摘要:发光电化学细胞(LEC)是完全解决方案处理的照明应用的有前途的候选者,因为它们可以组成单个活性材料层和空气稳定电极。由于电气双层(EDL)的原位形成,通常认为它们的性能独立于电极材料选择,但我们在概念上和实验上证明了这种理解需要修改。具体来说,观察到激子的生成区域受电极工作函数的影响。我们通过提出促进EDL中的离子浓度合理化了这一发现,取决于电极工作函数与各个半导体轨道之间的偏移,这反过来又影响了用于电化学垃圾的离子数量,从而影响了exociton生成区域。此外,我们研究了电极选择对表面等离子体极化子激子损失的影响,并讨论了腔对激子密度的影响。我们通过证明我们可以通过考虑这些电极依赖性效应的光学模型来复制测得的亮度瞬变来得出结论。因此,考虑到电极材料,主动材料厚度及其共同组成,我们的发现提供了合理的设计标准,以实现最佳的LEC性能。关键字:发光电化学电池,电动双层,激子产生曲线,电极功能,表面等离子体偏振子,光学建模■简介
图 39 - 21 个模块的盒串...................................................................................................... 34 图 40 - 系统组成概览。来源:PVsyst ................................................................................ 35 图 41 - 系统环境的 3D 视图 .............................................................................................. 35 图 42 - 案例 1.1 的 I-V 曲线 ........................................................................................................ 36 图 43 - 案例 1.2 的 I-V 曲线 ........................................................................................................ 37 图 44 - 案例 1.3 的 I-V 曲线 ........................................................................................................ 37 图 45 - 案例 1.4 的 I-V 曲线 ........................................................................................................ 38 图 46 - 案例 1.5 的 I-V 曲线 ........................................................................................................ 38 图 47 - 案例 1.6 的 I-V 曲线 ........................................................................................................ 39 图 48 - 一天中特定时间 PV 阵列中阴影的位置 ........................................................................ 41 图 49 - 图 49 中相对于阴影条件的系统 I-V 曲线 ........................................................................ 42 图50 - 图 49 中阴影条件下的系统 P-V 曲线 .............................................................. 42 图 51 - 光伏阵列阴影示例 1 .............................................................................................. 52 图 52 - 示例 1 对应的 I-V 和 P-V 曲线(图 51)......................................................................... 52 图 53 - 光伏阵列阴影示例 2 ............................................................................................. 53 图 54 - 示例 2 对应的 I-V 和 P-V 曲线(图 53)......................................................................... 53 图 55 - 光伏阵列阴影示例 3 ............................................................................................. 54 图 56 - 示例 2 对应的 I-V 和 P-V 曲线(图 55)......................................................................... 54 图 57 – 阴影位置(5 月 21 日 9 点 19 分(正常时间))............................................................. 55 PVsyst(5 月 21 日 9 点 15 分(正常时间))..... 55 图 59 - 阴影位置(5 月 21 日 16 点 14 分(正常时间))........................................ 56 图 60 - PVsyst 模拟的阴影位置(5 月 21 日 16 点 15 分(正常时间))... 56 图 61 – 阴影位置(5 月 21 日 13 点 43 分(正常时间))................................... 57 图 62 - PVsyst 模拟的阴影位置(5 月 21 日 13 点 45 分(正常时间))... 57
图 39 - 21 个模块的箱串...................................................................................................... 34 图 40 - 系统组成概览。来源:PVsyst ................................................................................ 35 图 41 - 系统周围环境的 3D 视图 .............................................................................................. 35 图 42 - 案例 1.1 的 IV 曲线 ........................................................................................................ 36 图 43 - 案例 1.2 的 IV 曲线 ........................................................................................................ 37 图 44 - 案例 1.3 的 IV 曲线 ........................................................................................................ 37 图 45 - 案例 1.4 的 IV 曲线 ........................................................................................................ 38 图 46 - 案例 1.5 的 IV 曲线 ........................................................................................................ 38 图 47 - 案例 1.6 的 IV 曲线 ........................................................................................................ 39 图 48 - 一天中特定时间 PV 阵列中阴影的位置 ........................................................................ 41 图 49 - 相对于图 49 中阴影条件的系统 IV 曲线 ........................................................................ 42 图 50 - 相对于图 49 中阴影条件的系统 PV 曲线......................... 42 图 51 - 光伏阵列阴影示例 1 ............................................................................................. 52 图 52 - 示例 1 对应的 IV 和 PV 曲线(图 51)............................................................. 52 图 53 - 光伏阵列阴影示例 2 ............................................................................................. 53 图 54 - 示例 2 对应的 IV 和 PV 曲线(图 53)............................................................. 53 图 55 - 光伏阵列阴影示例 3 ............................................................................................. 54 图 56 - 示例 2 对应的 IV 和 PV 曲线(图 55)............................................................. 54 图 57 – 阴影的位置(5 月 21 日 9 点 19 分(正常时间))............................................. 55 图 58 - PVsyst 模拟的阴影位置(5 月 21 日 9 点 15 分(正常时间))..... 55阴影位置(5 月 21 日 16 点 14 分(正常时间))........................................ 56 图 60 - PVsyst 模拟的阴影位置(5 月 21 日 16 点 15 分(正常时间))............................................................. 56 图 61 - 阴影位置(5 月 21 日 13 点 43 分(正常时间))............................................................. 57 图 62 - PVsyst 模拟的阴影位置(5 月 21 日 13 点 45 分(正常时间))............................................................. 57
研究了高反射率相移掩模 (HR-PSM) 对 36nm 间距逻辑接触孔进行图案化的方法,并在成像性能 (ILS、LCDU、MEEF 等) 和曝光剂量方面与其他掩模吸收器进行了比较。为此,使用了晶圆数据校准的 CAR 和 MOR EUV 光刻胶模型。我们的模拟结果表明,HR-PSM 在较大的掩模 CD 下会产生暗场图像。但是,随着掩模 CD 的减小,图像的色调会发生反转,并且可以生成具有良好对比度的明场图像。基于这一观察,提出了一种 HR-PSM 加 MOR 图案化方法,用于最小间距等于 36nm 的全间距逻辑接触孔应用。我们表明,这种方法在全间距性能方面表现出多种增强,并且使我们能够使用 0.33NA EUV 扫描仪将逻辑接触孔的实际分辨率扩展到 40nm 间距以下。
本报告是作为美国政府机构赞助的工作的记录而编写的。美国政府、其任何机构、其任何雇员、其任何承包商、分包商或其雇员均不对所披露的任何信息、设备、产品或流程的准确性、完整性或实用性做任何明示或暗示的保证,也不承担任何法律责任或义务,也不表示其使用不会侵犯私有权利。本文以商品名、商标、制造商或其他方式提及任何特定商业产品、流程或服务,并不一定构成或暗示美国政府或其任何机构、承包商或分包商对其的认可、推荐或支持。本文表达的作者的观点和意见不一定代表或反映美国政府或其任何机构的观点和意见。
动物是如何体验大脑操控的?光遗传学使我们能够选择性地操控和探究健康和疾病状态下大脑功能的神经回路。然而,对于小鼠是否能够检测和学习来自广泛大脑区域的任意光遗传学扰动以指导行为,我们知之甚少。为了解决这个问题,小鼠被训练报告光遗传学大脑扰动以获得奖励和避免惩罚。在这里,我们发现小鼠可以感知光遗传学操控,无论扰动的大脑区域、奖励效应或谷氨酸能、GABA 能和多巴胺能细胞类型的刺激如何。我们将这种现象命名为视感受,即一种由扰动大脑内部产生的可感知信号,就像内感受一样。利用视感受,小鼠可以学会根据激光频率执行两组不同的指令。重要的是,视感受可以通过激活或沉默单个细胞类型来发生。此外,刺激一只老鼠的两个脑区发现,一个脑区引起的视感知不一定会转移到另一个之前没有受到刺激的区域,这表明每个部位都会产生不同的感觉。学习后,它们可以模糊地使用来自两个脑区的随机交错扰动来指导行为。总的来说,我们的研究结果表明,老鼠的大脑可以“监控”自身活动的扰动,尽管是间接的,可能是通过内感受或作为一种辨别性刺激,这为向大脑引入信息和控制脑机接口开辟了一条新途径。
摘要:动物如何体验大脑操纵?光遗传学使我们能够选择性地操纵和探究健康和疾病状态下大脑功能的神经回路。然而,目前尚不清楚小鼠除了诱发的生理功能外,是否还能感知任意的光遗传刺激。为了解决这个问题,小鼠被训练报告光遗传刺激作为获得奖励和避免惩罚的线索。研究发现,无论调节的大脑区域、奖励效应或谷氨酸能、GABA 能和多巴胺能细胞类型的刺激如何,小鼠都能感知光遗传操纵。我们将这种现象命名为视感受。利用视感受,小鼠可以学会根据激光频率执行两组不同的指令。重要的是,视感受可以通过激活或沉默单个细胞类型来发生。我们的研究结果表明,小鼠的大脑能够“监控”它们的自我活动,尽管是间接的,可能是通过内感受或作为一种辨别刺激,这开辟了一种将信息引入大脑和控制脑机接口的新方法。
摘要:电池监控系统(BMO)对于监视电池在运行时提供和吸收能量的状况至关重要,并同时确定实现长电池寿命的最佳限制。所有这些都可以通过测量电池参数并增加电池电量(SOC)和健康状况(SOH)来完成。来自NASA的电池数据集用于评估。在这项工作中,采用了梯度向量来从电池中获取能源供应模式的趋势。此外,采用了支持向量机(SVM)以获得精确的电池精度指数。这与多项式回归的使用一致;因此,点V1和V2作为正常使用阶段的边界。此外,还对电池从分类中成功提取的时间长度进行了时间长度分布的测试。所有这些阶段都可以用于计算使用过程中电池降解速率,以便可以通过不断比较值在实际情况下应用此策略。在这种情况下,使用电压梯度,SVM方法以及建议的多项式回归,MAPE(%),MAE和RMSE可以在电池值图中获得分别为0.3%,0.0106和0.0136的电池值图。使用此误差值,可以获得电池的SOC值的动力学,并且可以通过避免使用电压流量阶段来通过较短的使用时间来解决SOH问题。
本报告介绍了使用便携式测试设备的各种现场检查技术。这些技术包括光伏输出功率特性、成像技术和材料分析的光谱方法。除了技术信息和现有现场经验外,还介绍了现场使用的良好实践建议以及与实验室检查方法相比的不确定性。以下是本报告中涵盖的十种检查方法的简要摘要。从这里,读者可以直接跳转到本报告的相关章节,其中提供了有关检查方法的详细信息。