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图 1:(a) GaAs 核(蓝色)- Ge 壳(红色)NW 示意图,具有受控晶相:纤锌矿 (WZ)、闪锌矿 (ZB),具有堆垛层错 (SF) 区域。通过 RHEED 原位监测样品,以获得有关 GaAs/Ge NW 晶体结构的实时信息。在 WZ GaAs 生长期间(b)29 分钟(c)35 分钟和六方 Ge 生长期间(d)3 分钟(e)10 分钟,沿 [1-10] 方位角记录的 RHEED 图案。WZ 点以白色箭头突出显示。(f) 45° 倾斜 SEM 图像(二次电子对比度)显示 GaAs/Ge NW。比例尺为 1  m。

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