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采用远程等离子体辅助氢解吸和乙硅烷作为前驱体的硅原子层外延
沉积 (RPCVD) 系统以尽量减少表面损伤。起始表面是二氢化物和一氢化物终止的组合。ALE 实验周期包括用等离子体中的氦离子轰击基底 1-3 分钟以使其解吸，然后在无等离子体激发的情况下，在一定分压范围（1&- 7 Torr 至 1.67 mTorr）、温度范围（250 0 C-400 0 C）和时间范围（20 秒至 3 分钟）内用乙硅烷对表面进行剂量控制，以自限制方式将 Si2H6 吸附在轰击产生的裸露表面 Si 原子上，形成硅基 (SiH3) 物种，从而形成氢终止表面。在 3 分钟的轰击周期内，获得的最大生长量为每周期 0.44 个单层。随着轰击周期时间的减少，每周期的生长量减少，表明氢去除的百分比随着轰击时间的增加而减少。
原子层沉积：一种有效的防腐工具
原子层沉积 (ALD) 是目前广泛应用的薄膜生长方法。它目前用于微电子和发光显示技术的工业制造工艺。由于可以生长致密、保形的薄膜，并且厚度可以得到完美控制，因此 ALD 有望用于许多其他应用领域，如能源、传感、生物材料和光子学。尽管关于其在防腐方面的应用报道很少，但事实已证明 ALD 的优良特性对该领域大有裨益。在简要回顾了 ALD 的原理以及主要参数对薄膜性能的影响之后，本报告试图展示该技术在减轻腐蚀方面的应用。本文回顾了在不同领域成功使用 ALD 来保护金属和非金属表面的各种实例。
通过原子层沉积多种缓解量
这项研究研究了使用原子层沉积（ALD）来减轻粒子加速器中使用的超导无线电频率内部的多重现象，同时在10个10范围内保留高质量的因子。在任意复杂形状对象上控制膜厚度至原子水平的独特ALD能力使TIN膜电阻率和总电源发射产量（TEEY）从优惠券到设备进行微调。这种控制水平使我们能够充分选择锡膜厚度，该薄膜厚度既可以提供高电阻率，以防止欧姆损失和低圆锥形，以减轻多重损失，以应用感兴趣。这项工作中所述的方法可以缩放到真空中受RF场的其他域和设备，并且对具有自身在电阻性和TEEY值的要求的多重或电子交换过程中敏感。
原子层沉积 Al2O3 作为热氧化和等离子氧化的屏障
电子邮件：stephane.calvez@laas.fr 简介 原子层沉积 (ALD) 纳米厚的 Al 2 O 3 层或其他电介质层已被证实是一种有效的方法，可用于创建敏感材料封装层，防止其因周围大气中的水分和氧气含量而发生降解 [1,2]。另外，由氧气（分别是水）引起的半导体材料向绝缘体的腐蚀转变，称为干（湿）氧化，通常用于微电子和光子器件以及集成电路的制造，作为引入实现晶圆上光学路由 [3–6] 和/或电连接所需的电和/或光子限制的一种方式。特别是在硅光子器件制造中，后者的工艺通常涉及将硅层在高温或等离子体中暴露于水/氧气中，并通过厚度大于 100 nm 的 SiN x 掩模实现局部氧化保护 [3,4]。在此背景下，我们在此报告了使用 ALD 沉积的 Al 2 O 3 作为节省材料的氧化屏障以防止硅晶片的等离子诱导或高温热氧化的能力的研究。样品制备通过热 ALD 在硅晶片上沉积具有纳米厚度的 Al 2 O 3 薄膜。低压热 ALD 沉积由重复循环组成，每个循环包括 300 ms 的三甲胺铝 (TMA) 脉冲，然后在 N 2 下进行 2800 ms 的吹扫，150 ms 的水蒸气脉冲，以及在 N 2 下进行 6700 ms 的第二次吹扫。这里测试了两个沉积温度，90°C 和 150°C。使用可变角度光谱椭圆偏振法（使用 Accurion EP4 系统）测量所得层厚度。图 1 显示了 Al 2 O 3 厚度随沉积循环次数变化的记录。在 0 个循环时，测量到的厚度对应于天然氧化硅（测量到约 2 纳米）。在 15 个沉积循环之前，成核开始以异质生长（见图 1 插图）。超过 15 个循环后，沉积厚度以每循环生长率 (GPC) 0.19 纳米/循环线性增加，并且与沉积温度的依赖性较弱。随后使用紫外光刻和湿法蚀刻对 Al 2 O 3 涂层样品进行图案化，以获得具有 Al 2 O 3 保护和未保护硅区域的样品。使用稀磷酸（去离子水/H 3 PO 4 (37%) 1/1 溶液）在精确的 67°C 温度下进行层蚀刻，蚀刻速率为 30 纳米/分钟。分别用水和丙酮进行冲洗和清洁。测试了两种类型的氧化：干热氧化和等离子氧化。干热氧化方案包括在 5L/min 的 O 2 流量下从 30°C 开始线性升温（8.2°C/min），然后在 9L/min 的 O 2 流量下以 1000°C 进行恒温步骤，然后在 5L/min 的 O 2 流量下以 -16.3°C/min 的温度衰减。低压 O 2 等离子体氧化在 Sentech Si-500 设备中进行，使用 30 分钟的重复处理，其中样品受到 O 2 等离子体处理，RF 功率为 800W，基板温度保持在 100°C 以下。在这两种情况下，通过成像光谱椭圆偏振法测量处理过的样品的保护区和未保护区的氧化厚度。图 2 左侧显示，如果 Al 2 O 3 厚度大于 ~9 nm（45 个循环），则干氧化不会进行，而对于更薄的覆盖层，干氧化会减少。SEM 横截面（如图 2 中的插图所示）进一步证实了这一观察结果。类似地，观察到等离子体氧化导致氧化物生长遵循平方根定律的时间依赖性（Deal 和 Grove 模型 [7]），但对于（30 次循环）Al 2 O 3 涂层样品部分，其氧化速率降低。
通过原子/分子层沉积研究对苯二甲酸铜金属有机骨架薄膜的气相合成
无溶剂合成和加工金属有机骨架 (MOF) 对于将这些材料应用于应用技术至关重要。MOF 薄膜的气相合成特别适合此类应用，但与传统的基于溶液的方法相比具有挑战性。因此，推进和扩大 MOF 薄膜的气相合成势在必行。结晶对苯二甲酸铜 MOF 薄膜通过原子和分子层沉积 (ALD/MLD) 在不同种类的基底上以气相生长。从先驱工作扩展而来，首次清楚地证明了 3D 相的形成，并揭示了该工艺对多种基底的适应性。在 ALD/MLD 工艺的早期阶段观察到定向膜生长，导致表面上取向的 MOF 晶体，当随着 ALD/MLD 循环次数的增加而进行各向同性生长时。值得注意的是，这项研究主要展示了使用具有晶格匹配拓扑的 DMOF-1 单晶作为起始表面，在气相中实现异质外延生长。这种方法为在气相中开发 MOF 超晶格材料提供了一种有吸引力的途径。
原子层沉积稳定纳米晶体，使高性能量子点LED
量子点发光二极管（QD-LED）具有稳定的高官方，对于下一代显示至关重要。然而，无法控制的衰老，在储存期间效率最初增加（正衰老），但在延长的衰老（负衰老）（负衰老）时完全损失，这会阻碍进一步的设备开发。发现，基于纳米晶（NC）的电子传输层（ETL）的化学变化会导致正衰老，它们的结构漂移和形态导致瞬时改善的电荷注入平衡。使用放牧的小角度X射线散射，发现Znmgo NCS在衰老过程中进行了量身定量的成熟，改善了尺寸均匀性并创造了更平滑的能量景观。仅电子设备的测量结果显示，陷阱状态下降了7倍，表明Znmgo的表面钝化增强。这些见解，结合了ZnMGO表面结合的密度功能理论计算，激发了具有Al 2 O 3的原子层沉积（ALD）策略，以永久抑制表面陷阱并抑制NC的生长，从而有效地消除了老化诱导的效果损失。这种ALD工程的Znmgo ETL使得在30批LED中可重复可重复可重复的外部量子效应（EQE）为17％，在4500 cd m-2的初始亮度为4500 CD M-2的LED中，t 60 h 60 h，代表EQE的增长1.6倍，并且在运行式稳定性的稳定性上的提高了1.6倍。
耦合磁层 - 离子层系统中能量传递和分配的基本模式是什么？
摘要在理论上对大规模电磁场和等离子体之间的能量交换负责的基本过程在理论上是充分理解的，但实际上尚未对这些理论进行测试。这些过程在所有等离子体中都是无处不在的，尤其是在行星磁圈和其他磁性环境中高和低β等离子体之间的接口。尽管这种边界遍布等离子宇宙，但尚未完全识别导致储存磁和热等离子体能量的过程，并且每个过程的相对影响的重要性尚不清楚。尽管通过在磁重新连接中转换为磁到动能来理解能量释放方面，但过渡区域中拉伸和更松弛的田间线之间的极端压力如何平衡，并通过血浆和田地的绝对对流来释放并释放。必须测试最新的理论进步和大规模不稳定性的预测。本质上，负责的过程仍然很少理解，问题尚未解决。白皮书的目的提交了ESA的2050年航行电话，以及本文的内容是突出三个出色的开放科学问题，这些问题显然是国际兴趣的：（i）当地和全球等离子体物理学的相互作用：（ii）电子磁性对转换过程中电子磁性和质子质量能量之间的分配过程中的分配量和plasma Energy之间的分配量和（III II III和（III II II）和（III II）和（III）和（iii and conteres and corte and corte and conteres and（III II）。我们对当前最新的新测量和技术进步进行了讨论，以及这些国际高优先科学目标可以大大提高的几个候选任务概况。
SnO2 在金属卤化物钙钛矿上原子层沉积的界面缺陷形成
HAL 是一个多学科开放存取档案库，用于存放和传播科学研究文献，无论这些文献是否已出版。这些文献可能来自法国或国外的教学和研究机构，也可能来自公共或私人研究中心。
二维氧化物纳米片种子层对化学溶液沉积制备（100）BiFeO3 薄膜生长的影响
V. Bouquet、F. Baudouin、Valérie Demange、S. Députier、Sophie Ollivier 等人。二维氧化物纳米片种子层对化学溶液沉积合成的 (100)BiFeO3 薄膜生长的影响。《薄膜固体》，2020 年，E-MRS 氧化物薄膜 VII，693，第 137687 页。�10.1016/j.tsf.2019.137687�。�hal-02378433�
激光波长和脉冲能对原子层析成像中锡涂层蒸发行为的影响：多功能仪研究
研究了激光波长对原子探针断层扫描（APT）中元素组成分析中精度的影响。系统比较了三种不同的商业原子探针系统 - LEAP 3000 x HR，LEAP 5000 XR和LEAP 6000 XR-用于研究较短激光波长的锡模型涂层，尤其是在深紫外线（DUV）范围内，对蒸发行为的影响。发现的结果表明，较短波长的使用提高了元素组成的准确性，而主潮具有相似的电场强度。因此，热效应减少，进而提高质量分辨能力。这项研究的一个重要方面包括估计不同工具的能量密度比。波长的降低伴随着由于激光斑点尺寸较小而导致的能量密度增加。此外，还研究了检测器技术的进步。最后，确定探测器的死时间，并评估了死区，以调查具有LEAP 6000 XR的氮化物测量中的离子堆积行为。