4.1 程序存储器地址映射 ......................................................................................................4-2 4.2 程序计数器 ................................................................................................................4-4 4.3 从程序存储器访问数据 ..............................................................................................4-4 4.4 从数据空间可视程序空间 ............................................................................................4-8 4.5 程序存储器写入 ......................................................................................................4-10 4.6 相关应用笔记 .............................................................................................................4-11 4.7 版本历史 .............................................................................................................4-12
William Horrocks,OPTI 646 最终论文摘要。虽然量子信息科学在概念上与经典计算和理论有许多相似之处,但需要从头开始重新构想一些组件,才能有效地处理量子信息。“记忆”的概念,更具体地说,信息存储的构成就是这些概念之一。量子存储系统是众多对 NISQ 设备及其他设备的操作至关重要的系统之一。虽然量子存储器的基本功能类似于经典存储器,但量子状态下脆弱信息的细微差别需要仔细构建存储系统。在解决了量子存储器的基本功能之后,将介绍一个简单的实现,以进一步阐述要点。与传统计算类似,由于功能相似,多种设备都属于“存储器”的标签,但人们可以选择一些特征来优化其他特征,以最适合当前的情况。最后,我将以快速提及量子存储器协议和应用程序的一些有趣的最新发展来结束这篇评论。感兴趣的读者将根据需要参考文献。 1. 基本原理和功能 如前所述,量子存储器在功能上在概念上与经典存储器相似。一般来说,两者都负责记录所需信息并允许用户在稍后指定的时间访问。在非常简单的层面上,经典计算中的读写过程非常简单。要写入,外部系统输出一个二进制值零或一,该值被发送到经典存储器并被观察,并且存储器系统的一部分被更改以反映传入的值。类似地,读取操作可以被认为是逆操作;读取请求在指定时间触发,观察、复制存储器中的指定值并将其发送到所需位置。 在量子存储系统中,虽然中心思想相似,但量子信息所带来的挑战(主要是由于坍缩假设和不可克隆定理)要求谨慎处理存储问题。虽然期望很简单,但实现往往并非如此;必须在不改变系统的情况下“记录”未知的量子状态,并在用户定义的时间重现,同时避免直接干扰状态。由于量子信息的脆弱性,要高效完成这项工作相当困难。然而,正如量子力学提出挑战一样,巧妙地使用基本的量子光学概念可以提供多种解决方案。这些解决方案的复杂性最好通过一个例子来说明。2. 实验实现、性能参数和附加功能虽然它们都具有相似的功能,将量子记忆系统划分为不同的类别有助于使问题更容易处理。根据(Simon 等人,2010 年),量子记忆方案可以分为四个不同的类别:单光子记忆、一般状态记忆
量子控制是指具有所需精度为1的动态量子系统从初始目标或结果1。几种模拟控制波包及其应用的理论和实验方法对于为将来的仿真或量子计算方案铺平道路非常有用。在其中许多中,要控制的物理系统都是由外部电位驱动的,外部电位需要一直在体验中控制,直到达到目标为止。尽管在这项工作中我们没有声称提供量子控制的一般理论,但我们提供了一种新方法,其中控制方案一劳永逸地编码为其初始状态。这里的主要主角不是通用量子系统,而是在离散时间4 - 6中进行量子步行(QW)。鉴于此简单系统的公认多功能性,实际上似乎是一种特殊的选择,实际上具有巨大的潜力。实际上,QW是一种通用的计算模型7、8,它涵盖了大量的物理和生物学现象,与基本科学和应用都相关。应用程序包括搜索算法9 - 12和图形同构算法13,以建模和模拟量子14 - 18和经典动力学19,20。这些模型引发了各种理论调查,涵盖了数学,计算机科学,量子信息和统计力学领域的领域,并在任何物理维度21、22和几个拓扑结构中都定义了23 - 25。QW出现在多个变体中,可以在任意图上定义。本质上,这些简单的系统具有两个寄存器:一个用于图表上的位置,另一个是其内部状态,通常称为硬币状态。它在图表上以内部状态为条件,类似于经典案例,在每个步骤中,我们翻转硬币以确定步行者的方向。本质上的区别在于,在量子情况下,步行者在图表上以从节点开始的各个方向上传播。此功能允许量子步行器四四式探索图形的经典范围,该属性使设计非常有用,例如高效的搜索算法。但是,我们不知道控制量子步行者演变的许多方法。例如,我们可以选择初始条件和进化操作员来调整步行者的方差σ(t)= af(t),其中a是一个真实的预替代器,f(t)通常是t的线性函数。然而,一旦它们在初始时间固定,f和a均在整个演化中保持不变,除非我们不允许进化操作员在每个时间步长以既定方式更改,否则在26、27中,这可能是非常昂贵的。我们如何在不必更改进化操作员的情况下控制沃克的动态?是否可以控制只有初始条件,方差或平均轨迹?在本手稿中,我们认为,以引入量子记忆的代价,答案是肯定的。带有内存的量子步行已经进行了研究,并有几种变体28、29。举例来说,这些修改的量子步行可能会有额外的硬币来记录沃克的最新路径,如30,31。在这里,这个想法是为网格中的每个位点定义一个额外的量子,步行者在整个演化过程中与之相互作用。令人惊讶的是,我们将证明整个系统的初始条件,内存 + Walker,足以控制步行者的方差和均匀位置。兴趣是双重的:从一方面,我们提供了一个简单的分布式量子计算模型,以控制单个量子沿其动力学,这将不需要我们控制和调整
ROM 的类型 顾名思义,只读存储器 (ROM) 包含不可更改的永久数据模式。ROM 是非易失性的;也就是说,无需电源即可保持存储器中的位值。 可编程 ROM (PROM) 与 ROM 一样,PROM 也是非易失性的,只能写入一次。对于 PROM,写入过程以电气方式执行,可以由供应商或客户在原始芯片制造之后的某个时间执行。 光可擦除可编程只读存储器 (EPROM) 和 PROM 一样,以电气方式读取和写入。但是,在写入操作之前,必须通过将封装芯片暴露在紫外线下将所有存储单元擦除为相同的初始状态。 更有吸引力的主要读存储器形式是电可擦除可编程只读存储器 (EEPROM)。这是一种主要读存储器,可以随时写入而不会擦除之前的内容;只更新寻址的字节或字节。写入操作比读取操作花费的时间长得多,大约为每字节几百微秒。另一种半导体存储器是闪存(因其重新编程速度快而得名)。闪存于 20 世纪 80 年代中期首次推出,在成本和功能上介于 EPROM 和 EEPROM 之间。与 EEPROM 一样,闪存使用电擦除技术。一整块闪存可以在一秒或几秒内被擦除,这比 EPROM 快得多。
近期会议中详细介绍了上述主题:《海量存储器:现状与展望》Christophe Le Lann,DASIA 2022 / 2-C-1,2022 年 5 月 18 日海量存储器单元简介/组件选择/特性和鉴定/缓解策略阐述/存储器控制器开发/海量存储器单元构建/收获飞行遗产/提高性能
请注意!本文件仅供参考,本文提供的任何信息在任何情况下均不视为对我们产品的任何功能、条件和/或质量或任何特定用途适用性的保证、担保或描述。关于我们产品的技术规格,我们恳请您参考我们提供的相关产品数据表。我们的客户及其技术部门需要评估我们的产品是否适合预期用途。
• 首个为量子通信设立的私人量子光学实验室 • 印度首家利用 Quantum Advantage 的金融科技公司 • 量子通信领域超过 12 个 IP • 与印度理工学院海得拉巴分校签署通信中心谅解备忘录 • 与印度理工学院鲁尔基分校、印度理工学院坎普尔分校和印度理工学院达尔瓦德分校开展研究合作 • 与亚利桑那大学量子网络中心 (CQN) 签署谅解备忘录 • 35+ 量子科学家致力于量子创新
值得信赖的太空应用供应商 太空平台需要可靠、安全且强大的内存解决方案,能够承受恶劣的操作环境。这些计算密集型应用对内存性能和密度的要求越来越高,以处理来自多个传感器和处理器节点的大量数据。英飞凌的辐射硬空间内存经过 QML-V 认证,可满足太空应用的可靠性、性能和生命周期要求。我们的空间内存解决方案可增强整体系统计算极限,同时提供尺寸、重量和功率 (SWaP) 优势和更大的设计灵活性。
128MB 64M x 16 W3H64M16E-XB2X 400-667 1.8 79 PBGA 11 毫米 x 14 毫米 C、I、M 256MB 2 x 64M x 16 W3H264M16E-XB2X 400-667 1.8 79 PBGA 11 毫米 x 14 毫米 C、I、M 256MB 32M x 64 W3H32M64E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 256MB 32M x 72 W3H32M72E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 512MB 64M x 64 W3H64M64E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 512MB 64M x 72 W3H64M72E-XBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 512MB 64M x 72 W3H64M72E-XBXF 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 20 毫米 C、I、M 1GB 128M x 72 W3H128M72E-XSBX 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 22 毫米 C、I、M 1GB 128M x 72 W3H128M72E-XNBX* 400-667 1.8 208 PBGA 16 毫米 x 22 毫米 C、I、M
存储单元:• 可能实现高能效、可扩展性和集成密度,• 将与 CMOS 集成用于控制和读出电子设备 - 根据量子计算的需求设计和制造存储阵列,旨在满足需要在宽温度范围内操作的神经形态计算应用。