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并联电网大信号稳定性改进...
摘要 —随着现代电网中逆变器资源的快速增加，迫切需要先进的电网形成 (GFM) 逆变器功能，例如系统恢复和故障下运行，以实现大规模电力电子主导电网。其中一种功能是使用 GFM 逆变器的逆变器驱动黑启动。本文分析了两种最近提出的先进 GFM 控制的能力，以帮助 GFM 逆变器维持全系统、非标称条件并保持同步，直到它们能够克服瞬时过载，因为更多的 GFM 加入该过程而无需发电机序列协调或通信并最终稳定电网。通过一组 1,200 个全阶电磁暂态模拟，我们评估了采用各种 GFM 逆变器控制时的黑启动过程。结果表明，GFM 电流限制器和一次控制对动态运行条件下的系统稳定性有显著影响，从而影响逆变器驱动系统恢复的成功。
30 GHz 下 AlN/GaN/AlN HEMT 的大信号响应
功率放大器 (PA) 技术对于国防和商业领域毫米波 (mm-wave) 通信系统的未来至关重要。这些毫米波频率下的大气衰减很高，因此需要能够抵消这种影响的高功率 PA。氮化镓高电子迁移率晶体管 (GaN HEMT) 凭借其宽带隙和高电子速度，已成为在毫米波频率下提供高功率的主要竞争者。为了改进传统的 GaN HEMT 异质结构，我们之前在氮化铝 (AlN) 平台 [1] 上引入了 HEMT，使用 AlN/GaN/AlN 异质结构。二元 AlN 的最大化带隙可防止缓冲器漏电流并增加 HEMT 击穿电压，同时还提供更高的热导率以增强通道温度管理。此外，GaN 增加的极化偏移允许高度缩放的顶部势垒，同时仍能诱导高密度二维电子气 (2DEG)。我们最近展示了 RF AlN/GaN/AlN HEMT 中高达 2 MV/cm 的高击穿电压 [2]，以及这些 HEMT 在 6 GHz 下的 RF 功率操作，功率附加效率为 55%，输出功率 ( ) 为 2.8 W/mm [3]。在这项工作中，我们展示了 AlN/GaN/AlN HEMT 的首次毫米波频率操作，显示峰值 PAE = 29%，相关 = 2.5 W/mm 和 = 7 dB 在 30 GHz 下。
有限的时间前馈脱钩和精确的DC微电网朝向大信号稳定性
摘要 - 这项研究是通过考虑一个新兴的实际问题来开始的，即DC微电网应在喂食电阻载荷和恒定功率载荷（CPLS）时能够具有较大信号稳定性的操作。要更具体，应在存在大量综合可再生能源和CPL，系统内部不确定性，外部干扰，耦合相互作用以及其他不利影响的情况下确保稳定性。从控制的角度来看，我们有意提出了一个通用解决方案，以实现互连系统的确切分散的跟踪控制任务。首先，提出了一种替代的有限时间馈电机制，该机制与反馈统治或递归取消过程基本不同。其次，可以从系统信息中直接构建一个comite控制器，因为它与稳定性分析相脱。提议的设计框架的一个主要优点是它降低了设计的复杂性，因此促进了实际实现。作为直接应用，为自主DC微电网系统构建了一个简单的分散复合控制器。数值模拟和实验比较结果都表明，在各种不同情况下，DC微电网实现了大信号稳定性。
分区 Ohtomo 稳定性测试可有效分析大型...
摘要 电子电路设计中的一个基本步骤是验证它们至少在给定的一组外部终端上是稳定的，以避免在实践中无法观察到所找到的解决方案。这在微波和毫米波电路中尤其如此，因为它们通常在频域而不是时域中进行分析。因此，无论是在线性还是大信号情况下，都可能发现不稳定的解而不是可观察到的解。不幸的是，与线性情况相比，大信号解的稳定性分析要麻烦得多。特别是，虽然可以将基于奈奎斯特原理的小信号测试转化为大信号等效测试，但代价是矩阵大小显著增加。然而，对于最近才应用于大信号解决方案的 Ohtomo 测试，可以利用问题的结构来显著降低复杂性，从而缩短模拟时间。选择一个真实世界的平衡放大器来验证所提出的方法并说明其实际用途。本文还介绍了该方法在具有大量器件的实际单片电路中的应用。
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通过 ADS 工具中的 S2D 模型导入实验结果进行功率放大器设计
摘要 本文利用 S2P 和 S2D 模型设置实现功率放大器的行为建模。利用标准功率放大器获得散射 (S 参数和大信号参数的测量结果。将这些参数导入 S2P 和 S2D 模型以执行 3 GHz 频率下的小信号和大信号分析。然后，将模拟结果与测量结果进行比较，以验证行为模型的有效利用。这项工作的新颖之处在于对直接从测量中获得的硅基驱动放大器特性进行模拟研究。这项工作可用于通过模拟确定驱动放大器特性对功率放大器测量的影响。最后，对不同参数的测量结果和模拟结果之间的相对误差性能分析进行研究，并计算 S11、S12、S21、S22、增益、pout、1 dB 压缩点、ACP、3 次谐波、4 次谐波的 NMSE（单位为 %）次谐波和 5 次谐波分别为 0.0083、0.0055、0.0086、0.011、0.0844、0.814、0.926、0.71、0.22、0.012 和 0.070。
模拟电路和系统1.1课程编号
2。目的：本课程是使用晶体管的放大器的介绍。学生将被介绍给MOS晶体管，其特征，偏见的技术以及使用它们的放大器。基本的晶体管放大器阶段被视为使用负反馈对不同受控源的实现。每个放大器的小信号和大信号特征。在本课程结束时，学生应该能够使用MOS或双极晶体管识别和分析基本的放大器和偏置安排。
课程提纲Master_isc_1 RISE 2024-2028.pdf
内容模拟电子设备是电子产品的基本基础。即使今天非常存在数字，特别是由于较高的采样频率，某些功能的模拟产生对于接口仍然是必需的，有时更直接或更简单地处理信号。最初提出了MOS和双极晶体管（BJT）的基本方程（包括二极管的研究）。然后引入了大信号和小信号动态状态中电路的功能。本课程的第二部分介绍了常见和常见发行人类型的简单放大器的实现。套件涉及主要的差分结构（OPAM）及其应用：
ESE 273 微电子电路 2025 年春季 1. 课程...
这是第一门向学生介绍非线性器件基础知识和 IC 放大器设计的集成电路课程。本课程首先介绍二极管的器件物理、操作和建模。然后介绍 MOS 晶体管的操作、大信号晶体管电流作为不同操作区域中端电压的函数的推导，以及小信号模型。探讨单级放大器结构，并介绍电流源和电流镜的实现。介绍了共源放大器的频率响应。介绍了多级放大和差分对的概念。介绍了双极晶体管的操作和建模，以及共发射极放大器。介绍了 MOS 和 BJT 晶体管的比较以及共源和共发射极的性能。