新闻稿 YINCAE 的 DA158N 芯片粘接材料可承受 -273°C(纽约州奥尔巴尼)2022 年 3 月 30 日 YINCAE 很高兴地宣布,我们已经开发出 DA158N 芯片粘接材料,它是一种导热和电绝缘粘合剂。它可以在低温下快速固化。DA 158N 的开发正在为人类在火星上居住的材料做准备。由于其独特的性能,DA158N 芯片粘接胶具有高导热性,可以实现非常薄的粘合线厚度,不存在任何渗色和迁移问题。此外,DA 158N 具有出色的粘合强度,热循环性能明显高于领先竞争对手。DA 158N 可以承受极端温度(-273°C)而不会出现任何分层,并且仍然优于市场上目前的竞争产品。这不仅对 DA 158N 的使用具有非凡的意义,而且表明它在当前行业中可能具有广泛的用途。该材料可用于所有芯片粘接应用,特别是恶劣条件下的应用。同时,它也适用于各种先进封装中的裸芯片保护,例如存储卡、芯片载体、混合电路和多芯片模块。它专为高产量和友好环境而设计,其中工艺速度和可靠性是关键问题。该材料易于分配,可最大限度地减少诱导应力,提供出色的可靠性性能(例如温度循环性能)和出色的机械阻力。有关 YINCAE 的 DA158N 芯片粘接材料的更多信息,或要了解有关 YINCAE 产品系列的更多信息,请发送电子邮件至:info@yincae.com。您也可以通过访问我们的网站获取更多信息:www.yincae.com
用电流的超导电线中热平衡的稳定性取决于热释放的曲线和热量中的曲线相对位置[1]。如果热释放曲线的斜率超过了去除热曲线的斜率,则随着超导电线的电流增加,热不稳定性会发展出来,这最终导致去除量的机理变化[2-4]。例如,在纸张[3]中,在高温超导(HTSC)电线的电流增加后,当将热去除机理从对流变为核沸腾时,会观察到瞬态过程,从而导致稳定的过载模式[5,6]。但是,超导电线中的热不稳定性可以以其他方式启动,即在去除热量的环境条件下,在永久的电流价值变化下。在htsc-wire的情况下,这可以通过液体制冷剂(氮)的水平降低提供,使得垂直线的顶部在液体表面上方的氮气中。结果,从液体上方(外部)上方的电线零件(外部)中除去热量,它将损失稳定性并达到正常状态。在这种情况下,对于过渡后的热平衡恢复,首先必须减少htsc线中的电流,其次,由于纵向沿纵向的导热率,由于导热性而通过电线端创建有效的热量去除。为此,应为当前铅提供液体冷却。[7]中详细描述了不同类型的水平仪,它们的优势和缺点。基于初始水平换能器(传感器)的外部和浸入部分的参数差异,该操作原理被广泛用于设备中,以测量低温液体的水平(水平仪)。由于其目的而引起的电平计具有参数之间平滑的单调关系
随着 5G、人工智能、物联网等技术的快速发展,微电子设备的工作温度不断升高,对导热和电绝缘材料的需求显著增加[1-4]。这主要是因为微电子设备运行时芯片产生的热量由于一层热界面材料(TIM)而不能迅速传递到冷却设备。TIM 的主要作用是填充微电子设备与散热器翅片之间的缝隙,从而降低界面热阻[5]。环氧树脂或硅橡胶等聚合物因具有优异的黏附性、热稳定性和电绝缘性,常用作 TIM[6,7]。然而,它们的 TC 值较低(低于 0.3 W/m·K),不能满足微电子设备的需求。因此,迫切需要具有优异平面热导率的TIM,它能及时将热量传递至散热片,进而将热量传输到设备外部。通过加入陶瓷填料,如AlN[8-10]、Al2O3[11-13]、Si3N4[14]和BN[15,16],复合策略被认为是提高热导率的最有效方法。特别是对于具有与石墨类似的层状结构的BN,由于其优异的热导率(平面方向约600W/m·K)和宽的带隙[17-20],它引起了人们的极大兴趣。因此,将BN加入到聚合物中对提高热导率具有重要意义。然而,通过传统共混方法制备的BN基复合材料的平面热导率远低于平面取向的。在这方面,已经开发出一些策略来增强聚合物复合材料的平面导热性。一种策略是构建三维网络骨架。在这种结构中,
Si 基光子集成电路 (PIC) 将光学活性元件单片集成在芯片上,正在改变下一代信息和通信技术基础设施 1。在寻找基本的直接带隙的过程中,人们对 IV 族半导体合金进行了深入研究,以获得电泵浦连续波 Si 基激光器。沿着这条路径,已经证明可以通过化学计量和应变工程将新开发的 GeSn/SiGeSn 异质结构的电子带结构调整为直接带隙量子结构,从而为激光提供光增益 2。在本文中,我们介绍了一种多功能电泵浦激光器,它在低温下发射近红外波长为 2.35 µm 的低阈值电流为 4 mA(5 kA/cm 2)。它基于 6 周期 SiGeSn/GeSn 多量子阱结构,沉积在具有弛豫 Ge 缓冲层的 Si 衬底上。通过定义一个圆形台面结构来制作小尺寸微盘腔激光器,该结构蚀刻穿过层堆栈直至 Si 衬底。随后,通过去除此区域的 Ge 缓冲层,将盘的边缘蚀刻 900 nm。剩余的 Ge 基座用作 p 接触区以及激光器的散热器(图 1 a、b)。在这个简单的结构中,由于 SiGeSn 的导热性较差,有源区的实际晶格温度比热浴 T b 高约 60K。但是,激光器在 T b =40K 以下以连续波 (CW) 模式工作,但也可以在 T b =77K 时以直接调制模式高效工作至 ns 脉冲。
关于 AI Technology, Inc. 自 1985 年率先将柔性环氧树脂技术用于微电子封装以来,AI Technology 一直是开发用于电子互连和封装的先进材料和粘合剂解决方案的主导力量之一。除了率先使用“相变”材料 (PCM) 作为热界面材料 (TIM) 外,AI Technology 还为微电子封装行业提供了柔性环氧树脂热粘合剂。通过管理粘合粘合剂之间热膨胀系数差异引起的界面应力,这些热管理材料已在关键的军事和航空航天应用中得到广泛使用和成功。相同的无应力介电粘合剂现已适用于铜和铝包覆的绝缘金属基板。这些热管理材料的主要优势是无与伦比的长期可靠性,这归因于其能够承受反复的热循环和散热板与电路层之间的无应力粘合。AI Technology 还为更先进的多层绝缘金属基板电路和模块提供具有高导热性的相同柔性环氧预浸料。这种新型热管理材料为太阳能电池、LED 面板等电源模块的大面积热管理提供了平台和基础设施。AI Technology 拥有全系列芯片和基板粘接膜和糊剂、热界面材料、(EMI/RFI)缓解材料解决方案、导电填缝剂和粘合剂以及先进的柔性和绝缘金属电路基板。该公司在新泽西州普林斯顿交界处占地 16 英亩的园区内拥有经 ISO9001:2000 认证的制造和研发设施。销售支持包括公司在中国深圳和香港的直属办事处以及欧洲和亚洲的销售代表。
许多复杂的晶体在高温下表现出晶格导热率甚至增加,这偏离了传统的声子理论给出的传统1/ t衰减趋势。在本文中,我们预测Al 2 O 3的导热率与从室温到接近熔点(2200 K)的实验数据相匹配。发现晶格导热率是由声子,diffuson和辐射的贡献组成的。声子粒子导热性大约衰减〜t -t -1。14在考虑四频(4PH)散射以及对晶格常数和谐波和谐波力常数(AFCS)的有限温度校正之后。diffuson(带间隧穿)导热率大约增加到〜t 0。43。辐射导热率增加为〜t 2。51,由于随温度的呼声宽度增加而略小于〜t 3,这增加了光子消光系数并减少了光子平均自由路径(MFP)。在室温下,声子,扩散和辐射分别贡献约99、1和0%。在2200 K时,它们的贡献分别更改为61%,20%和19%。4PH散射在超高温度下很重要,将声子导热率降低了24%。在超高温度下,谐波和AFCS的有限温度软化效应最多增加了36%。我们还验证了绿色-Kubo分子动力学可以像Wigner形式主义一样捕获声子的粒子和波性质。在超高温度下,发现光子MFP在100 nm处,应考虑用于对薄膜的实验测量。在本文中,我们旨在增强对超高温度下复杂晶体中晶格导热率的理解,从而有可能促进对适合这种极端条件的材料的进一步探索。
doi:https://dx.doi.org/10.30919/es8d582评论先进的Mullite Ceramics Romit Roy,Dipankar das *和Prasanta Kumar Rout * Abstract Mullite正在成为最宽敞的氧化陶瓷材料之一,因为其高级结构和功能性的陶瓷物质是其出色的陶瓷物质之一。这样的特性是低密度,低热膨胀,出色的蠕变耐药性,低导热性,高温下的优异强度以及良好的化学稳定性。如今,Mullite在结构,电子,光学和高温等各个领域中具有广泛的应用领域。 mullite存在于骨晶体结构中,具有3AL 2 O 3·2SIO 2的化学计量组成。 本研究概述了Mullite的结构,性质,合成路线,各种现代应用。 在简短的介绍之后,本评论论文重点介绍了mullite的基本晶体结构。 其次,本文处理了Mullite陶瓷的各种属性和应用领域,第三,作者列出了不同的陈述原材料和各种合成途径,以在桌面形式中制造Mullite陶瓷,并尝试编译其他研究人员的研究结果。 最后,这项研究的最后一部分是Mullite陶瓷,Mullite合成挑战和废料利用的各种应用。如今,Mullite在结构,电子,光学和高温等各个领域中具有广泛的应用领域。mullite存在于骨晶体结构中,具有3AL 2 O 3·2SIO 2的化学计量组成。本研究概述了Mullite的结构,性质,合成路线,各种现代应用。在简短的介绍之后,本评论论文重点介绍了mullite的基本晶体结构。其次,本文处理了Mullite陶瓷的各种属性和应用领域,第三,作者列出了不同的陈述原材料和各种合成途径,以在桌面形式中制造Mullite陶瓷,并尝试编译其他研究人员的研究结果。最后,这项研究的最后一部分是Mullite陶瓷,Mullite合成挑战和废料利用的各种应用。
杂质(Cl-)ppm < 1.5 描述 陶氏有机硅微电子胶粘剂产品旨在满足微电子和光电子封装行业的关键标准,包括高纯度、防潮性以及热稳定性和电稳定性。陶氏有机硅微电子胶粘剂产品具有出色的应力消除和高温稳定性,可出色地无需底漆粘附于各种基材和部件。这些产品非常适合需要低模量材料的微电子设备、无铅焊料回流温度(260°C)或其他高可靠性应用。这些材料具有湿式分配和预固化薄膜产品形式,可满足设备封装应用的广泛需求。陶氏有机硅微电子胶粘剂产品以方便的单组分材料形式提供,具有针对导电性、电绝缘性或导热性开发的特定配方,所有这些都通过热固化而不会产生副产品。表面准备 所有表面都应使用 DOWSIL™ OS 液体、石脑油、矿物油或甲基乙基酮 (MEK) 等溶剂彻底清洁和/或除油。建议尽可能进行轻微表面打磨,因为这样可以促进良好的清洁并增加粘合表面积。最后用丙酮或 IPA 擦拭表面也有助于去除其他清洁方法可能留下的残留物。在某些表面上,不同的清洁技术会比其他技术产生更好的效果。用户应确定最适合其应用的技术。 基材测试 由于基材类型多样且基材表面条件不同,因此无法对粘合强度和粘合强度做出一般性陈述。为了确保在特定基材上的最大粘合强度,需要使粘合剂在搭接剪切中 100% 内聚破坏或具有类似的粘合强度。这可确保粘合剂与所考虑的基材兼容。此外,此测试可用于确定最短固化时间或检测表面污染物(如脱模剂、油、油脂和氧化膜)的存在。
摘要。本文研究了麦克斯韦混合纳米流体(Cu-Al 2 O 3 /水和CuO-Ag/水)在延伸薄片上的驻点处的情况。该问题的动机在于它在提高现代传热应用中的热效率方面具有潜在重要性,这对于优化制造工艺和节能技术至关重要。因此,本研究研究了非牛顿麦克斯韦纳米液体穿过混合对流边界层(BL)并传播热量通过包含混合纳米颗粒的收缩/拉伸表面。在当前的工作中,涉及两种不同类型的混合纳米流体:Cu-Al 2 O 3 /水和CuO-Ag/水。将铜颗粒(Cu)和氧化铜颗粒(CuO)混合到Al 2 O 3 /水和Ag/水纳米流体中以研究这两种类型。流动受到均匀磁场(MF)和驻点的影响。问题源于它们增强的导热性和传热能力,这对于提高先进冷却系统和涉及驻点流的工程应用中的能源效率至关重要。通过利用适当的变换,偏微分方程 (PDE) 被转换为常微分方程 (ODE)。原型利用四阶龙格-库塔 (RK-4) 方法结合射击技术进行计算分析。当前工作的成果对驻点流具有适用意义,例如核反应堆的冷却、支持者对微电子程序的冷却、拉丝、聚合物挤出和许多工程流体动力学应用。从理论和数值上研究了所选因素对温度、速度、传热速率和表面摩擦系数的影响。发现不同混合纳米粒子的存在以及其他参数的影响对速度和温度分布都起着重要作用。此外,驻点在液体流动中产生了分离极限,从而逆转了这些流动区域之间的磁场影响。 2020 数学科目分类:76A05、76D10、76W05、80A20、65L06 关键词和短语:混合纳米流体、非牛顿麦克斯韦流体、驻点、磁流体动力学、拉伸表面
仅加热和冷却就占总能源使用量的一半。由于其中 66% 的能源来自化石燃料 [2],因此,高效隔热和冷却材料对于降低人为 CO 2 排放至关重要。除了提供所需的热性能外,此类材料还应安全、可回收,并在制造和运行过程中消耗最少的能量。最先进的绝缘材料还不能满足这些要求。聚合物基绝缘体(例如发泡/挤塑聚苯乙烯和聚氨酯泡沫)的热导率相对较低,但耐火性和报废可回收性有限。尽管无机绝缘体具有固有的耐火性,但玻璃棉和矿棉在制造过程中涉及高能量过程,并且表现出被认为对人体健康有害的纤维形态。气凝胶是一种有吸引力的高性能绝缘无机材料,但其高成本迄今为止限制了其在小众应用中的使用。现有绝缘材料的优点和缺点为开发新技术提供了机会。多孔陶瓷因其成本低、耐火、可回收和导热系数相对较低等优点,最近作为替代隔热材料受到了越来越多的关注。[3–7] 除了隔热之外,多孔陶瓷还被用于通过实现建筑元素的被动冷却来改善建筑物的热管理。[8] 被动冷却依赖于渗入陶瓷孔隙中的水的蒸发,在蒸汽压缩技术出现之前,这种机制长期用于降低食物和水的温度。由于孔隙是隔热和蒸发冷却所需的关键结构特征,因此制造具有可控孔隙率的陶瓷对于开发用于建筑热管理的节能技术具有巨大潜力。在本研究中,我们使用湿泡沫模板 3D 打印分层多孔陶瓷,并研究其用于建筑元素热管理的隔热和蒸发冷却性能。分层多孔结构设计为包含大量大孔,可降低材料的导热性,同时还显示实现毛细管驱动被动冷却所需的微米级孔隙。利用粘土作为可回收、廉价且广泛可用的材料资源,我们首先开发了湿泡沫