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World File Search System对晶圆
半导体管理微控制器单元 (MCU)
台积电 80% 以上的收入来自 300 毫米晶圆制造的芯片/管芯，台积电正在建造的所有新晶圆厂均基于 300 毫米晶圆技术。较新的汽车 MCU 已转向 300 毫米晶圆技术，但仍有许多汽车 MCU 使用 200 毫米晶圆技术。
SB300 FIMS 兼容 FOSB
除了兼容 FIMS 之外，SB300 FOSB 还具有模制晶圆支架，可在 FOSB 的整个使用寿命期间提供精确且永久的晶圆平面定位，从而在竞争中脱颖而出。这些固定的晶圆平面减少了更换侧柱的需要，侧柱不仅难以清洁，而且尺寸不稳定。这种不稳定性可能会导致重复使用的竞争 FOSB 出现设备错误。模制晶圆支架更容易、更高效地清洁，从而创造更好的晶圆环境，同时在行业现在要求的多次重复使用周期中也更具可重复性和可靠性。
优化芯片准备和处理以实现高产量混合芯片到晶圆键合
摘要 混合铜/电介质键合是一种成熟的晶圆对晶圆 (W2W) 键合技术，但将该技术应用于芯片对晶圆 (D2W) 键合却具有挑战性。芯片或晶圆上的极小颗粒可能会导致空隙/非键合区域。用于混合 W2W 的晶圆清洁和激活工艺已经相当成熟，但将其应用于减薄和单片化芯片进行 D2W 键合却非常具有挑战性。为了允许（部分）重复使用现有的晶圆级清洁、计量和激活工艺和设备，我们提出了一个新概念，即在玻璃载体晶圆上对芯片进行单片化、清洁和激活。在完成芯片准备步骤后，直接从载体晶圆上拾取芯片。这种方法不需要额外的拾取和放置步骤，并且避免使用传统的切割胶带。使用这种新方法进行的首次直接电介质 D2W 键合实验显示出非常有希望的键合产量，键合的 50 µm 薄芯片数量众多，完全没有空隙。此外，通过消除切割胶带，减薄晶圆和单个芯片始终由刚性表面支撑，从而实现超薄芯片处理。在本研究中，我们还报告了厚度小于 10 µm 的芯片的处理。关键词载体系统、混合键合、互连、拾取和放置、薄芯片
从洁净室到机床：第一代脑刻板的委托晶圆尺度神经形态系统
摘要BrainScales的第一代，也称为Brainscales-1，是一种用于模拟尖峰神经元网络的神经形态系统。按照“物理建模”原理，其VLSI电路旨在模拟生物学示例的动力学：模拟回路与其电子组件的内在特性产生的时间常数实现神经元和突触。与生物学状态相比，它连续运行，动力学通常匹配10 000。尽管不可避免的模拟可变性和组件故障，但容忍故障设计使其能够实现晶圆尺度的集成。在本文中，我们介绍了Brainscales-1晶圆模块的调试过程，提供了对系统物理组件的简短描述，说明了其组装过程中采取的步骤以及对其进行操作所采取的措施。此外，我们反思了系统的开发过程以及所学到的经验教训，通过模拟晶圆尺度同步释放链来证明其功能，这是迄今为止最大的尖峰网络仿真，迄今为止，最大的尖峰网络模仿和单个突触。
金属杂质的溶解行为以及通过添加螯合剂的恢复半导体晶圆清洁的改善
作为晶圆清洁过程，RCA（美国无线电公司）清洁主要使用。但是，RCA清洁存在诸如洗澡生活不稳定，重新吸附杂质和高温清洁等问题。在此，我们试图通过使用螯合剂（草酸）解决这些问题来提高硅晶片的纯度。通过参考Pourbaix图，可以鉴定出由清洁液和每个金属粉之间反应产生的化合物。所有金属在反应前均表现出10μm或更高的粒径分布，但反应后的粒径分布为500 nm。在适当的情况下，可以证实反应前后的金属显示出不同的吸光度。由于通过这种清洁溶液清洗了回收硅晶片表面的元素分析，因此证实除了SI以外，未检测到其他次级。关键字：回收硅晶片，晶圆清洁，金属杂质，金属复合物，螯合剂
1. 描述导致绩效的八个想法......
（绝缘体和开关） 硅晶锭：是由直径为 8 至 12 英寸、长度约为 12 至 24 英寸的硅晶体组成的棒。 切片机：这些圆柱体被切成薄片 毛坯晶圆：这些圆柱体是高度抛光的晶圆，厚度不到四十分之一英寸。 20 到 40 个处理步骤：晶圆要经过多步光刻工艺，电路所需的每个掩模都要重复一次。每个掩模定义组成完整集成电路的晶体管、电容器、电阻器或连接器的不同部分，并定义制造器件的每个层的电路图案。 图案化晶圆：晶圆上的图案与掩模的精确设计一致
最高厚度照片的研究抗Cu的cu后粉状晶圆级包装
ph： +82-041-925-1389电子邮件：yuseon.heo@samsung.com摘要移动设备有限的热预算几乎不允许全速使用高性能应用程序（AP）。但是，由于人工智能技术已迅速应用于移动设备，因此高速和大容量信号处理等需求正在不断增加。因此，控制AP芯片的热量生成成为关键因素，并且有必要开发基于重分配层（RDL）的风扇外套件（FOPKG）结构，该结构不会增加包装的厚度，同时最大程度地提高耗散量的厚度。CU柱的高度在产生可能施加厚的Fopkg的高度正在越来越高，并且在这项研究中，开发了世界上最厚的光孔材料（> 350UM厚度），以生产Cu Post（> 300UM厚度）。研究了光震鼠的光透射率的影响以及根据主聚合物的分子结构的溶解度的影响，以进行厚光构师的光刻过程。基于对这种厚的光质危行为的理解，开发了最佳的液体类型的光蛋白天抗事组成。通过光刻评估基于厚的光片特性，通过实施和CU电镀板进行深孔，以在AP产品设计施加的晶片中获得CPK 1.27的产率。关键字风扇外包装，厚度厚度光抗光毒师，Cu Post取决于对厚光构师的深入理解和实验，可以建立高级研究基础，以增加光孔厚度和更精细的CU后俯仰，以确保散热特征并提高建筑的自由度。
晶圆翘曲和背面冷却条件变化对静电吸盘 (ESC) 性能的影响
在 ESC/BSG 系统中，冷却气体（氦气）的漏流被测量为夹紧性能的标准：大量的 BSG 漏流意味着晶圆未正确夹紧，因此冷却气体未到达晶圆。相反，少量的漏流代表晶圆夹紧良好且冷却效率高。在这种情况下，20 sccm 或以上的氦气流量代表夹紧彻底失败以及工具故障。图 2 显示在“A”和“B”型载体上制备的样品晶圆的冷却气体漏流。在所有施加电压下，弯曲程度较高的晶圆的 BSG 流量最高，漏流值已达到最大值 20 sccm。但是，只要背面冷却气体压力较低，较高电压条件就会消除弯曲对 BSG 流量的影响。换句话说，需要将 BSG 压力降低至约 10 Torr 以下才能夹住弯曲的晶圆，这会导致背面冷却系统的边缘性更严格，并且等离子蚀刻等高温工艺中晶圆过热的可能性更高。
共价计量 X 射线衍射 切屑测量
为了确定基板的切口，XRD 用于精确测量布拉格角（衍射角）的变化，因为基板的旋转角度相对于入射的 X 射线束会发生变化。如果布拉格角随基板的旋转角度而变化，则表明晶圆上有切口。非零晶圆切口会导致 Omega 峰位随着晶圆旋转而增加或减少，因为晶面与晶圆表面并不完全平行。当晶圆旋转到平面朝向 X 射线束倾斜到最大值时，Omega 衍射峰将位于比布拉格角低一个角度，该角度的幅度等于切口的大小。例如，朝向 X 射线束的 1° 切口晶圆的 Omega 峰位将比布拉格角预测的低 1°。同样，如果切口大小相同但相对于光束的方向相反，Omega 峰值的角度将比布拉格角大 1°。当晶圆在光束中旋转时，切口会导致 Omega 峰值从最小值平稳移动到最大值，并且可以观察到 Omega 峰值在这些极限之间的偏移。
数字转换圆
»内部研发活动。»购买被视为业务标准办公技术的设备或技术。»订阅的成本超过12个月。»技术的租赁/租赁。»一般咨询/咨询服务的费用。»组织培训，没有适当的专业知识和经验。»高等教育（包括TAFE或私立大学的证书级课程）。»顾问在没有适当专业知识的情况下进行的工作。»由该部门认为的第三方所做的工作不属于业务。»对任何法律诉讼的支持。»任何被视为“往常业务”或运营支出的费用（例如，工资，广告，办公费，会计，法律，IT维护服务，现有资产的维修和维护）。»交付项目或活动的内部费用（例如项目成本不能包括员工工资）。»实物贡献。»回顾性活动（已经签订了服务协议的活动，或者在提交申请之前发生了某些或全部支出）。»由其他联邦，州或地方政府资金资助或可能由其他联邦，州或地方政府资助的活动。»在西澳大利亚以外实施的活动。