从历史上看,HUD 的工资和费用资金通常由年度拨款(一年期资金)组成,这些资金一旦到期,拨款将无法使用。从 2019 联邦财政年度 (FY) 开始,国会向 HUD 拨款多年期工资和费用。有了这个新的两年期资金框架,一旦出现拨款中断,HUD 可能会有有限的工资和费用资金从上一财年结转,这些资金可以维持一些有限的政府运营。但是,任何可用的结转资金都将受到用途和金额的限制。随着即将出现的中断,OCFO-Budget 将调查可用的结转资金,并预测是否有任何此类资金可用于维持该部门各个计划或资金流的政府运营,如果有,哪些(如果有)计划或资金流可以获得资助以及资助多长时间。在进行此次审查时,OCFO-Budget 将充分利用任何可用的转移或重新编程权限,以便根据 HUD 高层领导的指示,尽可能公平地分配资源。
摘要:随着微电子封装与集成化的快速发展,封装结构中微焊点在冲击载荷作用下的失效风险日益受到关注。然而,由于尺寸减小和接头结构的演变,基于铜柱的微凸块接头的失效机理和可靠性性能很少能借鉴现有的板级焊点研究成果。本研究针对芯片上芯片 (CoC) 堆叠互连的微凸块接头的开裂行为,对 CoC 测试样品进行反复跌落试验以揭示裂纹形貌。研究发现,导致微凸块失效的裂纹首先在金属间化合物 (IMC) 层与焊料的界面处萌生,沿界面扩展一定长度,然后偏转到焊料基体中。为进一步探究裂纹扩展机理,采用围线积分法计算了IMC与焊料界面处裂纹尖端的应力强度因子(SIF),定量分析了焊料厚度和裂纹长度的影响,并与裂纹偏转准则相结合。将SIF与焊料-Ni界面和焊料基体的断裂韧性相结合,建立了裂纹偏离原始扩展路径的准则,可用于预测裂纹偏转的临界裂纹长度和偏转角。最后,通过板级跌落试验验证了焊料厚度与主裂纹临界偏转长度和偏转角之间的关系,并简要讨论了焊料基体中晶粒结构对实际失效寿命的影响。
在本文中,我们对豌豆植物(Pisum sativum)的光系统 I (PSI) 复杂网络实施并比较了文献中的 10 种节点移除(攻击)策略,代表了其节点/发色团之间的 FRET 能量转移。我们用四个指标来衡量网络稳健性(功能)。节点攻击策略和网络稳健性指标同时考虑了网络的二元拓扑和加权结构。首先,我们发现众所周知的节点中介中心性攻击在 PSI 网络上无效,这种攻击已被证明可有效拆除大多数现实世界网络的拓扑连通性。其次,PSI 较高的网络连接水平导致节点属性的退化,即使根据特定的节点中心性度量移除节点,也会导致类似随机的节点移除。即使受到节点攻击,这种现象也会导致 PSI 网络功能的下降非常小。这种结果表明,基于经典节点属性(例如度或中介中心性)的节点攻击策略在拆除具有非常高连接水平的现实世界网络时可能效率低下。最后,可以通过调整截止距离 (CD) 来构建 PSI 网络,该距离定义节点/发色团之间的可行能量传输,并逐步丢弃远距离节点/发色团之间的较低能量传输链接。这代表了一种“权重阈值”程序,使我们能够在从 PSI 中逐步修剪较低权重的链接时调查节点攻击策略的有效性
本文旨在研究和调查动态载荷下飞机结构失效的不同方法。飞机结构失效会导致灾难性的后果,导致升力和飞机大量损失。因此,调查导致飞机失效的主要原因非常重要。本文讨论了飞机机翼结构材料失效的主要原因以及疲劳失效。在调查的同时,还通过不同的案例研究及其结果总结了未来的补救措施。飞机机翼采用高强度材料制造,因此它们可以在较长时间的飞行中承受较大的载荷。疲劳失效监测现已纳入所有飞机。故障监测系统收集计算安全寿命、损伤寿命或检查整架飞机所需时间所需的所有数据。本文介绍了军用敏捷飞机的疲劳监测系统和工具。它全面回顾了军用飞机及其当前系统中使用的所有技术。通过不同故障分析方法的案例研究,提出了一些主要问题及其纠正措施。本综述论文包括不同的测试、分析及其步骤。
金属在受到重复的循环载荷时会出现疲劳损坏。每个循环中的应力大小不足以在单个循环中导致失效。因此,需要大量的循环才能导致疲劳失效。重要的是,疲劳裂纹在远低于金属单调抗拉强度的应力水平下成核和生长。裂纹以非常小的量连续前进,其增长率由载荷大小和部件的几何形状决定。人们对钢的疲劳进行了大量研究。在此背景下,首先简要描述了碳钢和低合金钢中的主要微观结构以及这些微观结构的相变。随后,描述了疲劳机制的一些基本方面的知识,特别强调了疲劳寿命预测方法的发展。
垂直堆叠的三维集成电路 (3D IC) 中的芯片间电通信由芯片间微凸块实现。微凸块的电迁移可靠性对于了解基于 3D IC 的微电子系统的可靠性至关重要。本文报告了通过热压键合在两个芯片之间形成的 Cu-Sn-Cu 微凸块的电迁移可靠性的实验研究。双芯片 3D IC 组装在线键合陶瓷封装中,并在不同温度下的空气和氮气环境中进行电迁移测试。测量了微连接链和开尔文结构的故障寿命和平均故障时间 (MTTF)。结果表明,Cu-Sn 微连接的本征活化能介于 0.87 eV 和 1.02 eV 之间。基于故障分析,提出了可能的故障机制。这项研究的结果有望提高人们对 3D IC 中电迁移可靠性的根本理解,并促进基于 3D IC 的稳健可靠的微电子系统的开发。2014 Elsevier BV 保留所有权利。