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电场对硅基单分子层的影响
图 2 . a) 新鲜状态下 S-1 SAM 的 AFM 形貌图像。b) 对 SAM S-1 施加 0.6 V 电化学电位 1 分钟后获得的 SAM S-2 的 AFM 形貌图像。c) 对 SAM S-1 施加 +1.5 V 电化学电位 10 分钟后获得的 SAM S-2 的 AFM 形貌图像。d) 新鲜制备的 SAM S-1 上水滴的静态图像。e) 对 SAM S-1 施加 +0.6 V 电化学电位 1 分钟后获得的 SAM S-2 上水滴的静态图像。f) 对 SAM S-1 施加 +1.5 V 电化学电位 10 分钟后获得的 SAM S-2 上水滴的静态图像。 S-1 SAM 的 XPS 高分辨率 Si 2p 光谱（g）新鲜制备、（h）在 +0.6 V 下氧化，和（i）在 + 1.5 V 下氧化。
对MOF吸收在羟基化和非羟基化金属氧化物表面上吸收的第一原理研究及其对MOS2原子层沉积的影响
对二维过渡金属二核苷的显着兴趣已通过可伸缩的蒸气相，例如化学蒸气沉积（CVD）和原子层沉积（ALD）进行了许多实验研究。ALD通常允许较低的沉积温度，化学前体的成核需要与表面官能团的反应。用于研究ALD建模的一种常见的第一原理方法是计算提出的反应途径的活化能。在这项工作中，我们使用密度功能理论（DFT）计算了部分电荷密度，状态（LDO）的局部密度（LDOS），不良电荷分析，吸附能和电荷密度差，以研究MOF 6在包括Al 2 O 3，HFO 2，HFO 2和MGO在内的三个氧化物表面上MOF 6的成核。我们的发现表明，羟基（OH）有助于降低MOF 6的前半循环期间的反应屏障，并促进氧化物底物上前体的化学吸收。这一发现得到了高离子MF X（M =金属，X = 1，2，3）在氧化物表面的键的支持。通过比较有和没有羟基的表面，我们强调了表面化学的重要性。
具有主动学习的自适应量子层析成像
最近，在量子科学和技术领域取得了巨大进展：量子模拟的不同平台以及量子计算的平台，从超导量子量到中性原子，始于开始，以达到前所未有的大型系统。为了基准这些系统并获得物理见解，需要有效的工具来表征量子状态。系统尺寸的希尔伯特空间的指数增长构成了对量子状态的全面重建，这是根据必要测量的数量而过于要求的。在这里，我们提出并实施了使用主动学习的量子状态效率的效率方案。基于一些初始测量，主动学习协议提出了下一个衡量基础，旨在产生最大信息。我们将主动学习量子状态态度方案应用于具有不同程度的范围的不同多数状态，以及1D中XXZ模型的基态和动力学结合的旋转链的基态。在所有情况下，与基于完全相同数量的测量和测量配置的重建相比，我们都会获得明显改进的重建，但具有最多选择的基础配置。我们的方案与获得量子多体系统以及基准测试和特征量子设备的物理见解高度相关，例如用于量子模拟，并为可伸缩的道路铺平了道路
原子层沉积薄膜中的界面
和压力，并在每次前体暴露之间进行吹扫循环。[3] 需要彻底了解以选择前体、基材和发生自饱和沉积的温度窗口。之前已全面介绍了 ALD 类型和前体化学，重点是金属硫化物及其应用。[4] 本综述重点介绍 ALD 生产的薄膜中的界面相互作用。术语“界面”是指两相之间的边界——前一层结束和下一层开始的分离边界。理想情况下，这两层在化学上不具有相互作用，界面充当向下一种材料的突然转换。然而，在实践中，接触区域中的物理、化学和电子相互作用是不可避免的。这些相互作用引起的各种现象为与界面相关的研究开辟了新的途径。例如，最明显的相互作用可能是涉及晶格的相互作用。Short 等人。 [5] 报告称，他们在沉积 ZnS 和 Cu x S 多层薄膜的过程中发现，薄膜的结构取决于最先沉积的材料：Cu 2 S 主要呈现单斜结构，而 CuS 和 ZnS 则呈现六方取向。[6]
新鲜人脑的本地超微结构直接从尸检中剥离，由低温电子层析成像揭示出具有冷冻血压浓缩的离子束铣削
运行标题：塞内克斯抑制CDK8/19鲁棒性强制执行病毒潜伏期，这是HIV-1治疗关键词的“阻止和锁定”策略：CDK7； CDK8; CDK9; CDK19; YKL-5-124; LDC000067;塞内克斯蛋白A; HIV-1;潜伏期；转录； tfiih;介体激酶； p-tefb;块和锁 *通信：I。Sadowski，Dept.生物化学和分子生物学，UBC，2350 Health Sciences Mall，Vancouver，B.C.，V6T 1Z3，加拿大；电子邮件：ijs.ubc@gmail.com;电话：（604）822-4524;传真：（604）822-5227。
CBF表达1（ICE1）的诱导剂促进冷 - 一个神经语音解码框架利用深度学习和语音综合 使用pydna-epbd检查DNA呼吸 新鲜人脑的本地超微结构直接从尸检中剥离，由低温电子层析成像揭示出具有冷冻血压浓缩的离子束铣削 转录细胞周期蛋白依赖性激酶的小分子抑制剂施加了HIV-1潜伏期，呈现“块和锁定”治疗策略 通过人类生命跨度的功能连接 青少年和年轻人的皮质回旋和睡眠之间的关联 序列特异性DNA结合蛋白的计算设计 auranofin诱导了由活性氧驱动的高级氧气驱动的致死性 基因组，功能性和代谢增强在多种耐药的肠杆菌中，促进了国际空间站的持久性和继承 单碳代谢营养素影响肝脏中DNA甲基化和基因表达之间的相互作用，增强了大西洋鲑鱼中的蛋白质合成 标题：期间从头和打捞嘌呤合成的时空调节 1原位冷冻揭示了抑制剂引起的扰动。 宇宙是不对称的，小鼠大脑也是 串联和整个基因组重复的蜘蛛soneobox基因库的演变 adeno到Quamous的过渡驱动对LKB1突变体1 中KRAS抑制的抵抗力
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薄膜的原子层沉积
摘要 原子层沉积（ALD）已成为当代微电子工业中不可或缺的薄膜技术。ALD 独特的自限制逐层生长特性使该技术能够沉积高度均匀、共形、无针孔的薄膜，并且厚度可控制在埃级，尤其是在 3D 拓扑结构上。多年来，ALD 技术不仅使微电子器件的成功缩小，而且还使许多新颖的 3D 器件结构成为可能。由于 ALD 本质上是化学气相沉积的一种变体，因此全面了解所涉及的化学过程对于进一步开发和利用该技术至关重要。为此，我们在本综述中重点研究 ALD 的表面化学和前体化学方面。我们首先回顾了气固 ALD 反应的表面化学，并详细讨论了与薄膜生长相关的机制；然后，我们通过比较讨论 ALD 工艺中常用的前体来回顾 ALD 前体化学；最后，我们有选择地介绍了 ALD 在微电子领域的一些新兴应用，并对 ALD 技术的未来进行了展望。
反应性离子和原子层蚀刻的损伤分析...
在当前的MSC论文中，使用具有Cl 2 /ar +过程的常规RIE和具有相同蚀刻化学的新开发的啤酒对Si（100）中的辐射损伤进行了比较研究。然后通过开尔文力探针显微镜（KFPM）测量接触电势差（CPD）分析的表面损伤。这些实验的结果表明，由于CPD的值和蚀刻表面的工作函数远低于ALE样品的值，因此RIE过程造成的损害很高。根据接近原始Si的CPD值，啤酒过程显示在蚀刻的Si样品上几乎最小损伤形成（100）。最后，该项目为与本研究所使用的不同条件下进一步研究啤酒损害打开了大门，因为它对纳米制作和半导体行业的重要性。
原子层沉积（ALD）前驱体本地招标（...
• 投标人应属于 1 类或 2 类供应商，以 GFR 最近修订版中定义的“本地内容”为区分。投标人应在附信中明确说明其属于哪一类。a) 1 类供应商：货物和服务的本地内容应等于或大于 50%。b) 2 类供应商：货物和服务的本地内容应等于或大于 20% 且小于 50%。• 报价应仅来自印度原始设备制造商 (OEM) 或其印度授权经销商。• 报价应以 FOR-IISc 班加罗尔为基础，仅以印度卢比为单位。• 提供进口产品的投标人将属于非本地供应商类别。他们不能通过以下方式声称自己是 1 类本地供应商/2 类本地供应商：
采用交错小分子抑制剂和集成背蚀刻校正进行 SiO2 高通量区域选择性空间原子层沉积，实现低缺陷率
开发了一种首创的 SiO 2 区域选择性沉积工艺，包括在同一空间原子层沉积 (ALD) 工具中交替曝光小分子抑制剂 (SMI) 和背蚀刻校正步骤的薄膜沉积。这些方面的协同作用导致选择性 SiO 2 沉积高达 ˜23 nm，具有高选择性和高吞吐量，具有 SiO 2 生长区域和 ZnO 非生长区域。X 射线光电子能谱 (XPS) 和低能离子散射光谱 (LEIS) 均证实了选择性。已经通过实验和理论比较了两种不同的 SMI（乙基丁酸和新戊酸）赋予的选择性。密度泛函理论 (DFT) 计算表明，使用两种 SMI 进行选择性表面功能化主要受热力学控制，而使用三甲基乙酸时实现的更好选择性可以通过其比乙基丁酸更高的堆积密度来解释。通过在其他起始表面（Ta 2 O 5、ZrO 2 等）上使用三甲基乙酸作为 SMI 并探测选择性，证明了羧酸抑制剂在不同基底上的更广泛用途。人们认为，当前的结果突出了 SMI 属性的微妙之处，例如尺寸、几何形状和堆积，以及交错的回蚀步骤，这些对于开发更有效的高选择性沉积工艺策略至关重要。