居里温度

在钙钛矿氧化物中实现具有创纪录高居里温度的半金属

这意味着载流子在费米能级上完全 (100%) 自旋极化，使磁性 HM 在先进自旋电子器件中具有极好的实际应用前景。[1–6] 然而，开发适用于接近室温 (RT) 温度的实用自旋电子器件需要同时考虑 HM 材料的某些合成性能。首先，FM 或 FiM 居里温度 ( TC ) 应明显高于 RT。其次，绝缘自旋通道的能隙 ( E g ) 应足够宽以抑制由载流子热激发引起的自旋翻转转变，确保在工作温度区域内 100% 自旋极化。[7,8] 此外，与磁矩成正比的电子自旋极化必须足够高才能有效地注入极化自旋。[4,9–12] 钙钛矿氧化物是半金属研究的最重要系统之一。迄今为止，钙钛矿中实验实现的最高 TC 约为 635 K。[13] 尽管实验中已经报道了各种各样的磁性 HM，但开发同时满足上述三个要求的单相材料仍然是一个关键挑战。例如，尽管在 NiMnSb、[3] Co 2 FeSi、[14] 中观察到较高的居里温度