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辐射效应对 SiC 和 GaN 电力电子器件的可靠性有着至关重要的影响，必须了解辐射效应对于涉及暴露于各种电离和非电离辐射的太空和航空电子应用的影响。虽然这些半导体表现出对总电离剂量和位移损伤效应的出色辐射硬度，但 SiC 和 GaN 功率器件容易受到单粒子效应 (SEE) 的影响，这种效应是由无法屏蔽的高能重离子空间辐射环境 (银河宇宙射线) 引起的。这种性能下降发生在额定工作电压的 50% 以下，需要在降额电压下操作 SiC MOSFET 和整流器。业界还将陆地宇宙辐射 (中子) 引起的 SEE 确定为在飞机上使用 SiC 基电子产品的限制因素。在本文中，我们回顾了对这些材料进行全面系统评估的前景和机会，以了解这些影响的起源和可能的缓解措施。© 2021 电化学学会 (“ ECS ”)。由 IOP Publishing Limited 代表 ECS 出版。[DOI：10.1149/2162-8777/ ac12b8]
回顾——辐射单粒子效应中的机会……
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