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World File Search System失配
背景高速时间交错 ADC 中的时序失配校准技术：教程回顾
稿件于 2022 年 1 月 27 日收到；于 2022 年 3 月 15 日接受。出版日期 2022 年 3 月 21 日；当前版本日期 2022 年 5 月 27 日。这项工作部分由中国国家重点研发计划资助（资助号 2019YFB1310000），部分由中国澳门科学技术发展基金资助（文件编号 0052/2020/AGJ & SKL-AMSV(UM)-2020-2022）。副主编 E. Bonizzoni 推荐了这篇简介。（通讯作者：Sai-Weng Sin。）Mingqiang Guo 和 Sai-Weng Sin 就职于澳门大学模拟与混合信号超大规模集成电路国家重点实验室、微电子研究所和 FST-ECE（电子邮件：mqguo@um.edu.mo；terryssw@um.edu.mo）。 Liang Qi 和 Guoxing Wang 就职于上海交通大学微纳电子学系，上海 200240，中国（电子邮件：qi.liang@sjtu.edu.cn；guoxing@sjtu.edu.cn）。Dengke Xu 就职于珠海安微半导体有限公司，珠海 519000，中国（电子邮件：sunny.xu@amicro.com.cn）。Rui P. Martins 就职于模拟与混合信号超大规模集成电路国家重点实验室、微电子研究所和澳门大学 FST-ECE，澳门，中国，现就职于里斯本大学高等技术学院，里斯本 1049-001，葡萄牙（电子邮件：rmartins@um.edu.mo）。本文中一个或多个图片的彩色版本可在 https://doi.org/10.1109/TCSII.2022.3160736 上找到。数字对象标识符 10.1109/TCSII.2022.3160736
具有电流失配减少功能的高摆幅电荷泵
摘要 电荷泵 (CP) 在现代锁相环 (PLL) 实现中被广泛使用。CP 电流失配是 PLL 输出信号中静态相位偏移和参考杂散的主要来源。本文提出了一种在宽输出电压范围内具有小电流失配特性的新型 CP。专门设计的双补偿电路使用单位增益反馈运算放大器和电流镜来降低输出电压接近电源电压 (V DD ) 或地 (GND) 时的电流失配。并且使用附加反馈晶体管来降低沟道长度调制效应的影响。后版图仿真结果表明，采用 40 nm CMOS 工艺的所提出的 CP 的输出电流为 115 μA。此外，在 0.04 至 1.07 V 的输出电压范围内，电流失配小于 0.97 μA 或 0.84%，覆盖了 1.1 V 电源的 93.6% 以上。因此，所提出的 CP 最大化了动态范围，并降低了 CP-PLL 的相位偏移和参考杂散。关键词：电荷泵、电流不匹配、动态范围、锁相环分类：集成电路（存储器、逻辑、模拟、射频、传感器）
使用纵横比捕获和界面失配生长方法在 (001) Si 衬底上 MOCVD 生长 GaSb 的比较 Billy Lai、Qiang Li、Kei May
GaSb 在长波长器件中有许多应用，例如带间级联激光器和红外光电探测器 [1-2]。将 GaSb 相关材料单片集成到硅上对于扩展长波长器件的功能和硅平台上的光子集成具有很高的吸引力 [3]。此外，考虑到现代智能手机中红外设备（包括传感器和投影仪）的日益普及，集成到硅上是降低制造成本、减小尺寸和提高产量的有效解决方案。然而，与 GaAs/Si 和 InP/Si 材料系统相比，GaSb/Si 异质外延还远未成熟。在本研究中，以在 GaAs 衬底上生长的 GaSb 为参考，我们研究了两种不同的集成方案：在 GaAs-on-Si 模板上进行 GaSb 的界面失配 (IMF) 生长和使用长宽比捕获技术直接在 V 型槽 Si 上生长 GaSb。