随着电动汽车和大规模储能系统的开发,现有的商业锂离子电池(LIB)越来越无法满足市场需求。出于这个原因,研究人员探索了各种新型材料系统,以增加电池的能量密度,例如基于合金的阳极,1,2 Li金属阳极,3,4 sul sul sul de-de-de-de-de-de-de de de基基阳极,5 - 7和基于Li-rich的锰的阴极。8,9在其中,硅(SI)被认为是商业石墨阳极的最佳替代品之一,因为它具有高理论能力(4200 mAh g -1)和适当的工作电压(〜0.4 V,vs.li/li/li +)。10然而,静电后,硅的体积膨胀高达300%,而Li +的反复插入和提取诱导了表面上的机械应力和变形,从而导致颗粒的粉碎。11,体积变形会破坏相邻硅颗粒之间或颗粒与当前收集器之间的电气接触,而活性材料可能完全从收集器脱离。10,12此外,硅表面上的固体电解质相(SEI)反复破裂并因硅的体积变形而导致,消耗了大量的电解质和活性锂。13随着时间的流逝,
抗干扰措施 使用高度复杂的微电子器件需要始终实施抗干扰和布线概念。现代机器的结构越紧凑,对性能的要求越高,这一点就变得越重要。以下安装说明和建议适用于“正常工业环境”。没有一种解决方案适合所有干扰环境。当采用以下措施时,编码器应处于完美的工作状态: • 在串行线的开始和结束处(例如,控制和最后一个编码器)用 120 电阻器(接收/发送和接收/发送之间)终止串行线。 • 编码器的接线应远离可能造成干扰的电源线。 • 屏蔽电缆横截面积至少为 4 mm²。 • 电缆横截面积至少为 0.14 mm²。 • 屏蔽和 0 V 的接线应尽可能呈放射状排列。 • 不要扭结或卡住电缆。 • 遵守数据表中给出的最小弯曲半径,避免拉伸和剪切载荷。 操作说明 Pepperl+Fuchs 制造的每个编码器都处于完美状态。为了确保这种质量以及无故障运行,必须考虑以下规范: • 避免对外壳(特别是编码器轴)造成任何冲击,以及避免编码器轴的轴向和径向过载。 • 只有在使用合适的联轴器时,才能保证编码器的精度和使用寿命。 • 编码器和后续设备(例如控制)的工作电压必须同时打开和关闭。 • 任何接线工作都必须在系统处于死区的情况下进行。 • 不得超过最大工作电压。设备必须在超低安全电压下运行。 连接电气屏蔽的注意事项 设备的抗干扰能力取决于正确的屏蔽。在这个领域,安装故障经常发生。通常只在一侧应用屏蔽,然后用导线焊接到接地端子,这是 LF 工程中的有效程序。但是,在 EMC 的情况下,适用 HF 工程规则。HF 工程的一个基本目标是以尽可能低的阻抗将 HF 能量传递到地面,否则能量会释放到电缆中。通过与金属表面的大面积连接可实现低阻抗。必须遵守以下说明:• 如果不存在等电位电流风险,则将两侧的屏蔽层大面积地连接到“公共接地”。• 屏蔽层必须穿过绝缘层后面,并且必须夹在张力释放器下方的大表面上。• 如果电缆连接到螺钉型端子,则张力释放器必须连接到接地表面。• 如果使用插头,则应仅安装金属插头(例如带有金属外壳的 D 型插头)。请注意张力释放器与外壳的直接连接。
第 1 页 规格 操作范围:最大 99999 立方英尺(99999 升) 累加器精确度:+5% 累加器读数: LCD:2 行,16 个字符,背光。连续显示累计体积 + 流量 + 经过时间。电池供电,可在断电时调用样品数据。 定时器电路:微处理器控制的晶体振荡器 工作电压:7 至 30 VDC 尺寸:81/2” 宽,71/2” 深,9” 高 重量:8.5 磅 (4 Kg) 空气推动器:内部安装;两级涡轮鼓风机 马达:1 HP,自冷 吊环螺栓:顶部安装,用于携带或悬挂采样器。随附 2” 宽、6 英尺长的皮带。 电源:ON/OFF 开关/断路器控制装置的直流电源。 键盘,16 键 - 功能:停止键:手动终止采样。单位键:在升和立方英尺单位之间切换显示。设置键:允许用户更改采样预设。数字键:允许输入数值以响应显示的菜单。校准:按下特殊组合键为设备通电,使设备进入菜单驱动的校准模式。安全性:可以选择性地将键盘功能限制为启动/停止和单位,以防止更改采样预设。
简介 数字处理能力的成本以及固态功率转换的成本正在持续下降。因此,电子设备越来越多地用于涉及安全、安全相关和安全关键的应用中,特别是在工业、商业、医疗和运输控制和自动化应用中。这些电子设备的精确度和可靠性是功能安全所关注的问题。所有电子技术在其工作环境中受到电磁 (EM) 干扰时,本质上都容易出现不精确、故障甚至永久性损坏。现代电子设备中硅片尺寸的持续缩小使其功能更强大、成本更低 - 但是这种缩小及其相关的较低工作电压使设备更容易受到电磁干扰 (EMI)。由于数字、开关模式和无线技术的使用越来越多,环境中电磁干扰的强度和频率范围日益恶化。再加上电子设备对 EMI 的敏感性不断增加,电子设备的可靠性本身也在下降,这对功能安全产生了重要影响。EMC 标准和法规是围绕频谱控制问题制定的,并且(一般来说)不会试图解决安全问题。安全标准和法规通常对 EM 的覆盖范围很差
CMT2300A 是一款超低功耗、高性能、OOK(G)FSK 射频收发器,适用于各种 140 至 1020 MHz 的无线应用。它是 CMOSTEK NextGenRF TM 射频产品线的一部分。该产品线包含完整的发射器、接收器和收发器。CMT2300A 的高集成度简化了系统设计所需的外围材料。高达 +20 dBm 的 Tx 功率和 -121 dBm 的灵敏度优化了应用的性能。它支持多种数据包格式和编解码方式,以满足各种不同应用的需求。此外,CMT2300A 还支持 64 字节 Tx/Rx FIFO、GPIO 和中断配置、Duty-Cycle 操作模式、信道感应、高精度 RSSI、低压检测、上电复位、低频时钟输出、手动快速跳频、静噪等功能。这些功能使应用设计更加灵活和差异化。 CMT2300A 工作电压为 1.8 V 至 3.6 V,在灵敏度为 -121 dBm 时仅消耗 8.5 mA 电流,超低功耗模式可进一步降低芯片功耗,在输出功率为 13 dBm 时仅消耗 23mA Tx 电流。
第 1 页 规格 操作范围:最大 99999 立方英尺(99999 升) 累加器精确度:+5% 累加器读数: LCD:2 行,16 个字符,背光。连续显示累计体积 + 流量 + 经过时间。电池供电,可在断电时调用样品数据。 定时器电路:微处理器控制的晶体振荡器 工作电压:7 至 30 VDC 尺寸:81/2” 宽,71/2” 深,9” 高 重量:8.5 磅 (4 Kg) 空气推动器:内部安装;两级涡轮鼓风机 马达:1 HP,自冷 吊环螺栓:顶部安装,用于携带或悬挂采样器。随附 2” 宽、6 英尺长的皮带。 电源:ON/OFF 开关/断路器控制装置的直流电源。 键盘,16 键 - 功能:停止键:手动终止采样。单位键:在升和立方英尺单位之间切换显示。设置键:允许用户更改采样预设。数字键:允许输入数值以响应显示的菜单。校准:按下特殊组合键为设备通电,使设备进入菜单驱动的校准模式。安全性:可以选择性地将键盘功能限制为启动/停止和单位,以防止更改采样预设。
第 1 页 规格 操作范围:最大 99999 立方英尺(99999 升) 累加器精确度:+5% 累加器读数: LCD:2 行,16 个字符,背光。连续显示累计体积 + 流量 + 经过时间。电池供电,可在断电时调用样品数据。 定时器电路:微处理器控制的晶体振荡器 工作电压:7 至 30 VDC 尺寸:81/2” 宽,71/2” 深,9” 高 重量:8.5 磅 (4 Kg) 空气推动器:内部安装;两级涡轮鼓风机 马达:1 HP,自冷 吊环螺栓:顶部安装,用于携带或悬挂采样器。随附 2” 宽、6 英尺长的皮带。 电源:ON/OFF 开关/断路器控制装置的直流电源。 键盘,16 键 - 功能:停止键:手动终止采样。单位键:在升和立方英尺单位之间切换显示。设置键:允许用户更改采样预设。数字键:允许输入数值以响应显示的菜单。校准:按下特殊组合键为设备通电,使设备进入菜单驱动的校准模式。安全性:可以选择性地将键盘功能限制为启动/停止和单位,以防止更改采样预设。
doi:https://dx.doi.org/10.30919/es1060锂离子电池的基于硅的阳极开发及其在固态电解器Yifei Zhou,1 Wenfan Feng,1 Wenfan Feng,1 Yanbin Xu Xu 1,* Yanbin Xu Xu Xu 1,* Xingang Liu,* Xingang Liu,1 Zhiai Weqiia,1 Zhiai wangang,1 Zhi wangang,1 Zhi wang, Burcar,2 Zhe Wang 2,*和Zhenglong Yang 1,*抽象的锂离子电池(LIBS)由于其高能密度,较大的工作温度范围,高工作电压以及良好的安全性和循环稳定而广泛用于日常生活的各个方面。阳极是锂离子电池的重要组成部分,可以存储和释放锂离子。因此,选择阳极对改善电池性能的关键影响。基于硅的阳极预计将是下一代高性能锂离子电池的阳极材料,这是由于其高理论特异性能力和其他优势。然而,锂过程中硅的体积变化和诱导的SEI的不稳定性对硅阳极的发展构成了巨大的挑战。本文回顾了锂离子电池中硅阳极的开发,系统地介绍了基于硅的材料作为阳极所带来的挑战和改进方法,并研究了硅阳极在固态电解质中的应用。最后,关于锂电池的硅阴极的未来开发的一些看法。
低功耗硅基光源和探测器因其易于工艺集成而对片上光子电路具有吸引力。然而,传统的硅发光二极管发射的光子能量接近能带边缘,而相应的硅光电探测器缺乏响应度。另一方面,以前报道的利用反向偏置二极管的热载流子电致发光硅器件需要高工作电压。在这里,我们研究了在瞬态电压条件下工作的硅金属氧化物半导体电容器中的热载流子电致发光。在每个电压瞬变期间,源接触边缘都会产生较大的能带弯曲,远大于稳定状态下可实现的能带弯曲。因此,电子和空穴在相应的电压瞬变下从单个源接触有效地注入硅通道,随后它们在那里经历碰撞电离和声子辅助带间复合。值得注意的是,我们通过使用 20 nm 厚的高 j 栅极电介质展示了低至 2.8 V 的低压操作。我们表明,通过减少栅极电介质厚度可以进一步实现电压缩放,从而为硅光电集成电路提供低压平台。
自组装单分子膜 (SAM) 广泛应用于有机场效应晶体管,以改变栅极氧化物的表面能、表面粗糙度、薄膜生长动力学和电表面电位,从而控制器件的工作电压。本研究使用 n 型多晶小分子半导体材料 N,N′-二辛基-3,4,9,10-苝二甲酰亚胺 (PTCDI-C8),比较了氨基官能化的 SAM 分子与纯烷基硅烷 SAMS 对有机场效应晶体管电性能的影响。为了了解氨基对电子的影响,系统地研究了含氨基官能团的数量和 SAM 分子长度的影响。虽然之前已经研究过氨基官能化的 SAM 材料,但这项研究首次能够揭示用极性氨基硅烷材料处理栅极氧化物时发生的掺杂效应的性质。通过对分子水平上的界面进行全面的理论研究,我们发现观察到的阈值电压偏移是由自由电荷引起的,这些自由电荷被 PTCDI-C8 吸引,并在那里被质子化的氨基硅烷稳定下来。这种吸引力和电压偏移可以通过改变氨基硅烷中性端链的长度来系统地调整。