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GTAS® 防漏、玻璃密封盖，适用于锂离子电池 - SCHOTT
关于肖特 130 多年来，国际技术集团肖特一直致力于开发和生产特殊玻璃和材料以及组件和系统，以改善人们的生活。全球约有 16,000 名员工每天都致力于满足客户的需求。作为肖特的一个业务部门，电子封装 (EP) 制造密封外壳和其他组件，以可靠、长期地保护敏感电子设备。肖特自 1939 年以来一直拥有玻璃-金属密封技术的经验，并且在安全气囊充气头、传感器外壳和电池密封等大批量汽车电子产品的密封封装方面处于世界领先地位。
2000 年度报告 - Teledyne Technologies
为了实现服务于这一不断增长的市场的目标，我们于 3 月初成立了一个新的运营部门，Teledyne OptoElectronics。为了增强我们为商业电信市场大批量生产光电模块的现有能力，我们对最先进的自动生产和测试设备进行了大量的资本投资，并组建了一支由才华横溢的工程师和技术人员组成的团队来拓展我们的微电子专业知识。这一举措已经开始产生回报，我们获得了三家主要组件 OEM 的光电模块生产和设计合同。随着我们进一步发展与客户的业务关系，我们期待着增加我们在商业光电市场的参与度。
2023 年年度报告
我们系统的出色性能和高成熟度是许多客户选择 AIXTRON 技术的理由：在许多细分市场中，AIXTRON 在大批量生产复合半导体方面发挥着关键作用。但是，我们在 2023 年有针对性地进一步扩展的全球客户服务对我们的客户来说至少同样重要。我们的工程师和技术人员不仅为客户提供安装、调试和流程启动方面的支持：他们还就如何使用我们的系统实现最佳结果并帮助进一步提高运营效率向他们提供建议。这也得到了我们客户的正式认可：2023 年，我们获得了包括德州仪器和台积电在内的多家主要半导体生产商颁发的供应商卓越奖。
科技政策简报-半导体芯片...
半导体芯片是电子技术的基石。1 汽车、笔记本电脑、智能手机、虚拟现实和工业机器人都依赖于芯片。芯片行业规模达 5000 亿美元，预计到 2029 年将增长到 1.3 万亿美元。2,3 芯片行业以研发为重点，全球供应链高度专业化，集中在少数地区。印度没有任何大批量生产的芯片制造设施（或晶圆厂）。2020 年，印度电子芯片的总消费量约为 11 亿卢比，全部通过进口满足。4 印度中央政府已宣布斥资 7600 亿卢比在印度建立晶圆厂的计划。本简介概述了与芯片制造相关的各种技术挑战。
平面 x 射频滤波器系列
Planar X 标准低通滤波器利用薄膜工艺技术，在各种介电基板上使用，这些基板专为在恶劣环境中使用而设计。低通滤波器响应通带从 DC 延伸到指定的截止频率，此时滤波器过渡到阻带。带通滤波器的通带由中心频率和带宽定义。通带滤波器响应的阻带低于和高于通带频率。Planar X 体积小、重量轻且可表面贴装，可用于大批量拾取和放置应用，是卫星通信、雷达和广播行业的理想选择。Smiths Interconnect 还可以提供增值、高可靠性测试选项，为任务关键型国防和太空应用提供保障。
利用智能平台实现精准医疗
从历史上看，制药行业一直采用小分子、大批量、按库存生产的药品供应链。精准医疗以特定疾病的患者为中心，产品旅程始于患者（血液分离术），终于患者（输液）。Infosys 开发的 IMPACT™ 方法具有必要的功能，可以考虑精准医疗解决方案的独特性，例如不断发展的科学技术进步、复杂的制造和供应链、身份链 (COI)、更高的治疗成本、患者隐私和时间敏感性；并定义精准医疗国家站点启动的路线图。图 2：用于开发精准医疗解决方案的 IMPACT TM 方法
2025新西兰投资组合指南-FMC AG
葡萄：在吸盘生长上存在任何木质化之前，适用于小于300毫米的吸盘。浆果水果：作为定向的大批量喷雾剂，涂在不超过25厘米长度的底细胞上。啤酒花：当啤酒花高2米，喷洒植物底部不超过1米时，将其作为定向喷雾剂涂抹。Haulm Desiccation：在衰老的后期应用，以提供马铃薯叶和藤蔓的干燥。可能需要在剧烈的品种上进行第二次应用。一般的杂草控制：在2至6叶阶段没有任何生物或非生物胁迫的2至6叶阶段之间进行了较小的杂草。按照指示使用时不需要重新编写间隔。
SGS 2021 综合报告
在战略投资组合发展方面，我们收购了 Brightsight，这是全球领先的网络安全评估实验室网络，提供基于芯片的安全支付系统、安全身份解决方案和物联网平台。此次收购大大加速了我们成为网络安全领域全球 TIC 领导者的战略。我们进行了四次收购，以扩大我们在健康科学、食品和化妆品供应链中的影响力。其中包括配方研发领域的领导者 Quay Pharmaceuticals Limited，进一步扩大了我们在健康科学供应链中的定位。我们还继续整合 2020 年 12 月收购的 SGS Analytics，这大大加速了我们在大批量环境测试中的欧洲中心辐射实验室模式。
稳健低噪声放大器的可行性研究与设计...
当然，GaN 技术的功率能力通常与 LNA 单元应用关系不大，但可以利用这些特性简化前端的设计。GaN 外延可以在碳化硅 (SiC) 和硅 (Si) 衬底上生长。SiC 具有出色的热行为，可大大缓解散热问题。然而，考虑到航天级 SiC 衬底供应商数量有限，它相当昂贵，并且可用于半径较小的晶圆。另一方面，使用 Si 衬底虽然在热行为和 RF 损耗方面有所不利，但与 SiC 相比，制造成本更低，这是大批量生产的一个重要方面：此外，Si 衬底将来应该允许在同一芯片上集成 RF 和数字子系统