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电子与通信工程VII-期限...
模拟器和Layout编辑器。研究由于VLSI技术的进步，研究各种问题。使用各种逻辑方法及其局限性研究数字电路。在VLSI技术的背景下突出电路设计问题。课程内容：I单元I实践考虑和VLSI设计介绍，集成电路的大小和复杂性，微电子领域的大小和复杂性，IC生产过程，处理步骤，包装和测试，MOS流程，NMOS流程，CMOS流程，CMOS流程，双极技术，双极技术，混合技术，设计规则和过程参数。单元II设备建模DC模型，小信号模型，MOS模型，高频和小信号的MOSFET模型，短通道设备，子阈值操作，MOSFET的噪声源建模，二极管模型，双极模型，被动组件模型。单元III电路模拟引入，使用SPICE，MOSFET模型，1级大信号模型，2级信号模型，高频模型，高频模型，MOSFET的噪声模型，大信号二极管电流，高频BJT模型，BJT噪声模型，BJT的温度依赖性。单元IV结构化的数字电路和系统随机逻辑和结构化逻辑形式，寄存器存储电路，准静态寄存器单元，敏锐的寄存器单元，微观编码控制器，微处理器设计，收缩期阵列，位序列处理元件，Algotronix。单元V CMOS处理技术基本CMOS技术，基本的N-Well CMOS过程，双浴缸工艺，CMOS ProcessEnhancement，互连和电路元素，布局设计规则，锁存规则，锁存，物理起源，锁存触发，锁存触发，预防预防，内部闩锁预防技术。
ECE 2285：工程电子实验室的基础
春季学期2025课程描述系统设计使用电气和计算机工程概念。使用独立和依赖电压和电流源设计，评估，构建，测试和调试非线性模拟电路。主题将包括用于非线性元件的电路分析技术和设计，例如放大器，二极管，双极和MOS晶体管。使用小信号和大信号技术来分析和设计晶体管电路，示例集中在单个和多稳定放大器上。微电回电路的频率响应分析，包括大小和相位响应。计算机电路模拟简介。讲座和实验室组成部分在相应的合作课程中。学期学时：1所需的必要条件：'C-'或ECE 2280课程成果和目标，学生将在以下Abet认证结果中进步：
ELEC 3509：电子学 II 2024 年秋季
日历描述：半导体器件和集成电路简介。双极结型晶体管的直流、交流和开关特性。线性放大器；带宽考虑；双端口分析。大信号放大器；功率放大器；无变压器电路。反馈和运算放大器；增益、灵敏度、失真和稳定性。滤波器设计。振荡器。在本课程中，学生将学习电子电路的分析和设计。将讨论分立电路和集成电路。本课程以涵盖基本电路和信号分析（在 ELEC 2501 中介绍）以及基本电子设备和电路（如二极管、双极结型晶体管、MOSFET 和放大器/整流器/调节器电路（在 ELEC 2507 中介绍））的概念为基础。在本课程中，单晶体管电路将扩展到由双极结型晶体管组成的多晶体管电路。将研究各种单晶体管和双晶体管放大器电路的设计，然后探索运算放大器。最后将看到一些运算放大器应用，例如滤波器和振荡器的设计。
端口控制相量哈密顿建模和 IDA-PBC...
摘要 —本文介绍了互连和阻尼分配无源性控制 (IDA-PBC) 原理在固态变压器 (SST) 的端口控制相量哈密顿 (PCPH) 模型中的应用（该模型由三个阶段组成，即交流/直流整流器、双有源桥式转换器和直流/交流逆变器）。使用动态相量概念为每个单独的阶段建立 SST 的 PCPH 模型。与其他 PBC 方法相比，IDA-PBC 提供了额外的自由度来求解偏微分方程。根据每个阶段控制器设计的目标，获得系统的期望平衡点。闭环系统性能实现恒定输出直流母线电压和单位输入功率因数的调节。整个系统的大信号仿真结果验证了为获得控制器而引入的简化，并验证了所提出的控制器。控制器的稳健性通过 20% 的负载扰动和 10% 的输入扰动得到证明。为了验证所提出的方法及其有效性，使用 Opal-RT 和 dSPACE 模拟器进行硬件在环仿真。
加利福尼亚大学，伯克利大学电气工程与计算机科学系EECS EECS 40秋季摘要
加利福尼亚大学伯克利工程学院2003年秋季第40周的第8周摘要（通过Farhana Sheikh）电路分析涉及非线性元素§§由于PN连接在本质上是非线性的，因此由PN连接分析产生的电路元素很复杂：例如。i d = i s [exp（qv d /kt）-1]§我们通常通过采用简化的非线性设备模型来简化分析（例如< /div>理想的二极管模型，大信号二极管模型）§图形方法还可以帮助用非线性元素完美整流器模型（理想二极管）分析电路的I-V特征，用于完美的直流或理想二极管的I-V特征。如果相对于所示的参考方向跨二极管施加了负电压，则二极管不会导致任何电流，并且二极管的行为作为开路。二极管被称为“反向偏见”。如果将正电流应用于二极管相对于参考方向，则二极管的行为作为短路，并通过零电压下降的任何电流。
一种基于瞬态建模的灰色盒方法用于在线...
摘要 - 本文提出了一种用于在线监视直流链接电容器的合适的灰色盒方法。发现AC/DC和DC/DC转换器中DC-Link电压的瞬时行为类似于并行RLC电路的零状态响应。此外，可以选择转换器的大信号瞬态轨迹的阻尼因子α（与电容有关）可以选择作为电容器的新健康指标。基于此，提出了一个非感官的瞬态等效电路模型（TECM）的灰色盒方法，该方法可以实现对DC-Link电容器的条件监视（CM），并且对详细拓扑和控制信息的依赖性最小。此外，它具有相对较高的适用性和极低的采样频率要求。采用AC/DC系统和DC/DC系统作为案例研究，模拟结果表明该建议的方法适用于具有不同负载类型的转换器。此外，选择商业电源作为实验案例。实验结果表明，阻尼因子α和DC-Link电容的估计误差小于1％。此外，给出了两个典型的白盒系统应用程序案例和一个灰色盒系统，以进一步说明该方法的实现。
一种通用的生物相容性和多功能固体电解质...
用于收集生物电信号的柔软且灵活的设备的开发正在为可穿戴和可植入应用获得动力。在这些设备中，有机电化学晶体管 (OECT) 因其低工作电压和大信号放大而脱颖而出，能够转换微弱的生物信号。虽然液体电解质已证明在 OECT 中有效，但它们限制了其工作温度，并且由于潜在的泄漏而对电子封装构成挑战。相反，固体电解质具有机械灵活性、对环境因素的稳健性以及桥接刚性干电子系统和柔软湿润生物组织之间界面的能力等优势。然而，很少有系统表现出与各种最先进的有机混合离子电子导体 (OMIEC) 的通用性和兼容性。本文介绍了一种高拉伸性、柔韧性、生物相容性、自修复性的明胶基固态电解质，该电解质与 p 型和 n 型 OMIEC 通道兼容，同时保持高性能和出色的稳定性。此外，这种非挥发性电解质在高达 120°C 的温度下仍保持稳定，即使在干燥环境中也表现出高离子电导率。此外，还展示了一种基于 OECT 的互补逆变器，其归一化增益创下了 228 V − 1 的最高纪录，相应的静态功耗超低为 1 nW。这些进步为从生物电子学到节能植入物的多种应用铺平了道路。
AP生物学学生样本来自2023年考试管理
概述问题1描述了PHO信号通路，该途径调节酵母中的磷酸盐稳态。问题刺激提出了一个简化的信号转导途径的模型和一个来自旨在研究Pho81和Pho4（两个蛋白质pho Pho途径）的作用的实验的数据表。在（a）部分中，学生应描述将带电的磷酸组添加到蛋白质中的效果（技能1.a；学习目标[lo] syi-1.c从AP生物学课程和考试描述[CED]）。还期望学生解释如何在信号转导途径中放大信号（技能1.c; lo ist-3.d）。在（b）部分中被期望通过识别因变量来证明对实验设计的理解，从而证明研究人员使用野生型酵母菌菌株作为产生突变菌株的背景，证明使用突变菌株的使用是合理的，这些突变菌株都包含一个对Pho Pathway的单个成分的突变（技能3.C）（技能3.C）。（c）部分中，学生可以通过识别导致最高相对量的PHO1 mRNA（技能4.B）来描述表中的数据。然后，要求学生计算暴露于高细胞外磷酸盐（高PI）环境的野生型细胞中APASE活性的百分比变化，而暴露于低PI环境的环境（技能5.A）。在（d）部分中，学生有望预测一个后续实验的结果，该实验测试了功能突变对PHO85的影响，Pho85是PHO途径中的另一种蛋白质（Skill 3.B; LO IST-3.G）。学生被期望证明他们的预测是合理的（技能6.C）。
M.Tech学位课程和VLSI设计的课程和教学大纲
主题代码主题名称L-T-P CRORC 22101设备建模3-0-0 3模块1（13小时）半导体表面，理想的MOS结构，MOS设备，热平衡中的MOS设备，非理想的MOS：工作函数差异，氧化物中的电荷，氧化物，界面状态，界面状态，非理想的MOS，flate traptage thatbage，flattage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage thatbage coldection a MOS，电荷计算（计算），计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算，计算电压，MOS作为电容器（2个端子设备），三个端子MOS，对阈值电压的影响。模块2（10小时）MOSFET（增强和耗尽的MOSFET），活动性，对当前特征，当前特征，亚刺孔摇摆，界面状态对子阈值的影响对子阈值的影响，排水电导和跨导电，源偏置的影响，源偏置和身体偏置对阈值电压和设备操作。模块3（6小时）缩放，短通道和狭窄的通道效应 - 高场效应。模块4（5小时）MOS晶体管在动态操作中，大信号建模，低频率和高频的小信号模型。模块5（8小时）SOI概念，PD SOI，FD SOI及其特征，SOI MOSFET，多门SOI MOSFET的阈值电压，替代MOS结构。参考：1。E.H. Nicollian，J。R. Brews，《金属氧化物半导体 - 物理与技术》，John Wiley and Sons。 2。 Nandita Das Guptha，Amitava Das Guptha，半导体设备建模和技术，Prentice Hall印度3. Jean- Pierrie Colinge，硅启用技术：VLSI的材料，Kluwer学术出版商集团。 4。 Yannis Tsividis，MOS晶体管的操作和建模，牛津大学出版社。E.H. Nicollian，J。R. Brews，《金属氧化物半导体 - 物理与技术》，John Wiley and Sons。2。Nandita Das Guptha，Amitava Das Guptha，半导体设备建模和技术，Prentice Hall印度3.Jean- Pierrie Colinge，硅启用技术：VLSI的材料，Kluwer学术出版商集团。4。Yannis Tsividis，MOS晶体管的操作和建模，牛津大学出版社。5。M.S.Tyagi，《半导体材料和设备简介》，John Wiley＆Sons，ISBN：9971-51-316-1。