机构名称：
¥ 1.0
有几种方法可以定义结到外壳的热阻；然而，用一个数字准确且可重复地描述封装中的热流是相当具有挑战性的。对于许多功率封装系列（如 TO 型封装），热瞬态测试和所谓的双界面方法可以提供可靠的结果。双热瞬态的结构函数分歧点可以很好地描述此类结构中的材料界面。然而，分歧点的位置和性质在很大程度上取决于热扩散的形状和方向。如果封装面积远大于散热芯片，则使用不同的界面时热流的形状会发生变化 [1,2]。这导致与两种设置相对应的结构函数在到达外壳表面之前就有很大偏差。本文探讨了这种现象的起源。对不同的大型 IGBT 模块进行了测量和模拟结果比较，对其结构进行了多项修改，从而可以详细分析热流路径。对只加热大模块的一小部分和加热所有芯片进行了比较。一些样品经过了热循环可靠性测试，导致芯片下方出现裂纹。借助结构函数，可以直观地看到减少芯片贴装面积的影响。
电源结至外壳热特性问题...
主要关键词
相关文件推荐
