机构名称：
¥ 1.0
当然，GaN 技术的功率能力通常与 LNA 单元应用关系不大，但可以利用这些特性简化前端的设计。GaN 外延可以在碳化硅 (SiC) 和硅 (Si) 衬底上生长。SiC 具有出色的热行为，可大大缓解散热问题。然而，考虑到航天级 SiC 衬底供应商数量有限，它相当昂贵，并且可用于半径较小的晶圆。另一方面，使用 Si 衬底虽然在热行为和 RF 损耗方面有所不利，但与 SiC 相比，制造成本更低，这是大批量生产的一个重要方面：此外，Si 衬底将来应该允许在同一芯片上集成 RF 和数字子系统
稳健低噪声放大器的可行性研究与设计...
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