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基于完全SP2杂交的石墨聚合物
摘要：维度在有机半导体的电荷传输特性中起重要作用。尽管三维半导体（例如Si）在无机材料中很常见，但在三维有机聚合物中赋予了电导率，这是有挑战性的。现在，使用无催化剂的Diels-Alder Cycloadition聚合合成了三维P-偶联的多孔有机聚合物（3D P-POP），然后提出了酸促进的芳香化。具有801 m 2 g 1的表面积，在整个碳主链中完全结合，在用I 2蒸气处理后的6（2）10 4 SCM 1的电导率为6（2）10 4 SCM 1，3D P-POP是新型永久性多孔3D 3D有机半导体的首位成员。P孔有机聚合物（POP）由于其永久性孔隙度，可调孔径，结构模块化，大表面积和高理化稳定性，因此引起了人们的注意。In partic- ular, POPs [1] with extended p -electron conjugation are attractive for their desirable properties in high electron mobility and electrical conductivities, allowing for low-cost and lightweight organic semiconductor applications such as light-emitting diodes, solar cells, field-effect transistors, organic lasers, battery electrodes, and photocatalysis.[2]迄今为止，已经有许多二维（2D）P-共轭流行音乐，例如用于太阳能电池应用的基于噻吩的CMP [3]和I 2掺杂的JUC-Z2 [4]，用于电化学离子传感，以及对2D POROFE for PhotemoConductors sppped sppped sppped spppations secting secting secting secting secting s extrochemical离子传感。[5]通过创建具有相似电导率但较高表面积和较低密度的3D聚合物来增加电荷传输的维度，这可能对许多应用（例如催化和气体传感）有益。[6]的确，3D POP的骨干通常合并SP 3碳中心，[7]破坏了P -Conju-
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可配置的I/O选项x：1。串行端口（9-pin; d-sub）x 1 +外部VGA（15针; d-sub）x 1 2。串行端口（9-pin; d-sub）x 1 +显示端口x 1 3。串行端口（9-pin; d-sub）x 1 +外部VGA（15-pin; d-sub）x 1 + 2 nd lan（rj45）x 1 4。串行端口（9-pin; d-sub）x 1 +显示端口x 1 + 2 nd lan（rj45）x 1 5。串行端口（9-pin; d-sub）x 1 + 2 nd Thunderbolt™4型-C x 1 6。串行端口（9-pin; d-sub）x 1 + 2 ND Thunderbolt™4型C X 1 + 2 ND LAN（RJ45）x 1 7。串行端口（9-pin; d-sub）x 2 +外部VGA（15针; d-sub）x 1 8。串行端口（9-pin; d-sub）x 2 +显示端口x 1 9。串行端口（9-pin; d-sub）x 2 +外部VGA（15-pin; d-sub）x 1 + 2 nd lan（rj45）x 1 10。串行端口（9-pin; d-sub）x 2 +显示端口x 1 + 2 nd lan（rj45）x 1 11。串行端口（9-pin; d-sub）x 2 + 2 nd Thunderbolt™4 type-c x 1 12。串行端口（9-pin; d-sub）x 2 + 2 nd Thunderbolt™4型-C x 1 + 2 nd LAN（RJ45）x 1通信接口10/100/1000/100/100 base-t-t-telernetintel®Wi-fi 7 Be200，802.11be bluetooth（v5.4）xi oftional xi broblutional xi xi xi xi xi xi broboint x Internity：l1 l1 g5 x l1/l1 g5 x l1/l1/l1/l1/l1/l1 L1/L5 GPS XII可选：5G SUB-6，具有集成的L1/L5 GPS XII，XIII可选：双SIMS（MINI-SIM 2FF和E-SIM）IX，XIV
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针对完全和几乎完全闭锁状态的肌萎缩侧索硬化症患者的护理人员辅助语言交流系统
患有严重肢体障碍，如完全闭锁状态的肌萎缩侧索硬化症 (ALS) (CLIS) 的人无法向他人表达自己的想法。为了解决这个问题，已经开发了许多脑机接口 (BCI) 系统，但它们并未被证明足以满足 CLIS 的要求。在本文中，我们提出了一种词语交流系统：带有护理人员辅助的 BCI，其中护理人员可以积极帮助患者表达单词。我们在此报告，四名几乎 CLIS 中的 ALS 患者和一名 CLIS 中的 ALS 患者成功地用自己的单词（日语）回答无法“是/否”回答的 wh 问题。每个受试者使用基于近红外光的“是/否”交流辅助工具，按顺序选择他或她想要表达的单词中包含的元音（最多三个）。然后，护理人员将所选元音输入到包含元音条目的词典中，词典会返回包含这些元音的候选单词。如果没有合适的单词，护理人员会更改一个元音并重新搜索或从头开始。当选择了合适的单词时，受试者通过“是/否”回答进行确认。三名受试者对所选单词至少有八次中有六次表示“是”（统计测量的可靠性为 91.0%），一名受试者（在 CLIS 中）八次中有五次表示“是”（74.6%），一名受试者四次中有三次表示“是”（81.3%）。因此，我们朝着为此类患者建立实用的词语交流系统迈出了第一步。
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图2。Prime-XV T细胞CDM支持量子柔性细胞扩展系统中的强大细胞扩展。用抗CD3和抗CD28珠激活人PBMC，并在200 IU/ML IL-2的存在下扩展。量子柔性细胞扩展系统中的8天扩展在95％的生存力下总共产生了6 x 10 9的细胞（a）。使用Vicell XR评估细胞计数和生存能力（锥虫蓝色排除）。 PBMC培养物同样显示出高CD62L表达和可忽略的PD-1水平，在第9（B）中通过多参数流式细胞仪分析。 结果代表了3个健康捐助者。细胞计数和生存能力（锥虫蓝色排除）。PBMC培养物同样显示出高CD62L表达和可忽略的PD-1水平，在第9（B）中通过多参数流式细胞仪分析。结果代表了3个健康捐助者。
在体重的代数免疫力上完全平衡函数
摘要。在本文中，我们研究了权重的代数免疫（AI）完美平衡（WPB）函数。在以前文献中显示了两类WPB函数的AI的下限后，我们证明了WPB N-可变量函数的最小AI是恒定的，对于N≥4的2。然后，我们在4个变量中计算WPB函数的AI的分布，并估计8和16个变量中的一个。对于N的这些值，我们观察到绝大多数WPB函数具有最佳的AI，并且我们无法通过随机采样来获得AI-2 WPB函数。最后，我们解决了具有有界代数免疫力的WPB函数的问题，从[GM22C]利用了构造。特别是我们提出了一种以最小AI生成多个WPB函数的方法，并且我们证明[GM22C]中表现出高非线性的WPB函数也具有最小的AI。我们以构造为WPB功能提供了较低的AI，并以AI至少N/ 2- log（n） + 1的所有元素为例。
护理助理完全整合学徒标准
简介和概述护理伙伴受护理和助产士委员会（NMC）的法定法规。NMC设置了进入专业登记册所需的水平标准，这些是护理员工的职业标准。NMC还具有法定义务，即设定支持在职业标准中实现知识，技能和行为（KSB）所需计划的要求。必须将学徒标准和学徒培训的交付与所有相关的NMC标准保持一致，以确保学徒有资格在完成后进入NMC登记册。任何人都在不在NMC注册的情况下担任注册护理助理是违法的。终点评估（EPA）评估学徒是否也通过了学徒制，并且基于与职业标准相同的专业知识，技能和行为。
绘制完全合成植物染色体的路径
合成生物学的概念有可能改变植物遗传学，无论是在我们分析遗传途径的方式上，还是在我们将这些知识转化为有用应用的方式上。虽然合成生物学可以应用于单个基因或小群基因的水平，但本评论重点关注设计完全合成的植物染色体的最终挑战。这种规模的工程将使我们能够操纵整个基因组结构并同时修改多种途径和性状。基因组合成的进展使得植物染色体构建的初始阶段很可能发生在细菌和酵母中。在这里，我将讨论接下来的步骤，包括克服与植物转化、功能性着丝粒设计和确保准确的减数分裂传递相关的技术障碍的具体方法。
硅上的完全垂直gan p-i-n二极管
esearchers from France's Institute of Electronics, Microelectronics and Nanotechnology (IEMN) and Siltronic AG in Germany claim the first demonstration of high-current operation (above 10A) for vertical gallium nitride (GaN)-based devices on silicon substrates [Youssef Hamdaoui et al, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.72（2025），否。1（1月），P338]。 团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。 这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构 “伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。 虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。 结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。 完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。 在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。 通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。 一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。 另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。1（1月），P338]。团队评论说：“二极管提供了一个未经原理的高州河流电流，直径超过11.5a。这既归因于反向N-FACE欧姆接触的优化，也归因于实施厚的铜电镀，将硅底物代替为散热器。”这些设备使用了完全垂直的，而不是垂直的结构“伪垂直”是指所有触点在芯片或晶圆的前面进行的设备。虽然设备主体中的电流流在此类排列中大约垂直，但电流在N-Contact层中横向流动。结果是流动效应倾向于降低伪垂直设备的能力处理能力。完全垂直的结构有望更高的击穿电压，并降低了抗压电压。在硅底物上生产，而不是碳化硅或散装/独立式gan，也应使GAN设备在低成本应用中更具竞争力。通过金属有机化学蒸气沉积（MOCVD）制备了两个六英寸的gan/si晶状体（图1）。一个晶圆具有4.5µm轻轻的N掺杂（N - ）漂移层。另一个晶圆具有一个7.4µ流的漂移区域。根据电化学电容 - 电压（ECV）测量值，漂移层中的硅掺杂浓度为3x10 16 /cm 3，净离子化电子密度为9x10 15 /cm。较厚的漂移层应承受更高的电压，但要以更高的抗性为代价。在弱梁暗场模式下使用透射电子显微镜（TEM）的检查确定螺纹位错密度〜5x10 8 /cm 2。霍尔效应测量值的漂移层迁移率为756cm 2 /v-s。P-I-N二极管是制造的，从用作边缘终止的深斜角台面开始。通过血浆反应离子蚀刻（RIE）和电感耦合等离子体（ICP）蚀刻进行深度蚀刻。边缘终止的目的是将电场散布在交界处，并减少泄漏。