有几种方法可以定义结到外壳的热阻;然而,用一个数字准确且可重复地描述封装中的热流是相当具有挑战性的。对于许多功率封装系列(如 TO 型封装),热瞬态测试和所谓的双界面方法可以提供可靠的结果。双热瞬态的结构函数分歧点可以很好地描述此类结构中的材料界面。然而,分歧点的位置和性质在很大程度上取决于热扩散的形状和方向。如果封装面积远大于散热芯片,则使用不同的界面时热流的形状会发生变化 [1,2]。这导致与两种设置相对应的结构函数在到达外壳表面之前就有很大偏差。本文探讨了这种现象的起源。对不同的大型 IGBT 模块进行了测量和模拟结果比较,对其结构进行了多项修改,从而可以详细分析热流路径。对只加热大模块的一小部分和加热所有芯片进行了比较。一些样品经过了热循环可靠性测试,导致芯片下方出现裂纹。借助结构函数,可以直观地看到减少芯片贴装面积的影响。
三种不同直径和材质的导管配置(3 英寸钢、3 英寸铝和 1-1/2 英寸钢)和两个通用管钢支撑构件(一个 2 英寸和一个 4 英寸),每个包覆的标称厚度为 3/8 英寸或 5/8 英寸Thermo-LagO 330-1 和本文所述的各种升级均根据田纳西河谷管理局测试计划 RD 328886 进行评估,该评估主要基于美国保险商实验室公司 (UL) 主题 1724“电路保护系统防火测试调查大纲”的要求,第 2 期,日期为 1991 年 8 月,由 TVA 关于防火测试的立场解释标准(见附录 B)。仅发现 1-1/2 英寸导管配置符合这些文件对 60 分钟耐火期的要求。2 英寸和 4 英寸管钢支撑构件均支持使用 18 英寸规则。
4.1.2.5.3 当无法拆除屏蔽外壳壁 SÚ1¿ 和 SÚ2¿ 时,应将两个杆 RÚ1¿ 和 RÚ2¿ 放置在外壳外部完全相同的位置,不得有任何障碍物。由于 RÚ1¿ 产生的强电场可以穿透探测器 D 和衰减器 A 的金属外壳,因此两个设备应留在外壳内,杆 RÚ2¿ 通过传输线连接器引出外壳。所用电缆应尽可能短。连接器应在穿过屏蔽外壳每个壁的地方沿圆周接地。测试期间,屏蔽外壳门应关闭。