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半导体器件的最新进展（）...
关于电子与通信工程系 电子与通信工程 (ECE) 学科将电子与通信领域的教学和研究活动完美地结合在一起。自成立以来，该学科的主要目标一直是提供优质教育、实践培训和电子与通信工程前沿领域的研究，重点关注 IT 支持的设计和制造。该学科的研究小组之间以及与其他学科和机构之间的跨学科研究也在实践中。该学科的研究和学术活动的广泛领域包括微波与通信工程、信号与图像处理、微纳电子学以及电力与控制。该系目前有 18 名教师。
砷化镓器件的可靠性
过去几年中，砷化镓 (GaAs) 晶体管和集成电路在太空和军事领域的应用大大扩展。开发这种化合物半导体的主要原因是 GaAs 器件可以在更高频率下工作，并且比硅器件具有更高的抗辐射能力。然而，目前硅技术在可靠性方面仍然占有相当大的领先地位。硅优越可靠性的基础是与生俱来的，在于其氧化物的性质，这种氧化物可以在受控条件下生长，并具有更好的保护性能。不幸的是，GaAs 的氧化物不具备这些品质。我们对市售 GaAs 信号晶体管进行可靠性研究的目的是独立评估它们在星载射频 (RF) 系统（如 X 波段发射器和 S 波段信标接收器）中的使用成熟度。具体来说，在本文中，我们报告了对高电子迁移率晶体管 (HEMT)、信号金属半导体场效应晶体管 (MESFE T)、功率 MESFET 和数字过程控制监控设备的评估。为了帮助读者理解 GaAs 技术，
光电子学与光电子器件的优化...
摘要。本文采用计算机建模方法，考虑优化基于热管和冷却环的被动空气系统设计，以冷却大功率 LED 灯具。研究了冷却系统的热特性和质量特性，设计参数包括环间距离、环材料厚度和热负荷。结果表明，为了使 LED 光源外壳温度最小，冷却环之间的最佳距离应为 6 毫米，但在这种情况下，冷却系统的质量并不最小。为了降低灯具质量，选择冷却环之间的距离等于 8 毫米是合理的。这样，光源温度仅增加 1.8°С，即 2.2%，而冷却系统的质量减少 1357 克，即 20.5%。同时，将环厚度从 2 毫米降低到 0.8 毫米，还可以将质量减少 2700 克，即 48.6%。然而，这样做时 LED 光源外壳的温度会升高 5.9°С 。所提供的基于热管的冷却系统在 LED 光源晶体最高温度 135.5°С 下分散 500W 热功率时能够提供 0.131°С/W 的热阻。已经制定了开发冷却系统的应用建议。
量子器件的分子束外延生长
“界面就是器件”。2000 年诺贝尔物理学奖获得者赫伯特·克勒默的宣言精辟地概括了界面在电子器件功能和性能中发挥的核心作用。[1] 对于基于低维或拓扑量子材料的器件来说，这句话更是如此，因为它们的性质通常对表面和界面周围的几个原子层敏感。[2-5] 如此精密的“量子器件”需要能够以良好可控的方式实现原子级清洁、突变和平整界面的制造技术。这显然超出了低真空、环境空气或溶液环境下的传统制造工艺的范围。分子束外延 (MBE) 是一种可以提供最佳界面条件和可控性的制备方法，采用超高真空 (UHV) 环境、高纯度蒸发源、缓慢的生长速度和可精细调节的生长参数。[6] 标准 MBE 技术通常用于生长薄膜和垂直异质结构。一些平面纳米结构也可以通过 MBE 制备，[7,8] 但其控制效果不如传统光刻或电子束光刻那么好。通过 MBE 生长的“干净”样品必须经历“肮脏”的制造过程才能制成器件。这些过程中产生的不受控的表面和界面会显著改变器件的性能，尤其是由表面/界面敏感的量子材料制成的器件。人们非常希望通过分子束外延直接生长由量子材料组成的极其脆弱的器件，然后将其封装在超高真空环境中，以保留其原有性能。在过去的几年中，在平面纳米结构和器件的直接分子束外延生长技术方面取得了令人鼓舞的实验进展，[9-18] 这在很大程度上得益于
OLED器件的性能和老化研究
本文提出了一种通过 ADT 以光解作为加速因子来确定 PMOLED 屏幕寿命的方法。用于光解的光由发射 405 nm 的 LED 产生。该方法的特殊性在于它使用可见光谱中的光。该方法可以在不修改屏幕的情况下使用最少的硬件来构建测试台。发射 405 nm 光的 LED 可以通过具有控制达林顿晶体管的运算放大器的组件来控制。该组件放置在不透明的盒子下方，以避免暴露于其他光源。一切都通风，以便测试台的不同部分保持在室温。选择进行测试的屏幕是 UG-9664HDDAG01，405 nm LED 是 LZ1-10UA00-00U8。调整 LED 以产生 140 W/m 2 至 1090 W/m 2 之间的不同辐照度。观察到的退化表明，当屏幕像素处于活动状态时，其退化速度明显更快。测试期间关闭的设备也会受到影响，但其性能下降程度不太明显。每 24 小时使用功率计进行一次辐照度测量，功率计调整至屏幕发出的主波长。根据有关OLED的科学文献，已知发射蓝光的有机材料具有持续时间
基于...的大面积QHE器件的制作与研究
1 阿尔托大学微纳米科学系，Micronova，Tietotie 3，02150，埃斯波，芬兰 2 联邦物理技术研究院，Bundesallee 100，38116 不伦瑞克，德国 3 MIKES，Tekniikantie 1，FI-02150，埃斯波，芬兰 电子邮件：novikov@aalto.fi，alexandre.satrapinski@mikes.fi 摘要 — 基于在 SiC 上生长的外延石墨烯膜的量子霍尔效应 (QHE) 器件已被制造和研究，以开发 QHE 电阻标准。霍尔器件中的石墨烯-金属接触面积已得到改进，并使用双金属化工艺制造。测试器件的初始载流子浓度为 (0.6 - 10)·10 11 cm -2，在相对较低的 (3 T) 磁场下表现出半整数量子霍尔效应。光化学门控方法的应用和样品的退火为将载流子密度调整到最佳值提供了一种方便的方法。在中等磁场强度 (≤ 7 T) 下对石墨烯和 GaAs 器件中的量子霍尔电阻 (QHR) 进行精密测量，结果显示相对一致性在 6 · 10 -9 范围内。索引术语 - 外延石墨烯、石墨烯制造、接触电阻、精密测量、量子霍尔效应。
超大规模集成电路互连和纳米级器件的进步
阿塔尔·比哈里·瓦杰帕伊 - 印度信息技术与管理学院瓜廖尔分校 (ABV-IIITM Gwalior) 是印度首屈一指的学院，由印度政府人力资源与开发部 (MHRD) 于 1997 年创办，是信息技术与管理领域的卓越中心。它是上述领域提供优质高等教育的领先学院，位于印度中央邦北部的瓜廖尔市。学院活动旨在通过高度竞争的学术环境以及学院与企业界之间的密切互动来发展探究和研究文化。学院与业界保持着活跃的联系。学院通过了 ISO 9001:2008 和 NAAC “A” 认证。它还被印度政府宣布为国家重要学院。在 2017 年印度尼西亚大学评估的 UI 绿色指标世界大学排名中，该学院在全球排名第 164 位，在印度排名第 1 位。该学院在 2022 年绿色排名中还位列印度第 6 位，NIRF 工程类别排名为第 78 位。
SiC 功率器件的可靠性和标准化
Donald A. Gajewski1,A*, Sattyak Ganguly1,B, Daniel J. Lichtenwar1,c, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,E, Scott Allen1,F, john w. Gajewski1,A*, Satyak Ganguly1,B, Daniel J. NWaler1,C, Brett Hull1,E, Scott Allen1,F, John W. Palmour1,G Donald A. Gajewski1,A*, Sattyki Ganguly1,B, Daniel J. Allen1,f, John W. Palmour1,G Donald A. Gajewski1,A*, Sattyki Ganganguly1,B, daniel J. Lichtenwaner1,C, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,E, Scott Allen1,F, GANDALMOUR1,G Donald A. tyaki ganguly1,b, Daniel J. Lichtenerer1,C, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,E, Scott Allen1,F, GANDAL A. Gajewski1,A*, Satyak Ganguly1,B, Daniel NT1,D, Brett Hull1,E, Scott Allen1,F, GANDAL A. Gajewski1,A*, Sattyki Ganguly1,B, Daniel J. Lichtenerer1,c, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,E, Scott allen1,f, john w. 1,g Donald A. Gajewski1,A*, Sattyki Gangurly1,B, Daniel J. Lichtenwar1,C, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,F, John W. Palmour1,G Donald A. Gajewski1,A*, Satyak Ganguly1,B, DANIEL. LichtenWalner1,C, Brett Hull1,E, Scott Allen1,F, John W. Palmour1,G Donald A. Gajewski1,B, Daniel J. Lichtenwar1,c, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,E, Scott allen1,f, John W. Palmour1,G Donald A. Gajewski1,A*, Sattyak Ganguly1,B, Daniel J. Lichtenwar1,C, Edward Van Brunt1,D, Brett Hull1,E, Scott Allen1,f, John W. Palmour1,g
生物可吸收材料和电子器件的进展
摘要：瞬态电子系统代表一种新兴技术，其特点是能够在规定的运行时间后，通过设计的化学或物理过程，以受控的速率或触发时间完全或部分溶解、分解或以其他方式消失。本综述重点介绍了材料化学领域的最新进展，这些进展为瞬态电子学的一个子类——生物可吸收电子学奠定了基础，该子类的特点是能够在生物环境中重新吸收（或等效地吸收）。主要用例是设计用于插入人体的系统，以在与自然生物过程一致的时间范围内提供传感和/或治疗功能。生物吸收机制可以无害地消除设备及其对患者的相关负荷和风险，而无需进行二次移除手术。核心内容侧重于使能电子材料的化学性质，涵盖有机和无机化合物、杂化物和复合材料，以及它们在生物环境中的化学反应机制。随后的讨论重点介绍了这些材料在生物可吸收电子元件、传感器、电源以及使用专门的制造和组装方法形成的集成诊断和治疗系统中的应用。结论部分总结了未来研究的机会。
特刊 - 超表面光学和器件的进展
《材料》（ISSN 1996-1944）于 2008 年创刊。该期刊涵盖 25 个综合主题：生物材料、能源材料、先进复合材料、先进材料特性、多孔材料、制造工艺和系统、先进纳米材料和纳米技术、智能材料、薄膜和界面、催化材料、碳材料、材料化学、材料物理、光学和光子学、腐蚀、建筑和建筑材料、材料模拟和设计、电子材料、先进和功能性陶瓷和玻璃、金属和合金、软物质、聚合物材料、量子材料、材料力学、绿色材料、通用材料。《材料》为投稿高质量文章和利用其庞大的读者群提供了独特的机会。