xe2 \ x89 \ xa5 n 0。我们将这个彩虹匹配的问题转换为特殊的HyperGraph H上的匹配问题。然后，我们将几种现有技术结合在均匀超图中的匹配中：\ xef \ xac \ x81nd h中的吸收匹配m；使用Alon等人的随机化过程与\ Xef \ Xac \ x81nd几乎是H \ Xe2 \ X88 \ X92 V（M）的几乎常规子图； \ xef \ xac \ x81nd在H \ xe2 \ x88 \ x92 V（m）中几乎完美匹配。要完成该过程，我们还需要证明在3-均匀的超图中的匹配项上获得新的结果，这可以看作是Luczak和Mieczkowska结果的稳定版本，并且可能具有独立的利益。
在实验中，由高密度碳燃料不均匀播种的三维不对称的证据
在国家点火设施的实验中，由HDC-ablator非均匀性播种的三维不对称的证据D. T. Casey，1 B. J. Macgowan，1 J. D. Sater，1 A.B. Zylstra，1 O. L. Landen，1 J. Milovich，1 O.A. Hurricane, 1 A. L. Kritcher, 1 M. Hohenberger, 1 K. Baker, 1 S. Le Pape, 1 T. D ö ppner, 1 C. Weber, 1 H. Huang, 2 C. Kong, 2 J. Biener, 1 C. V. Young, 1 S. Haan, 1 R. C. Nora, 1 S. Ross, 1 H. Robey, 1 M. Stadermann, 1 A. Nikroo, 1 D. A. Callahan, 1 R. M. Bionta，1 K. D. Hahn，1 A. S. Moore，1 D. Schlossberg，1 M. Bruhn，1 K. Sequoia，2 M. Rice，2 M. Farrell，2 M. Farrell，2 C. Wild 3 1）Lawrence Livermore国家实验室，美国2）美国2）一般性原子4）停滞时爆炸壳和高面积密度（ߩܴൌ ߩܴൌ）。ρr中的不对称降解壳动能与热点的偶联并减少了该能量的限制。我们提出了第一个证据，即高密度碳实验中的玻璃壳壳厚度（约0.5％）在国家点火设施（NIF）处观察到的3Dρρr不对称的重要原因。这些壳厚度不均匀性显着影响了一些最新的实验，导致ρr不对称的平均ρr和热点速度约为100 km/s的阶段。这项工作揭示了点火实验中重大内爆性降解的起源，并在胶囊厚度计量和对称性上提出了严格的新要求。在国家点火设施（NIF）[1]进行的惯性限制融合（ICF）实验中，氘和trium（dt）燃料的胶囊被浸泡在高密度和温度下，以引发α-颗粒粒子自热和融合燃烧[2,3]。间接驱动ICF概念使用激光来照射高Z圆柱形hohlraum，该圆柱体试图产生几乎均匀的准热，X射线驱动器。X射线驱动器，然后消除胶囊的外层，压缩剩余的烧蚀剂和径向径向向内的低温冷冻DT的内层。此爆炸壳会收敛并压缩气态DT区域形成热点。要达到点火，DT热点必须具有足够高的能量密度，以便足够的时间激发热点自热，并通过密集的DT壳开始燃烧波。该要求可以等效地表示为ܲ߬的条件；其中ܲ是热点压力，能量密度的度量是该能量的限制时间[4,5]。要产生高ܲ߬，内爆必须具有较高的移位内爆速度（ݒݒ），交通壳和热点之间的足够耦合，并且在停滞时高度（或ρr定义为ρr）。壳动能的耦合和该能量的限制都被三维（3D）ρr不对称性降解。使用简化的两活塞系统的最新分析显示[6]在弱α加热的极限中：ఛ
均匀的钴纳米颗粒装饰的饼干样VN纳米片，通过原位隔离液体电池和氧气进化反应
通过热液过程和硝化化合物合成的类似饼干的co-vn@c在锂离子电池（LIBS）中具有出色的电化学特性，并且在氧气进化反应（OER）中具有阳极材料和催化剂。具有丰富暴露活性位点的金属CO纳米颗粒在原位均匀地隔离，以便它们强烈地粘附在VN底物上，从而导致加速电荷转移并增强稳定性。复合材料的碳壳充当缓冲层，可减轻体积的膨胀，电池的稳定容量为335.5 mAh g -1后500循环后，以0.5 a g -1循环。以不同的速率进行测试后，电流密度恢复为0.1 a g -1，Co-Vn@C电极的容量返回到588.0 mAh g -1。此外，Co-Vn@C在氧气演化反应中具有出色的电化学催化活性。这项工作阐明了长期的稳定性和高速率的电极材料，用于将来的LIBS开发，该策略为电化学催化的高性能电极材料设计提供了见解。
电池多孔电极反应不均匀性的热力学根源及其缓解措施
多孔电极内反应电流分布不均匀是电池充电/放电过程中普遍存在的现象，并且常常控制着电池的倍率性能。多孔电极中的反应不均匀性通常归因于电解质和/或固体电极相内质量传输的动力学限制。然而，在这项工作中，我们发现它也受到电极材料固有热力学行为的强烈影响，特别是平衡电位对充电状态的依赖性：当平衡电位曲线的斜率降低时，电极反应变得越来越不均匀。我们采用数值模拟和等效电路模型来阐明这种相关性，并表明反应不均匀性的程度和由此产生的放电容量可以通过无量纲反应均匀度数来预测。对于平衡电位对电荷状态不敏感且表现出显著反应不均匀性的电极材料，我们展示了几种在空间上均化多孔电极内反应电流的方法，包括匹配电子和离子电阻、引入分级电子电导率和降低表面反应动力学。© 2020 作者。由 IOP Publishing Limited 代表电化学学会出版。这是一篇开放获取的文章，根据知识共享署名 4.0 许可条款分发（CC BY，http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/），允许在任何媒体中不受限制地重复使用作品，前提是对原始作品进行适当的引用。[DOI：10.1149/1945-7111/abb383]
钛引起的化学不均匀性对晶体的影响...
摘要：调整宽带隙 β - Ga 2 O 3 的光学和电子特性对于充分利用该材料在电子、光学和光电子领域现有和新兴技术应用中的潜力至关重要。在本研究中，我们报告了 Ti 掺杂剂不溶性驱动的化学不均匀性对 Ga 2 O 3 多晶化合物的结构、形态、化学键合、电子结构和带隙红移特性的影响。采用传统的高温固相反应路线在可变的煅烧温度（1050 − 1250 ° C）下合成了 Ga 2 − 2 x Ti x O 3（GTO；0 ≤ x ≤ 0.20）化合物，烧结温度为 1350 ° C。GTO 样品的 X 射线衍射分析表明，仅在非常低的 Ti 掺杂浓度（<5 at. %）下才会形成单相化合物，而较高的 Ti 掺杂会导致形成复合材料，其中含有大量未溶解的 TiO 2 金红石相。然而，在烧结样品中，未溶解的金红石相的一部分转化为单斜 TiO 2。 Rietveld 对本征 Ga 2 O 3 和单相 Ti 掺杂化合物（x = 0.05）进行细化，证实样品在具有 C 2/m 空间群的单斜对称性中稳定存在。样品的表面形貌表明，本征 Ga 2 O 3 呈现棒状形貌，而 Ti 掺杂化合物呈现球形形貌。此外，在具有异常晶粒生长的掺杂化合物中，与本征 Ga 2 O 3 相比，可以注意到晶格孪生引起的条纹。Ga 2p 的高分辨率 X 射线光电子能谱分析显示，由于相邻离子的电子云之间的相互作用，与金属 Ga 相比发生了正向偏移。由于 Coster − Kronig 效应，Ti 2p 1/2 光谱显示出异常增宽。采用混合密度泛函理论的第一性原理计算表明，Ti 优先取代八面体 Ga 位点，并在 Ga 2 O 3 中表现为深层施主。从光吸收光谱可以看出，光学带隙发生了红移。Ga 2 O 3 带隙内的吸收归因于未溶解的 TiO 2 的夹杂，因为 TiO 2 在 Ga 2 O 3 带隙内具有 I 型排列。此外，还研究了 GTO 化合物的电催化行为。从电催化研究中可以明显看出，与本征 Ga 2 O 3 相比，掺杂化合物表现出明显的电催化活性。