昆虫下降的哪些方面仍在争论中与一般解决?夏洛特·奥特韦特(Charlotte Outhwaite):现在大量昆虫下降的证据基础很大,鉴于人类对环境的压力和其他形式的生物多样性8的下降,这并不奇怪。但是,现有的证据是分散的,许多数据源于英国,欧洲和北美等经过良好研究的地区。因此,尽管在世界许多地方已证明昆虫在衰落中,但在所有地理区域或许多较不明显的昆虫群体中,该问题的大小和程度尚未完全理解。林恩·迪克斯(Lynn Dicks):尽管每个人都同意某些昆虫分类单元在某些地方正在下降,但一些备受瞩目的出版物试图根据许多人认为数据或有缺陷的分析来对全球推断。在一种情况下,在七个不同的期刊上,至少七个昆虫学家和昆虫保护科学家团队迅速发表了强大的反驳(例如,参考9)。不幸的是,当随后的研究人员不可判断地将其作为快速或广泛下降的有力证据时,有缺陷的原始文章往往会被引用。马修·费斯特(Matthew Forister):关于昆虫的许多论文始于以下想法:昆虫状况仍然存在很大的不确定性;尽管是一种有用的修辞手段,但天真地表明大多数昆虫物种都是稳定的,更不用说增加了。但是,这些下降的程度和受影响的物种范围尚不清楚。脊椎动物种群在严重下降8中,没有理由为什么昆虫通常不会以相当的速度下降,因为它们经常是专门的生态习惯和小范围。关于昆虫下降的许多明显辩论来自于对受监控人群的狭窄关注,这些人群失去了群体失去的未监控昆虫,而其他土地使用变化了10。埃莉诺·斯莱德(Eleanor Slade):毫无疑问,与其他动物和植物一样,昆虫正在经历其分布和丰度的变化,在某些情况下,昆虫甚至在科学上被灭绝之前就灭绝了。德国1和波多黎各2的陆地昆虫的令人担忧的下降被更多令人放心的稳定甚至增加的趋势所抵消,例如瑞士的水生无脊椎动物11。我在热带地区工作的地方,许多物种仍然没有描述,它们的分布和人口规模未知,因此不可能知道它们是下降还是增加。昆虫下降的一个好处“辩论”是将昆虫从脊椎动物的阴影中带出一段时间。这场辩论提高了公众和政治意识,它们在生态系统和人类中的重要性以及全球研究和监测昆虫的需求。nicoBlüthgen:一个关键的开放问题是跨地区,生态系统和物种趋势无法解释的原因。时间序列持续时间可能是一个重要因素。大多数时间序列很短,并且在存在稀缺的长期数据的情况下,它们的复制很差。在某些情况下,过去的生态系统可能遭受了严重的损失,但稳定在低水平上。在
1 伦敦大学伦敦大学学院,伦敦Torrington Place,WC1E 7JE,英国2号2光电研究中心,南安普敦大学,南安普敦大学,SO17 1BJ,英国3英国3,英国3号电子工程系,贝斯校区,Swansea,Sawansea,Savosea,Sa1 and sa1 8ne of Interver,sa1 and Introl,Sa1 8ne of Key,Key,Key of Key of Key kekij Faculty of Materials and Manufacturing, Beijing University of Technology, Beijing 100124, People's Republic of China 5 SuperSTEM, SciTech Daresbury Science and Innovation Campus, Block J, Keckwick Lane, Daresbury WA4 4AD, United Kingdom 6 York NanoCentre & Department of Physics, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom 7 School of Chemical and Process Engineering and School of Physics and Astronomy,利兹大学,利兹LS2 9JT,英国伦敦大学伦敦大学学院,伦敦Torrington Place,WC1E 7JE,英国2号2光电研究中心,南安普敦大学,南安普敦大学,SO17 1BJ,英国3英国3,英国3号电子工程系,贝斯校区,Swansea,Sawansea,Savosea,Sa1 and sa1 8ne of Interver,sa1 and Introl,Sa1 8ne of Key,Key,Key of Key of Key kekij Faculty of Materials and Manufacturing, Beijing University of Technology, Beijing 100124, People's Republic of China 5 SuperSTEM, SciTech Daresbury Science and Innovation Campus, Block J, Keckwick Lane, Daresbury WA4 4AD, United Kingdom 6 York NanoCentre & Department of Physics, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom 7 School of Chemical and Process Engineering and School of Physics and Astronomy,利兹大学,利兹LS2 9JT,英国伦敦大学伦敦大学学院,伦敦Torrington Place,WC1E 7JE,英国2号2光电研究中心,南安普敦大学,南安普敦大学,SO17 1BJ,英国3英国3,英国3号电子工程系,贝斯校区,Swansea,Sawansea,Savosea,Sa1 and sa1 8ne of Interver,sa1 and Introl,Sa1 8ne of Key,Key,Key of Key of Key kekij Faculty of Materials and Manufacturing, Beijing University of Technology, Beijing 100124, People's Republic of China 5 SuperSTEM, SciTech Daresbury Science and Innovation Campus, Block J, Keckwick Lane, Daresbury WA4 4AD, United Kingdom 6 York NanoCentre & Department of Physics, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom 7 School of Chemical and Process Engineering and School of Physics and Astronomy,利兹大学,利兹LS2 9JT,英国伦敦大学伦敦大学学院,伦敦Torrington Place,WC1E 7JE,英国2号2光电研究中心,南安普敦大学,南安普敦大学,SO17 1BJ,英国3英国3,英国3号电子工程系,贝斯校区,Swansea,Sawansea,Savosea,Sa1 and sa1 8ne of Interver,sa1 and Introl,Sa1 8ne of Key,Key,Key of Key of Key kekij Faculty of Materials and Manufacturing, Beijing University of Technology, Beijing 100124, People's Republic of China 5 SuperSTEM, SciTech Daresbury Science and Innovation Campus, Block J, Keckwick Lane, Daresbury WA4 4AD, United Kingdom 6 York NanoCentre & Department of Physics, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom 7 School of Chemical and Process Engineering and School of Physics and Astronomy,利兹大学,利兹LS2 9JT,英国伦敦大学伦敦大学学院,伦敦Torrington Place,WC1E 7JE,英国2号2光电研究中心,南安普敦大学,南安普敦大学,SO17 1BJ,英国3英国3,英国3号电子工程系,贝斯校区,Swansea,Sawansea,Savosea,Sa1 and sa1 8ne of Interver,sa1 and Introl,Sa1 8ne of Key,Key,Key of Key of Key kekij Faculty of Materials and Manufacturing, Beijing University of Technology, Beijing 100124, People's Republic of China 5 SuperSTEM, SciTech Daresbury Science and Innovation Campus, Block J, Keckwick Lane, Daresbury WA4 4AD, United Kingdom 6 York NanoCentre & Department of Physics, University of York, York YO10 5DD, United Kingdom 7 School of Chemical and Process Engineering and School of Physics and Astronomy,利兹大学,利兹LS2 9JT,英国
市场新闻 6 智能手机出货量将在 2023 年第三季度小幅下滑后复苏 微电子新闻 8 CML 完成对微波技术的收购 宽带隙电子新闻 10 DENSO 和三菱电机向 Coherent 的 SiC 部门投资 10 亿美元 • Soitec 启动 SmartSiC 晶圆生产工厂 • J2 和 HKSTP 在香港建立第一家 SiC 晶圆厂 • onsemi 完成韩国 SiC 晶圆厂扩建 • 英飞凌完成对 GaN Systems 的收购 • 英飞凌签署多年期协议,为现代/起亚供应电源半导体 • 美国国防部为北卡罗来纳州立大学牵头的“CLAWS”微电子公共区域创新中心拨款 3940 万美元 • GlobalFoundries 获得美国政府 3500 万美元资助,以加速 200 毫米 GaN-on-Si 芯片的生产 • 佛蒙特大学-GF 联盟被指定为技术中心 • Element Six 入选美国国防部 LADDIS 计划 • 首款 JEDEC 标准顶部冷却表面贴装 TOLT GaN晶体管 • 东京农工大学和日本酸素公司通过MOVPE实现高纯度Ga 2 O 3薄膜的高速生长 材料和加工设备新闻 27 Riber的MBE 49 GaN将与MOCVD竞争200mm GN-on-Si • ELEMENT 3–5的ACCELERATOR 350K为批量生产提供单晶AlN • Aehr的收入同比几乎翻了一番 LED新闻 32 Mojo Vision的A轮融资几乎翻了一番,达到4350万美元 • NS Nanotech获得100万美元NSERC资助,用于开发纳米级LED和激光器 • ams OSRAM筹集22.5亿欧元以满足2025/26年的融资需求 光电子新闻 38 SuperLight Photonics在与DeepTechXL和oost NL的投资轮中获得种子资金 光通信新闻 40 ECOC 2023的新闻 • Coherent和Kinetic延长合作伙伴关系以启用网络边缘的 100G 服务 • OpenLight 与 Spark 合作扩展设计服务 • imec 推出 SiGe BiCMOS 光接收器,总数据速率达到 200Gbps 光伏新闻 50 NREL 创下 D-HVPE 生长的单结 GaAs 电池 27% 的效率记录
常州银河世纪微电子有限公司(GME)保留对本文中任何产品信息(版权所有)进行更正、修改、改进或其他更改的权利,恕不另行通知。GME 不承担因本文所述任何产品的应用或使用而产生的任何责任;也不转让其专利权或他人权利下的任何许可。
本研究探索了 SrF 2 在高取向热解石墨 (HOPG) 上的分子束外延 (MBE) 生长,重点介绍了生长形态、晶体结构和电子特性随温度的变化。使用原子力显微镜 (AFM)、反射高能电子衍射 (RHEED)、紫外光电子能谱 (UPS) 和 X 射线光电子能谱 (XPS) 对 SrF 2 /HOPG 界面进行了全面表征。光谱数据表明,氟化物与基底的化学相互作用在沉积过程中的每个沉积厚度和基底温度下都很弱,表明在范德华外延状态下生长。沉积在 HOPG 上的 SrF 2 纳米结构在晶体度和成分方面表现出独特的块状特征,即使在最初的生长阶段也是如此。值得注意的是,温度在驱动生长模式中起着至关重要的作用,从室温下树枝状岛的聚结转变为在较高温度(400 ◦ C)下沿 HOPG 梯田台阶边缘诱导近 1D 行。
外延提升(ELO)作为制造III-V设备的一步,可通过非破坏性去除生长基板进行大量的成本降低,随后可以重复使用。特别是在太阳能细胞生产中,ELO促进了超过基于底物细胞性能的薄膜构型的创建。此过程涉及牺牲层的选择性侧面蚀刻,通常是高铝含量藻类层,含水氟酸(HF)。在反应中,形成了各种铝氟化物化合物,砷气体,氟离子和水。然而,由于几何限制和导致固体材料沉积物(包括铝离子,氢气和固体砷)导致的几何限制和侧反应,出现了挑战。本评论概述了所有主要方面,涉及外延升降的理论理解和实际应用。对在各种实验条件下影响牺牲层蚀刻速率的过程参数的各种研究进行了分析。这包括诸如释放层的铝制部分,厚度和掺杂浓度以及实验条件(例如HF浓度和温度)之类的因素。还解决了压力和压力对ELO过程的影响,以及全面研究的挑战。这项工作以底物再利用以及ELO的挑战和机会的评论,例如薄膜脆弱性,替代释放层和多释放ELO。
常州银河世纪微电子有限公司(GME)保留对本文中任何产品信息(版权所有)进行更正、修改、改进或其他更改的权利,恕不另行通知。GME 不承担因本文所述任何产品的应用或使用而产生的任何责任;也不转让其专利权或他人权利下的任何许可。
常州银河世纪微电子有限公司(GME)保留对本文中任何产品信息(版权所有)进行更正、修改、改进或其他更改的权利,恕不另行通知。GME 不承担因应用或使用本文所述任何产品而产生的任何责任;也不转让其专利权或他人权利下的任何许可。