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World File Search System实验装置
用于监测电力设备中电离辐射引发的非破坏性单一事件的实验装置
众所周知，地面宇宙辐射 (TCR) 会导致硅和碳化硅功率器件中发生电离事件，从而导致灾难性的后果 [1]。因此，功率器件的设计和可靠运行需要准确表征电荷沉积和收集过程。目前，量化功率器件对 TCR 的敏感性最常见、最快速的技术是基于粒子加速器中的高能粒子辐照 [2]。由于这些测试是在高加速条件下进行的，因此转换到真实的 TCR 环境并不总是很简单。在本文中，我们提出了一种实验装置，用于监测半导体功率器件中由电离辐射产生的非破坏性单电离事件的发生，以收集有关电荷产生和收集过程的精确统计数据。谱测量系统的设计方式使其可以部署在大量实验配置中，其中收集的电荷、计数率和 DUT 的额定电压可能会有很大变化。具体来说，光谱仪需要记录器件中产生的每个电离事件，这些事件的电荷脉冲范围从 1 fC 到 2 pC，以及其时间戳和波形。该系统需要处理高压器件（额定电压高达 3.5 kV），尽量减少偏置纹波和电压随时间漂移。为了提高收集数据的统计意义，需要并行测试器件。因此，系统必须对大输入电容（高达 2 nF）保持稳定，并为大输入电容提供准确的结果
![b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'](/simg/3/3667ff1348138e0ee8b2d560bc8bba8245de6047.webp)
b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'
b' 在本研究中，我们报告了超快速瞬态热带 (THS) 技术用于测量氮化铝 (AlN) 薄膜各向异性热导率的实现情况。AlN 薄膜是通过在硅基板上制备的氧化硅 (SiO 2 ) 薄膜上在低温 (> 250 C) 下生长的反应性直流磁控溅射制备的。使用产生超短电脉冲\xc2\xad ses 的实验装置对热导率进行精确测量，并在纳秒和微秒时间尺度上电测量随后的温度升高。在 AlN 加工之前，将电脉冲施加在 SiO 2 上图案化的金属化条带内，并在 [0.1 \xe2\x80\x93 10 \xce\xbc s] 范围内选择的时间段内分析温度升高。当厚度从 1 \xce\xbc m 增加到 2 \xce\xbc m 时，AlN 横向平面（平面内）热导率分别从 60 增加到 90 W m 1 K 1（33 \xe2\x80\x93 44 W m 1 K 1）。这清楚地表明了 AlN 薄膜热导率的各向异性。此外，AlN 的体积热容量估计为 ~2.5 10 6 JK 1 m 3 。'
三材料梁：实验装置和理论...
本文介绍了一种用于评估受集中力作用的三材料复合梁横向挠度的实验装置。该装置中使用的三种材料是钢、铝和木材。在本实验中，考虑了两种层粘合方法：胶合和螺栓连接。在胶合配置中，三个堆叠的层使用商用胶水沿梁长度相互连接。对于螺栓系统，各层使用四个对称分布的螺栓和螺母连接。将两种粘合方法的梁横向挠度实验结果与理论计算进行了比较。比较结果表明，胶合系统挠度数据与理论更一致。本文还采用了等效截面法来求解复合梁弯曲应力。最后，彻底研究了复合梁的关键几何和材料参数对梁弯曲应力的影响，重点是承受机械弯曲载荷的电子组件的结构分析。