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综述——宽带隙和超宽带隙半导体的辐射损伤
宽带隙半导体 SiC 和 GaN 已经作为功率器件商业化，用于汽车、无线和工业电源市场，但它们在太空和航空电子应用中的应用受到重离子暴露后易发生永久性性能退化和灾难性故障的阻碍。这些宽带隙功率器件的太空认证工作表明，它们易受无法屏蔽的高能重离子空间辐射环境（银河宇宙射线）的损坏。在太空模拟条件下，GaN 和 SiC 晶体管在其额定电压的约 50% 下表现出故障敏感性。同样，在重离子单粒子效应测试条件下，SiC 晶体管容易受到辐射损伤引起的性能退化或故障，从而降低了它们在太空银河宇宙射线环境中的实用性。在 SiC 基肖特基二极管中，在额定工作电压的 ∼ 40% 时观察到灾难性的单粒子烧毁 (SEB) 和其他单粒子效应 (SEE)，并且在额定工作电压的 ∼ 20% 时漏电流出现不可接受的下降。超宽带隙半导体 Ga 2 O 3 、金刚石和 BN 也因其在电力电子和日盲紫外探测器中的高功率和高工作温度能力而受到探索。从平均键强度来看，Ga 2 O 3 似乎比 GaN 和 SiC 更能抵抗位移损伤。金刚石是一种高度抗辐射的材料，被认为是辐射探测的理想材料，特别是在高能物理应用中。金刚石对辐射暴露的响应在很大程度上取决于生长的性质（自然生长与化学气相沉积），但总体而言，金刚石对高达几 MGy 的光子和电子、高达 10 15（中子和高能质子）cm − 2 和 > 10 15 介子cm − 2 的辐射具有抗辐射能力。BN 对高质子和中子剂量也具有抗辐射能力，但由于中子诱导损伤，h-BN 会从 sp 2 杂化转变为 sp 3 杂化，并形成 c-BN。宽带隙和超宽带隙半导体对辐射的响应，尤其是单粒子效应，还需要更多的基础研究。© 2021 电化学学会（“ ECS ” ）。由 IOP Publishing Limited 代表 ECS 出版。[DOI：10.1149/2162-8777/ abfc23 ]
高能量密度和耐用的小袋 - 细胞石墨 -
基于石墨的双离子电池（GDIB）代表了一个有前途的电池概念，用于大规模存储，因为低成本，工作电压高和可持续性。电解质浓度在确定GDIB的能量密度和循环寿命中起关键作用。然而，浓缩电解质显示出低锂离子（LI +）传输动力学，从而减少了它们的插入和固体电解质界面（SEI）形成能力。此外，高截止电压中的GDIB遭受电解质降解和当前收集器的腐蚀。在此，我们报告了一种高度浓缩的电解质配方，该配方基于杂交六氟磷酸盐（LIPF 6）和锂Bis（氟磺酰基）酰亚胺（LIFSI）盐（lifSI）盐具有超宽的电化学稳定窗口（6 V），以及能够形成SEI和Passivation and collecter andode andode andode andode andode andode andode andode andode andode andode andode andode andode andode andode andode。用LIPF 6和溶剂调节浓缩的LIFSI电解质
回顾——辐射单粒子效应中的机会……
辐射效应对 SiC 和 GaN 电力电子器件的可靠性有着至关重要的影响，必须了解辐射效应对于涉及暴露于各种电离和非电离辐射的太空和航空电子应用的影响。虽然这些半导体表现出对总电离剂量和位移损伤效应的出色辐射硬度，但 SiC 和 GaN 功率器件容易受到单粒子效应 (SEE) 的影响，这种效应是由无法屏蔽的高能重离子空间辐射环境 (银河宇宙射线) 引起的。这种性能下降发生在额定工作电压的 50% 以下，需要在降额电压下操作 SiC MOSFET 和整流器。业界还将陆地宇宙辐射 (中子) 引起的 SEE 确定为在飞机上使用 SiC 基电子产品的限制因素。在本文中，我们回顾了对这些材料进行全面系统评估的前景和机会，以了解这些影响的起源和可能的缓解措施。© 2021 电化学学会 (“ ECS ”)。由 IOP Publishing Limited 代表 ECS 出版。[DOI：10.1149/2162-8777/ ac12b8]
引文：Dong, Mark, Heim, David, Witte, Alex, Clark, Genevieve, Leenheer, Andrew J 等人。2022 年。“用于 VLSI 的压电光机械悬臂调制器
摘要：可见波长超大规模集成 (VLSI) 光子电路有可能在量子信息和传感技术中发挥重要作用。可扩展、高速、低损耗的光子网格电路的实现取决于可靠且精心设计的可见光子元件。本文我们报告了一种基于压电驱动机械悬臂的低压光学移相器，该移相器是在 CMOS 兼容的 200 毫米晶圆可见光子平台上制造的。我们展示了差分操作中 6 V π -cm 的线性相位和幅度调制、-1.5 dB 至 -2 dB 的插入损耗以及 700 nm - 780 nm 范围内高达 40 dB 的对比度。通过调整选定的悬臂参数，我们演示了一个低位移和一个高位移装置，两者均表现出从直流到峰值机械共振的几乎平坦的频率响应，分别在 23 MHz 和 6.8 MHz，通过共振增强 Q~40，进一步将工作电压降低至 0.15 V π -cm。
MC33789，带电源和 PSI5 传感器接口的安全气囊系统基础芯片 (SBC) - 数据表
33789 非常适合用于低端到高端安全气囊系统，因为它允许设计人员根据所需的触发环路数量扩展设计，同时提供增强的安全性和系统可靠性。 特性 • 设计工作电压为 5.2 V V PWR 20 V，最高瞬态电压为 40 V • 具有可编程感应阈值的安全状态机 • 两个具有 PWM 功能的可配置高侧/低侧驱动器 • 四个 PSI5 卫星传感器主接口 • 自我保护和诊断功能 • 看门狗和系统上电复位 (POR) • 支持完整的安全气囊系统电源架构，包括系统电源模式控制、引爆器触发电源 (33 V)、卫星传感器 (6.3 V) 以及本地 ECU 传感器和 ECU 逻辑电路 (5.0 V) • 九个可配置开关输入监视器，用于简单开关和霍尔效应传感器接口，带内部电源 • 16 位 SPI 接口 • LIN 2.1 物理层接口
MC33789，带电源和 PSI5 传感器接口的安全气囊系统基础芯片 (SBC) - 数据表
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MC33789，带电源和 PSI5 传感器接口的安全气囊系统基础芯片 (SBC) - 数据表
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MC33789，带电源和 PSI5 传感器接口的安全气囊系统基础芯片 (SBC) - 数据表
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通过电极和电解质配置调整镁燃料电池性能和腐蚀行为
镁空气燃料电池（MAFC）是一种混合系统，结合了燃料电池和电池的设计，需要持续更换阳极和电解质才能运行。MAFC应用程序限制了短期高功率应用，例如紧急和便携式电源。因此，这项研究的重点是通过研究电解质体积，电极位置和电解质浓度对MG -Air燃料电池性能的影响。从电解质体积变化开始，进行了三组实验。然后，将其应用于细胞配置中，以测试具有不同电极位置的MAFC性能。最后，最佳的电极位置与所选电解质一起应用于新的修饰MAFC，以研究电解质浓度对MAFC性能的影响。发现表明，电解质体积对性能并不重要，而较高的NaCl浓度可以显着提高MAFC的性能。10 wt％的NaCl产生的最高功率密度为38.95 mW.cm -2，工作电压为1.67V。不幸的是，在较高的NaCl浓度下观察到较高的腐蚀速率。最后，添加磷酸钠作为腐蚀抑制剂可抑制腐蚀反应并降低腐蚀速率。
CA-IS2062 3.75kVRMS 隔离式 CAN 收发器，带有...
输出缓冲器由二氧化硅 (SiO2) 绝缘屏障隔开，可提供高达 3.75kV RMS (60s) 的电流隔离。隔离通过断开接地环路来改善通信，并在端口之间的接地电位差较大时降低噪声。CA-IS2062 在逻辑侧由单个 5V 电源供电。集成的 DC-DC 转换器为电缆侧产生 5V 工作电压。该设备不需要除旁路电容器以外的任何外部组件来实现隔离的 CAN 端口。收发器的工作数据速率高达 1Mbps，并具有集成保护功能以实现稳健的通信，包括电流限制、热关断和 CAN 总线上的扩展 ±58V 故障保护，适用于需要过压保护的设备。主要超时检测可防止由控制器错误或 TXD 输入故障引起的总线锁定。这些 CAN 接收器还包含 ±30V 的输入共模范围 (CMR)，超过了 ISO 11898 规范的 -2V 至 +7V。 CA-IS2062 采用宽体 16 引脚 SOIC(W) 封装，工作温度范围为 -40°C 至 +125°C。