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混合轻型态在拓扑超导体中与空腔光子搭配的
细菌“ candidatus nardonella dyophthoridicola”是一种革兰氏阴性的gam- maproteotototototabterial tocyobterial tocytobiont（图。1）。特别是，它是与象鼻虫相关的细胞内义务共同主义者（1）。通过向其宿主供应酪氨酸，细菌在表皮中起着至关重要的作用（2）。与第二个象鼻虫相关的符号不同，“ candidatus sodalis pierantonius”，它在宿主的整个生命周期中保持在功能性细菌中（3-5）。我们使用长阅读测序来研究“ Ca.nardonella dryophthoridicola”菌株nardrf，与意大利人种群相关的Rhynchophorus ferrugineus。2017年，昆虫宿主是从卡塔尼亚地区的一棵棕榈树中取样的。p在25°C，黑暗的24小时内，直到分成人。剖析了十个新出现的成年人以提取其细菌。然后按照制造商的动物组织提取说明，使用Dneasy血液和组织试剂盒（意大利Qiagen，意大利）合并细菌以进行DNA提取。在90V时通过0.8％琼脂糖凝胶电泳对DNA完整性进行了1H的验证。用纳米体100分光光度计（意大利的Thermo Fisher Scienti）和Qubit双链DNA（DSDNA）高敏化测定试剂盒测量了DNA纯度和浓度。使用R9.5流单元在奴才MK1B设备上进行了长阅读测序。使用Minknow V18.03.1进行测序48小时。读取量超过500 bp进行后续分析。重点识别为“ Ca.用于图书馆制备，使用1D连接测序试剂盒（SQK-LSK 108）原始Col使用了2.5 m g的非大量和非大小选择的总基因组DNA。然后，将最终DNA的0.5 m g加载到流动细胞上。基本调用，具有高准确性算法，质量截止值为7。所有工具均使用默认参数运行，除非另有说明。使用min-iasm（7）组装了元基因组fastq读取（主机和共生体）。nardonella dyophthoridicola”，以ncbi非冗余（NR）数据库进行鉴定。提取这些概念并用于重新填充组件。重叠群用于映射和提取“ Ca.nardonella dryophthoridicola”使用minimap2 v2.17（8）。然后使用Flye v2.8.1（9）重新组装836,116读。使用Circlator v1.5.5（10）与选项进行了循环 - Merge_Min_ID 85和 - Merge_breaklen 1000，如牛津Nanopore读取。使用公开的Illumina简短读数（SRA登录
新型非常规超导体UTe2 的单晶生长方法研究进展
度变化。数据来源于文献[1]。图2。第一个发现UTE 2超导率：（a）电阻率的温度依赖性； （b）低温特异性热数据的电贡献的温度依赖性。数据取自参考。[1]。
黑磷光导体与绝缘体上铌酸锂光子的集成
合著者：PERUZZO 教授，Alberto（RMIT）；JOHNSON 博士，Brett（RMIT）；KRASNOKUTSKA 博士，Inna（RMIT）；BULLOCK 博士，James（墨尔本大学）；MESSALEA 博士，Kibret（RMIT）；CHAPMAN 博士，Robert（苏黎世联邦理工学院）；TAMBASCO 博士，Jean-Luc（RMIT）
F09电导率 - 金属和半导体的电导率
图7：实验设置。为了改变温度，我们将使用含有液氮或氦气的血管。在容器中，由于传热机制，温度梯度沿垂直方向形成（图7）。温度t（x）取决于距氦表面的距离x。确切的温度曲线由几个因素确定，包括氦气量，容器的几何形状及其绝缘特性。样品（Cu，ta uds si）安装在由COP-PEN制成的样品支架（Probenhalter）上，该样品拧到杆上（Tauchrohr）并被圆柱形屏蔽（Schutzrohr）覆盖（图9）。另外，将铂和碳电阻添加到样品持有器中，该量将用于测量温度。
多层膜钝化提高功率半导体器件的可靠性
汽车对设备在高应力和恶劣工作条件下运行的要求越来越严格。在这种情况下，钝化层在确定电气性能和可靠性方面起着根本性的作用。本研究重点关注应用于最先进功率器件的一次和二次钝化层及其对可靠性的影响。使用标准模块封装中组装的功率二极管作为测试载体，并进行高压温度湿度偏置测试以对结构施加应力。完整的故障模式分析突出了钝化层退化背后的现象。通过应用特定的无机和有机层组合来评估不同的钝化方案。最后，总结了典型的退化机制和相互作用。
通过压电响应力显微镜和 FEM 模拟研究半导体 ZnO 纳米线的直径相关压电响应
半导体压电纳米线 (NW) 是开发由生物相容性和非关键材料制成的高效机械能传感器的有希望的候选材料。人们对机械能收集的兴趣日益浓厚，因此研究半导体 NW 中的压电性、自由载流子屏蔽和耗尽之间的竞争至关重要。到目前为止，由于表征这些纳米结构中的直接压电效应所带来的实验挑战，这一主题很少得到研究。在这里，我们使用 DataCube 模式下的 PFM 技术并通过逆压电效应测量有效压电系数来摆脱这些限制。我们证明了垂直排列的 ZnO NW 的有效压电系数随着半径的减小而急剧增加。我们还提出了一个数值模型，通过考虑掺杂剂和表面陷阱来定量解释这种行为。这些结果对基于垂直排列的半导体 NW 的机械能传感器的表征和优化有很大影响。
irhnj67230（JANSR2N7591U3）PD-96923G实习：嵌入式系统程序员（w/m/div）*员工质量工程师 - 半导体职位描述
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