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基于 ISO/IEC 27037:2012 和 NIST SP800-86 框架的混合评估非易失性存储器架构数字取证调查
在数字取证的实施中，实践的衍生品之一是数字证据的处理。处理数字证据需要重要的步骤和程序。数字证据是处理基于数字的犯罪案件的人工来源，其中之一来自数字存储。在这项研究中，作者将通过模拟非易失性架构形式的数字证据来设计数字取证调查的框架。研究人员在以前的文章中常用的参考资料是国家司法研究所 (NIST)。该框架是获取数字证据实践中的参考和步骤。设计这个框架的目的是作为一种法律程序，专门用于获取非易失性数字证据的实践中。在设计中，作者对 NIST SP 800-86 和 ISO 27037:2012 标准进行了文献研究，然后将它们组合成混合术语。这项研究的成果是将这两个标准结合起来，成为处理和调查数字取证科学的参考框架。
通过刺激响应聚合物实现双稳态、剩磁、读/写存储器和逻辑门功能
原则上，如果状态之间的转变表现出导致双稳态的磁滞现象，则在不同状态之间切换可以读取和写入信息。响应性聚合物在其体积相变时表现出磁滞现象，例如热响应性聚合物。这是溶剂膨胀单相状态和溶剂消肿两相状态之间的转变。两种状态之间的转变在热力学上对应于铁磁材料中两种磁化状态之间的转变。对于铁磁材料，磁滞现象的特征是矫顽场强度 H c ，它是逆转磁化并从而改变磁化状态所需的，以及零场强度下的剩磁 M r。信息被编码在磁化状态中。在双稳态区域内，对于足够大的矫顽力和剩磁，它是长期稳定的。同时，体积相变信息将由溶液状态编码，并且对于足够大的矫顽力温度范围和剩磁来说，这是可能的。最近，非传统非磁性材料表现出双稳态，这在折纸结构的折叠状态 [3]、玻璃体 [4] 和主客体功能化的热响应聚合物中得到了证实。[5] 有了两个状态控制变量，逻辑运算的实现也将成为可能。近年来，逻辑门响应功能已被用于控制溶胶/凝胶转变 [6]、水凝胶降解 [7] 或纳米载体拆卸 [8]，用于药物输送应用。对于响应性材料，到目前为止，双稳态和逻辑门功能都是通过使用化学反应来实现的，例如由外部刺激驱动的不稳定连接子的断裂/形成 [7] 或主客体复合 [5]。这导致化学状态和动力学方面的双稳态，
yintr21218-新兴的非易失性存储器2021
Simone是YoleDévelopment（Yole）的技术与市场分析师，与半导体和软件部门合作。他是Yole内存团队的成员，并每天为记忆市场和技术，其相关材料和制造过程的分析做出贡献。以前，Simone在纳米科学和纳米技术领域进行了实验研究，重点是新兴的半导体材料及其设备应用。（共同）在高影响力的科学期刊上撰写了15篇论文，并被授予享有声望的玛丽·居里内欧洲欧洲奖学金。西蒙妮（Simone）于2015年从莱桑（瑞士）的ÉcolePolytechniquefédéraleDeLausanne获得了物理学博士学位，在那里他基于2D材料和高κ二元组的异质结构开发了新的闪存细胞。Simone获得了双硕士 sc。 从蒙特利尔（Polytechnique deMontréal）（加拿大）和政治上的米拉诺（Italy）（意大利）的学位，毕业于劳德（Cum Laude）。Simone获得了双硕士sc。从蒙特利尔（Polytechnique deMontréal）（加拿大）和政治上的米拉诺（Italy）（意大利）的学位，毕业于劳德（Cum Laude）。
使用 TiOx 作为电阻层的电阻存储器的制造
图 3 ReRAM 特性的电极依赖性：(a) 50×50 μm 2 ，(b) 200×200 μm 2 。 5.结论我们利用 TiO x 作为电阻变化层制作了 ReRAM，并评估了其特性。在本次创建的条件下，没有观察到复位操作。这被认为是因为在复位操作过程中，由于氧气的释放，灯丝没有断裂。比较电极尺寸，50×50 μm2 的较小元件与 200×200 μm2 的元件相比，可获得更优异的特性。这被认为表明了氧化退火过程中的尺寸依赖性。 6.参考文献 [1] A. Hardtdegen 等，IEEE Transactions on Electron Devices，第 65 卷，第 8 期，第 3229-3236 页 (2018) [2] Takeo Ninomiya，基于氧化物材料设计和可靠性建模的电阻式存储器量产，名古屋大学研究生院博士论文 (2016) [3] D.Carta 等，ACS Appl. Mater. Interfaces，第 19605-19611 页 (2016) [4] D. Acharyya 等，微电子可靠性。54，第 541-560 页 (2014)。
内存中主组件分析通过电阻开关存储器的跨点阵列
摘要 - 内存计算（IMC）是机器学习（ML）数据密集型计算加速器的最有希望的候选者之一。用于尺寸降低和分类的关键ML算法是主要成分分析（PCA），它在很大程度上依赖于经典的von Neumann架构未优化的矩阵矢量乘法（MVM）。在这里，我们提供了基于IMC的新PCA算法的实验演示，该算法基于功率迭代和在4 kbit的电阻切换随机访问存储器（RRAM）中执行的放气。威斯康星州乳腺癌数据集的分类准确性达到95.43％，接近浮点的实施。我们的模拟表明，与商业图形处理单元（GPU）相比，能源效率有250倍，因此在现代数据密集型计算中支持IMC的能源有效ML。
10T SRAM 存储器单元的设计
1. 简介 当今社会，微电子技术被广泛应用于各种设备中。电子设备在世界范围内的快速普及，促使人们开始审视新技术，尤其是存储器。存储器越来越多地用于生物、无线和可实现设备中。存储器的各个部分在现代 VLSI 系统中组织起来。半导体存储器是 VLSI 架构不可或缺的一部分。RAM（随机存取存储器）有两种形式：SRAM（静态随机存取存储器）和 DRAM（动态随机存取存储器）[2]。动态一词表示理想存储电容器的电荷必须定期刷新，这就是 DRAM 很少使用的原因。为了提高稳定性和功耗，已经提出了许多SRAM单元设计，但传统的6T单元仍然提供了尺寸和性能的良好平衡，因为传统的6T单元具有非常紧凑和简单的结构，但是其操作电压最小并且受到相互冲突的读写稳定性要求的限制，因此它不用于超低电压操作。有几种针对存储器单元的设计提案以提高速度和功率，其中一种技术专注于提高SNM的低功耗（其他存储器配置（7T，8T，9T）各有优缺点）[1]。六个MOSFET组成一个典型的SRAM单元。四个晶体管（PM0，PM1，NM0和NM1）存储一位并形成两个交叉耦合的反相器。有两种稳定状态，用数字 0 和 1 表示。传统的 6T 单元很简单，但在低压下稳定性较差，因此我们努力通过各种方法提高其读写稳定性，例如双轨电源、负位线、带动态反馈管理的单位线等。然而，为了正常运行，6T SRAM 的
DLP 4D打印远程，模块化和选择性控制的形状存储器聚合物纳米复合材料嵌入碳纳米管
对新型电动激活形状的记忆聚合物复合材料（SMPC）进行了深入研究，用于数字光处理3D打印，由聚（乙二醇）二丙烯酸二丙烯酸/聚（羟基乙基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基甲基）组成。可将光电（Meth）丙烯酸酯系统的组成进行精细调整以量身定制基质的热力学特性，而CNTS对配方的光反应性和流变性能的影响进行了研究，以评估可打印性。电测量结果证实，将CNT掺入聚合物矩阵中可以使电导率产生电导率，因此有可能使用Joule效应远程加热纳米复合材料。鉴于达到的高形状（R F）和形状恢复（R R）比率（RF≈100％，R R> 95％）证实了通过焦耳加热驱动形状存储周期的可行性证明了这类CNT/SMPC的显着电触发响应效应。最后，它显示了如何激活模块化和选择性的电动形状恢复，最终可能会设想远程和选择性控制的智能设备的4D打印。
基于单个电子自旋和量子点中核自旋集合存储器的量子中继器
受量子点核自旋控制和操纵方面的最新进展的启发，这些进展允许将电子自旋态转移到周围的核自旋集合中进行存储，我们提出了一种量子中继器方案，该方案结合了单个量子点电子自旋和核自旋集合，分别用作自旋光子接口和量子存储器。我们考虑使用嵌入高协同性光学微腔中的低应变量子点。量子点核自旋集合允许长期存储纠缠态，并且预示着纠缠交换是使用腔辅助门执行的。我们重点介绍了实现量子中继器方案所需的量子点技术的进步，该方案有望建立长距离高保真纠缠，其分布速率超过光子的直接传输。
利用导电氧化物界面实现电阻式随机存取存储器
二维电子气 (2DEG) 可在某些氧化物界面处形成，为创造非凡的物理特性提供了肥沃的土壤。这些特性可用于各种新型电子设备，例如晶体管、气体传感器和自旋电子器件。最近有几项研究展示了 2DEG 在电阻式随机存取存储器 (RRAM) 中的应用。我们简要回顾了氧化物 2DEG 的基础知识，强调了可扩展性和成熟度，并描述了从外延氧化物界面（例如 LaAlO 3 /SrTiO 3 ）到简单且高度可扩展的非晶态-多晶系统（例如 Al 2 O 3 /TiO 2 ）的最新发展趋势。我们批判性地描述和比较了基于这些系统的最新 RRAM 设备，并强调了 2DEG 系统在 RRAM 应用中的可能优势和潜力。我们认为当前的挑战是围绕从一个设备扩展到大型阵列，其中需要在串联电阻降低和制造技术方面取得进一步进展。最后，我们列出了基于 2DEG 的 RRAM 所带来的一些机遇，包括增强的可调性和设计灵活性，这反过来可以为多级功能提供优势。
VDIC磁磁盘随机访问存储器VDMR20M40XS84XX5V35用户手册版本：B2文档编号：Orbita/sip-vdmr20m40xs84xx5v35-u
软件包：SOP引脚数量：84引脚温度：E = 0 ～＋70℃; i = -40 ～＋85℃; s = -55 ～＋95℃质量：e =样本; B =工业； S =空间堆叠层：5层电源：3.3V速度：35NS