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World File Search System导体
原始发表论文的引用（记录版本）：Edlbauer，H.，Wang，J.，Crozes，T.等人（2022）。基于半导体的电子飞轮
© 作者 2022。本文根据知识共享署名 4.0 国际许可协议获得许可，允许以任何媒体或格式使用、共享、改编、分发和复制，只要您给予原作者和来源适当的信任，提供知识共享许可的链接，并指明是否进行了更改。本文中的图像或其他第三方材料包含在文章的知识共享许可中，除非在材料的致谢中另有说明。如果材料未包含在文章的知识共享许可中，并且您的预期用途不被法定法规允许或超出了允许的用途，则您需要直接从版权所有者处获得许可。要查看此许可证的副本，请访问 http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/。
基于谐振器的介电体和半导体材料表征的先进建模技术
摘要：本文报道了基于有限差分时域 (FDTD) 和有限元法 (FEM) 的介电谐振器材料测量装置建模的最新进展。与介电谐振器设计方法不同，介电谐振器设计方法使用贝塞尔函数的解析展开来求解麦克斯韦方程，而本文仅使用解析信息来确保场的固定角度变化，而在纵向和径向方向上应用空间离散化，从而将问题简化为 2D。此外，当在时域中进行离散化时，全波电磁求解器可以直接耦合到半导体漂移扩散求解器，以更好地理解和预测基于半导体的样品的谐振器的行为。本文将 FDTD 和频域 FEM 方法应用于介电样品的建模，并根据 IEC 规范规定的 0.3% 范围内的测量结果进行验证。然后采用内部开发的耦合多物理场时域 FEM 求解器，以考虑电磁照明下的局部电导率变化。由此展示了新方法，为介电谐振器测量的新应用开辟了道路。
引用了原始发表的论文（记录的版本）：Kimpel，J。，Kim，Y.，Asatryan，J。等（2024）。高动力有机混合导体
避免功能化会导致更好的原子经济以及毒性较小的反应性物种和副产品。这一切都会导致较低的SCI。尽管DAP具有明显的优势，但与其他常规途径相比，由此产生的材料表现不佳。与Stille制成的聚合物相比，直接芳基聚合物O e eN具有较低的分子量23，并且缺陷的患病率更高。24个同源物缺陷是由随后的链中重复自我的随后的单体而变化的。这是由芳基亲核试剂（AR - H）和DAP中的芳基电到（AR - BR）引起的，反应性更接近。Accordingly, the C – H bond must be su ffi ciently active to undergo reaction and prevent homocoupling of the dibrominated monomer – a side reaction also seen in Stille and Suzuki coupling despite highly orthog- onal reactivity of the monomers in those polymerization
第三代半导体碳化硅行业前瞻
图表 9 ： SiC 产业链及代表企业 ............................................................................................................................. 6 图表 10 ： 导电型碳化硅衬底 ................................................................................................................................. 6 图表 11 ： 半绝缘型碳化硅衬底 ............................................................................................................................. 6 图表 12 ： WolfSpeed 公司导电碳化硅衬底演进过程 ........................................................................................... 7 图表 13 ： SiC 衬底制作工艺流程 ........................................................................................................................... 8 图表 14 ： PVT 法生长碳化硅晶体示意图 ............................................................................................................. 8 图表 15 ： 用于制备碳化硅的籽晶 ......................................................................................................................... 8 图表 16 ： CMP 过程示意图 ................................................................................................................................... 10 图表 17 ： CVD 法制备碳化硅外延工艺流程 ........................................................................................................11 图表 18 ： SiC 功率器件种类 ............................................................................................................................... 12 图表 19 ： SiC-SBD 与 Si-SBD 比较 ..................................................................................................................... 13 图表 20 ： SiC-SBD 正向特性 ............................................................................................................................... 13 图表 21 ： SiC-SBD 温度及电流依赖性低 ........................................................................................................... 13 图表 22 ： SiC-SBD 具有优异的 TRR 特性 ........................................................................................................... 13 图表 23 ： SiC MOSFET 与 Si IGBT 开关损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 24 ： SiC MOSFET 与 Si IGBT 导通损耗对比 .............................................................................................. 14 图表 25 ： SiC MOSFET 体二极管动态特性 ......................................................................................................... 14 图表 26 ： N 沟道 SiC IGBT 制备技术图 ............................................................................................................. 15 图表 27 ： SiC 行业发展阶段曲线 ....................................................................................................................... 16 图表 28 ： SiC 市场规模现状及预测 ................................................................................................................... 17 图表 29 ： 新能源汽车包含功率器件分布情况 .................................................................................................. 18 图表 30 ： 对车载和非车载的器件要求 .............................................................................................................. 18 图表 31 ： 车载 OBC 发展趋势 ............................................................................................................................. 19 图表 32 ： 硅基材料功率器件的工作极限 ........................................................................................................... 19 图表 33 ： 全球新能源汽车碳化硅 IGBT 市场规模 ............................................................................................ 19 图表 34 ： 全球新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 35 ： 中国新能源汽车市场销量及增长率预测 ............................................................................................ 20 图表 36 ： 2020 年全球新能源乘用车车企销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 37 ： 2020 年全球新能源乘用车车型销量 TOP10( 辆 ) ................................................................................ 21 图表 38 ： 光伏碳化硅器件优越性 ....................................................................................................................... 22 图表 39 ： 全球光伏需求预测 ............................................................................................................................... 22 图表 40 ： 全球光伏碳化硅 IGBT 市场规模 ........................................................................................................ 23 图表 41 ： 全球光伏 IGBT 市场规模 .................................................................................................................... 23 图表 42 ： 2015-2021 年中国累计充电桩数量 ..................................................................................................... 24 图表 43 ： 2015-2020 年中国车桩比例 ................................................................................................................. 24 图表 44 ： 中国新能源汽车充电桩市场规模及预测 ............................................................................................ 25 图表 45 ： 全球充电桩碳化硅器件市场规模 ....................................................................................................... 25 图表 46 ： 全球轨道交通碳化硅市场规模及预测 ............................................................................................... 26 图表 47 ： 2020 年全球轨道交通运营里程 TOP10 .............................................................................................. 26 图表 48 ： 轨道交通碳化硅器件占比预测 ........................................................................................................... 27 图表 49 ： 全球轨道交通碳化硅技术采用情况 ................................................................................................... 27 图表 50 ： 2015-2025 年中国 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 28 图表 51 ： 2015-2021 年中国 UPS 器件类型情况 ................................................................................................ 28 图表 52 ： 2011-2020 年全球 UPS 市场规模及预测 ............................................................................................ 29 图表 53 ： 2019-2025 年全球 UPS 碳化硅器件市场规模 .................................................................................... 29 图表 54 ： 国外碳化硅衬底技术进展 ................................................................................................................... 30 图表 55 ： 碳化硅衬底尺寸市场占比演变 ........................................................................................................... 30
017。是机器人导体，这里留下来
对机器人导体域的探索，这是通过Ever-6和虚拟导体系统的实验所证明的，在乐团管理领域开设了一个关键的章节。对于乐团董事会成员，首席执行官，执行董事，艺术和音乐导演，围绕技术进步的叙述在进行战略计划和管理决策中的关键时刻的叙述。机器人和虚拟导体的出现标志着在管弦乐表演中朝着创新的，技术驱动的方法转变，有望增强人类导体的创造力，而不是取代它们。这一发展需要重新评估管弦乐队内的传统角色，邀请领导者设想一个未来的技术和人类创造力，以提升音乐解释和表现。
半导体和微电子标准
这份由标准政策跨部门委员会 (ICSP) 半导体和微电子工作组编写的报告概述了联邦政府半导体和微电子标准活动，并推荐了 ICSP 考虑的标准重点领域和优先事项。报告的“向 ICSP 提出的战略标准重点领域的建议”部分列出了联邦政府目前参与的与半导体和微电子相关的标准制定组织，确定了五个重点领域和优先事项，并确定了未来可能产生影响的差距和机会。概况回顾部分概述了每个参与机构的相关半导体和微电子标准活动，包括其使命、半导体和微电子目标、参与标准制定组织、半导体和微电子重点领域和优先事项以及半导体和微电子差距和机会。国家关键新兴技术标准战略表明了半导体和微电子工作组如何与国家关键新兴技术标准战略保持一致。
太阳能分裂的半导体颗粒
On the Evaluation of Charge Transport and Reaction Kinetics in Z- Scheme Semiconductor Particles for Solar Water Splitting Rohini Bala Chandran, Shane Ardo and Adam Z. Weber © 2017 ECS - The Electrochemical Society ECS Meeting Abstracts, Volume MA2017-02, L02-Photocatalysts, Photoelectrochemical Cells and Solar Fuels 8 Citation Rohini Bala Chandran等人2017年会议。abstr。MA2017-02 1871 DOI 10.1149/MA2017-02/42/1871抽象太阳能分解是一种有前途的方法，可以以稳定的化学键的形式转换和存储太阳能。 在此处考虑，在存在可溶性氧化还原式穿梭的情况下，悬浮在水溶液中的半导体颗粒（光催化剂）的串联粒子 - 悬浮反应器设计1（如图1所示）。 使用设备尺度的数值模型1，我们确定了反应器的设计和光催化剂和氧化还原式班车的浓度，可通过扩散驱动的物种运输产生高达3.8％的太阳能到氢转化效率。 通过自然对流促进物种混合预测，较高的能量转化效率。 在此设计中，每个半导体粒子都被电解质润湿，电解质至少包含四种化学物种，这些化学物质可以参与颗粒表面上的氧化还原反应。 因此，选择性表面催化对于达到高太阳能到氢转化效率至关重要。 在本研究中，我们开发了一个数值模型，以评估球形半导体粒子内以及跨半导体 - 电解质电解质界面的光生电荷接载体的转运和动力学。 Z. 见面。 abstr。MA2017-02 1871 DOI 10.1149/MA2017-02/42/1871抽象太阳能分解是一种有前途的方法，可以以稳定的化学键的形式转换和存储太阳能。在此处考虑，在存在可溶性氧化还原式穿梭的情况下，悬浮在水溶液中的半导体颗粒（光催化剂）的串联粒子 - 悬浮反应器设计1（如图1所示）。使用设备尺度的数值模型1，我们确定了反应器的设计和光催化剂和氧化还原式班车的浓度，可通过扩散驱动的物种运输产生高达3.8％的太阳能到氢转化效率。通过自然对流促进物种混合预测，较高的能量转化效率。在此设计中，每个半导体粒子都被电解质润湿，电解质至少包含四种化学物种，这些化学物质可以参与颗粒表面上的氧化还原反应。因此，选择性表面催化对于达到高太阳能到氢转化效率至关重要。在本研究中，我们开发了一个数值模型，以评估球形半导体粒子内以及跨半导体 - 电解质电解质界面的光生电荷接载体的转运和动力学。Z.见面。abstr。通过与电荷载体传输方程保持一致的泊松玻尔兹曼方程自我来获得粒子内的电势分布。在半导体 - 电解质界面上大多数和少数电荷载体的通量考虑了界面上的所有合理的氧化还原反应。建模结果阐明了反应选择性不仅对动力学参数的依赖性，还阐明了诸如辐照度，工作温度，粒径，重组途径和电解质电解化学电位等变量。结果进一步解释，以确定策略以提高Z-Scheme水分分割系统的能量转换效率。参考文献（1）Chandran，R。B。;布雷恩（Breen）； Shao，Y。； Ardo，S。;韦伯，A。2016，MA2016-01（38），1919– 1919年。2016，MA2016-01（38），1919– 1919年。
半导体可追溯性和市场出处（邮票）
•支持和资金参与国际标准和政策（研讨会，高级欧盟/美国领导力同步）•建立资金计划和RFS，以进行可追溯性和出处，使我在关键基础设施和国家安全的有针对性的飞行员供应中供应，以建立关键的基础供应，以确保关注的市场偏好，以确保对关键的基础供应供应。
terecirits成为国家半导体技术中心成员
natcast是一个专门建造的非营利实体，该实体旨在由商务部指定运营国家半导体技术中心（NSTC）。NSTC由美国政府的《芯片与科学法》建立，是一个专门用于美国半导体研发的公私财团NSTC召集了整个半导体生态系统的行业，学术界和政府，以应对国内半导体行业持续技术进步的最具挑战性的障碍，包括需要熟练的劳动力。NSTC反映了美国曾经是一代人的机会，以推动创新，设定标准和确保半导体设计和制造业的全球领导能力。在natcast.org上了解更多信息。