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World File Search System外延
外延PB（Zr，Ti）O3薄膜的组成修饰，用于高性能压电收割机
在这项研究中，由RF磁铁溅射以不同的ZR/[ZR + Ti]比率而沉积的压电能量收割机（PEHS）是基于外部PB（ZR，Ti）O 3（PZT）薄膜制造的。对于与微电力系统的兼容性，外部PZT薄膜被沉积在SI底物（PZT/SI）上。形态相边界（MPB）的组成范围为0.44≤zr/[Zr + Ti]≤0.51的外观PZT/Si的0.51，其比散装PZT的宽度要广泛得多。同时，使用Unimorph Cansilever方法，通过直接和逆向压电效应评估有效的横向压电系数（| E 31，F |）值。在组成中，Zr/[Zr + Ti]的菱形统治MPB（MPB-R）= 0.51表现出直接| E 31，f |在这项研究中，10.1 C m -2和相对介电常数（𝝐 r）为285，最大程度的功绩为40 GPA。另一方面，最大匡威| E 31，f |从Zr/[Zr + Ti]的四方优势MPB（MPB-T）测量14.0 C m-2的2。在共振频率下，MPB-T在加速度为3 m-1 s-2的加速度下，高输出功率密度为301.5μW-1 /（cm 2 g 2），这对于高表现PEH应用非常有前途。
用于垂直堆叠 R/G/B 微型 LED 像素的先进外延
异质集成中一种突出的方法是基于转移的组装，其涉及去除由不同批次和工序制成的外延层。[5] 但这种方法在高密度器件集成方面面临障碍。首先，传统的外延生长将外延层器件紧密结合到基板上。分离它们通常需要高功率激光或化学蚀刻剂，这可能会损坏基板和外延层。这种风险限制了器件性能和产量。[6] 此外，在转移和组装阶段，必须将不同的功能器件分割成微小的芯片。这对于将它们准确转移和组装到高密度器件阵列的目标表面或基板上至关重要。在这个芯片键合过程中，即使是轻微的错位也会破坏器件与其底层电路之间的连接。这些困难不仅会增加微型和微型发光二极管 (μLED) 显示器等产品的生产成本，而且在制造高密度垂直堆叠器件时也带来了重大挑战。这种复杂性对于生产高分辨率显示器尤其重要，例如增强现实（AR）或元宇宙设备以及异质集成电子产品中使用的显示器。
硅基氮化物外延开发
市场新闻 6 智能手机出货量将在 2023 年第三季度小幅下滑后复苏 微电子新闻 8 CML 完成对微波技术的收购 宽带隙电子新闻 10 DENSO 和三菱电机向 Coherent 的 SiC 部门投资 10 亿美元 • Soitec 启动 SmartSiC 晶圆生产工厂 • J2 和 HKSTP 在香港建立第一家 SiC 晶圆厂 • onsemi 完成韩国 SiC 晶圆厂扩建 • 英飞凌完成对 GaN Systems 的收购 • 英飞凌签署多年期协议，为现代/起亚供应电源半导体 • 美国国防部为北卡罗来纳州立大学牵头的“CLAWS”微电子公共区域创新中心拨款 3940 万美元 • GlobalFoundries 获得美国政府 3500 万美元资助，以加速 200 毫米 GaN-on-Si 芯片的生产 • 佛蒙特大学-GF 联盟被指定为技术中心 • Element Six 入选美国国防部 LADDIS 计划 • 首款 JEDEC 标准顶部冷却表面贴装 TOLT GaN晶体管 • 东京农工大学和日本酸素公司通过MOVPE实现高纯度Ga 2 O 3薄膜的高速生长 材料和加工设备新闻 27 Riber的MBE 49 GaN将与MOCVD竞争200mm GN-on-Si • ELEMENT 3–5的ACCELERATOR 350K为批量生产提供单晶AlN • Aehr的收入同比几乎翻了一番 LED新闻 32 Mojo Vision的A轮融资几乎翻了一番，达到4350万美元 • NS Nanotech获得100万美元NSERC资助，用于开发纳米级LED和激光器 • ams OSRAM筹集22.5亿欧元以满足2025/26年的融资需求 光电子新闻 38 SuperLight Photonics在与DeepTechXL和oost NL的投资轮中获得种子资金 光通信新闻 40 ECOC 2023的新闻 • Coherent和Kinetic延长合作伙伴关系以启用网络边缘的 100G 服务 • OpenLight 与 Spark 合作扩展设计服务 • imec 推出 SiGe BiCMOS 光接收器，总数据速率达到 200Gbps 光伏新闻 50 NREL 创下 D-HVPE 生长的单结 GaAs 电池 27% 的效率记录
分子束外延
昆虫下降的哪些方面仍在争论中与一般解决？夏洛特·奥特韦特（Charlotte Outhwaite）：现在大量昆虫下降的证据基础很大，鉴于人类对环境的压力和其他形式的生物多样性8的下降，这并不奇怪。但是，现有的证据是分散的，许多数据源于英国，欧洲和北美等经过良好研究的地区。因此，尽管在世界许多地方已证明昆虫在衰落中，但在所有地理区域或许多较不明显的昆虫群体中，该问题的大小和程度尚未完全理解。林恩·迪克斯（Lynn Dicks）：尽管每个人都同意某些昆虫分类单元在某些地方正在下降，但一些备受瞩目的出版物试图根据许多人认为数据或有缺陷的分析来对全球推断。在一种情况下，在七个不同的期刊上，至少七个昆虫学家和昆虫保护科学家团队迅速发表了强大的反驳（例如，参考9）。不幸的是，当随后的研究人员不可判断地将其作为快速或广泛下降的有力证据时，有缺陷的原始文章往往会被引用。马修·费斯特（Matthew Forister）：关于昆虫的许多论文始于以下想法：昆虫状况仍然存在很大的不确定性；尽管是一种有用的修辞手段，但天真地表明大多数昆虫物种都是稳定的，更不用说增加了。但是，这些下降的程度和受影响的物种范围尚不清楚。脊椎动物种群在严重下降8中，没有理由为什么昆虫通常不会以相当的速度下降，因为它们经常是专门的生态习惯和小范围。关于昆虫下降的许多明显辩论来自于对受监控人群的狭窄关注，这些人群失去了群体失去的未监控昆虫，而其他土地使用变化了10。埃莉诺·斯莱德（Eleanor Slade）：毫无疑问，与其他动物和植物一样，昆虫正在经历其分布和丰度的变化，在某些情况下，昆虫甚至在科学上被灭绝之前就灭绝了。德国1和波多黎各2的陆地昆虫的令人担忧的下降被更多令人放心的稳定甚至增加的趋势所抵消，例如瑞士的水生无脊椎动物11。我在热带地区工作的地方，许多物种仍然没有描述，它们的分布和人口规模未知，因此不可能知道它们是下降还是增加。昆虫下降的一个好处“辩论”是将昆虫从脊椎动物的阴影中带出一段时间。这场辩论提高了公众和政治意识，它们在生态系统和人类中的重要性以及全球研究和监测昆虫的需求。nicoBlüthgen：一个关键的开放问题是跨地区，生态系统和物种趋势无法解释的原因。时间序列持续时间可能是一个重要因素。大多数时间序列很短，并且在存在稀缺的长期数据的情况下，它们的复制很差。在某些情况下，过去的生态系统可能遭受了严重的损失，但稳定在低水平上。在
希腊 III-V 族半导体分子束外延
As 4 分子束 在 PBN 管中注入分子 N 2 气体，产生射频功率诱导等离子体 活性 N 2 * 和 N 物种束 主要激发分子物种：E. Iliopoulos 等，J. Cryst. Growth 278, 426 (2005) 来自 Knudsen 室的 Ga 原子束
在独立衬底上生长的 GaN 外延层上的 Ni 肖特基势垒中的电流传输
本文对在独立衬底上生长的 GaN 外延层上的 Ni 肖特基势垒进行了表征。首先，通过对裸材料进行透射电子显微镜 (TEM) 图像和导电原子力显微镜 (C-AFM) 的纳米级电学分析，可以看到晶体中的结构缺陷以及电流传导的局部不均匀性。在外延层上制造的 Ni/GaN 垂直肖特基二极管的正向电流-电压 (IV) 特性给出的肖特基势垒高度平均值为 0.79 eV，理想因子为 1.14。对一组二极管的统计分析，结合温度依赖性测量，证实了在该材料中形成了非均质肖特基势垒。从 Φ B 与 n 的关系图中可以估算出接近 0.9 eV 的理想均质势垒，与通过电容-电压 (C – V) 分析推断出的势垒相似。通过 C-AFM 获得的局部 IV 曲线显示了电流传导开始点的不均匀分布，这又类似于在宏观肖特基二极管中观察到的电流传导开始点。最后，在不同温度下获得了在无缺陷区域制造的二极管的反向特性，并通过热电子场发射 (TFE) 模型描述了其行为。
通过化学束蒸气沉积对高质量外延锂薄膜的有效优化：阳离子化学计量的影响
Niobate锂是其具有挑战性的功能性能的特殊材料，可以适合各种应用。然而，到目前为止，在蓝宝石底物上生长的高品质200毫米li x nb 1-x o 3薄片迄今为止从未报道过这限制了这些潜在应用。本文报告了蓝宝石（001）底物在组合构造中通过化学梁蒸气沉积在蓝宝石（001）底物上对高质量的薄膜沉积的有效优化。使用此技术，LI/NB的流量比可以从单个晶圆上调整≈0.25至≈2.45。在膜的胶片（不同阳离子比）的不同区域进行了各种互补特征（通过不同的效果，显微镜和光谱技术），以研究阳离子化写计数器对纤维属性的影响。接近阳离子化学计量学（Linbo 3），外延纤维具有高质量（尽管有两个平面域，但低镶嵌性为0.04°，低表面粗糙度，折射率和带隙接近散装值）。偏离化学计量条件，检测到次级相（富含NB的流动比的Linb 3 O 8，Li 3 NBO 4具有部分非晶化的Li-foW流比）。linbo 3薄膜对于数据通信中的各种关键应用程序都具有很高的兴趣。
跨外延晶格的工程热运输 -
摘要：人工设计的2D材料为热管理提供独特的物理特性，超过了天然发生的材料。在此，使用范德华的外观外观，我们证明了基于原子上薄的晶格不匹配的BI 2 SE 3/MOSE 2超晶格2级超晶格和石墨烯/PDSE 2异质结构来设计极限绝缘超材料的能力W/MK）在室温下，与无定形材料相当。使用频率域的热疗法和低频率拉曼光谱获得的实验数据，并由紧密结合的声子计算支持，揭示了晶格不匹配，声子接口散射，尺寸效应，温度效应，温度效应，温度效应，温度和界面热电阻对跨平面热量散热，对不同的热传输和不同的热量的作用。我们的发现提供了有关新兴合成和热表征方法的基本见解，并为开发具有量身定制的热运输特性的不同物质材料的大面积杂源范德华膜的发展提供了宝贵的指导。关键字：声子传输，导热率，频域热素融合BI 2 SE 3/MOSE 2，石墨烯/PDSE 2 T
杂交量子纳米线中Sn的外延驱动相位选择性
摘要：混合半导体 - 超导体纳米线构成了一个普遍存在的平台，用于研究栅极可调的超导性和拓扑行为的出现。其低维和晶体结构柔韧性有助于独特的异质结构生长和有效的材料优化，这是准确构建复杂的多组分量子材料的关键先决条件。在这里，我们对INSB，INASSB和INAS纳米线上的SN生长进行了广泛的研究，并演示了纳米线的晶体结构如何驱动半金属α -SN或超导β -SN的形成。对于INAS纳米线，我们观察到相纯超导β-SN壳。但是，对于INSB和INASSB纳米线，初始外延α -SN相变成共存α和β相的多晶壳，其中β /α的体积比随SN壳厚度而增加。这些纳米线是否表现出超导性，不批判性地依赖于β -SN含量。因此，这项工作为SN阶段提供了各种半导体的关键见解，这对适合生成拓扑系统的超导杂种产量产生了影响。关键字：纳米线，拓扑材料，半导体 - 螺旋体混合动力，SN，量子计算，界面，外交T
2SD1816I 2SD1816 NPN 外延平面硅晶体管
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