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通过使用 SmartSiCTM 基板，验证无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性
通过使用 SmartSiC™ 基板，无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板，无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板，无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板，无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板，无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证 通过使用 SmartSiC™ 基板，无欧姆退火 SiC 功率器件的功率循环可靠性已得到验证
超材料与超表面：从材料、机制和先进超器件的角度进行回顾
摘要：纵观人类历史，对光、电和热的控制已逐渐成为各种电气和电磁技术创新和发展的基石。无线通信、激光和计算机技术都是通过改变光和其他能量形式的自然行为方式以及如何以受控的方式管理它们而实现的。在纳米尺度上，为了控制光和热，近二十年来已经开发出成熟的纳米结构制造技术，并实现了一系列突破性工艺。光子晶体、纳米光刻、等离子体现象和纳米粒子操控是这些技术成功应用的主要领域，并催生了一个被称为超材料的新兴材料科学分支。超材料和功能材料开发策略侧重于物质本身的结构，通过广泛操控光（更广泛地说是电磁波）获得了非常规和独特的电磁特性。超材料的纳米结构具有精确的形状、几何形状、尺寸、方向和排列。此类配置正在影响电磁光波，产生难以甚至不可能用天然材料获得的新特性。本综述从材料、机制和先进超器件的角度深入讨论了这些超材料和超表面，旨在为这一令人兴奋且迅速崛起的课题的未来工作提供坚实的参考。
使用片上低温 CMOS 有源电感器进行多路复用量子器件的阻抗测量
在寻求可扩展的量子处理器的过程中，人们投入了大量精力来开发低温经典硬件，以控制和读出越来越多的量子比特。当前的工作提出了一种称为阻抗测量的新方法，该方法适用于测量连接到谐振 LC 电路的半导体量子比特的量子电容。阻抗测量电路利用互补金属氧化物半导体 (CMOS) 有源电感器在谐振器中的集成，具有可调谐振频率和品质因数，从而能够优化量子器件的读出灵敏度。实现的低温电路允许快速阻抗检测，测得的电容分辨率低至 10 aF，输入参考噪声为 3.7 aF/ffiffiffiffiffi Hz p。在 4.2 K 时，有源电感的功耗为 120 μW，此外还有片上电流激励（0.15 μW）和阻抗测量电压放大（2.9 mW）的额外功耗。与基于色散 RF 反射测量的常用方案（需要毫米级无源电感）相比，该电路的占用空间明显减小（50 μ m 3 60 μ m），便于将其集成到可扩展的量子经典架构中。阻抗测量法已被证明是一种
非长程有序可降解半导体聚合物用于瞬态电子器件的按需降解
目前对可降解亚胺基聚合物半导体分子设计原理的理解仅限于半结晶聚合物形态。在此，我们设计并合成了一类基于吲哚并二噻吩 (IDT) 单元的新型可降解纳米晶体半导体聚合物，所用方法比常用的 Stille 缩聚反应毒性更小。由于可降解 IDT 基聚合物薄膜缺乏长程有序性，我们表明，在保持与可降解半结晶二酮吡咯并吡咯 (DPP) 基对应物相似的电子性能的同时，可以实现增强的拉伸性。通过紫外-可见光谱、凝胶渗透色谱、核磁共振光谱和石英晶体微天平进行的降解研究表明，IDT 基聚合物的降解速度比半结晶 DPP 基聚合物快几个数量级（在溶液中数小时内，在薄膜中一周内）。此外，与半结晶 DPP 基聚合物相比，IDT 基聚合物可以在更温和的酸性条件（0.1 M HCl）下降解，这类似于人体内的酸性环境，并且允许从合成到降解的条件更加环保。我们的工作加强了我们对聚合物半导体结构-降解特性关系的理解，并为可触发、按需降解的瞬态电子器件铺平了道路。
用于柔性器件的具有阳极氧化和氟化 Al2O3 栅极绝缘体的氢化 In-Ga-Zn-O 薄膜晶体管
金属半导体场效应晶体管，10 – 15 ) 等等。特别是 In – Ga – Zn – O (IGZO) 是柔性 TFT 有源通道的有希望的候选者，因为即使在室温下沉积，IGZO 也表现出超过 10 cm 2 V − 1 s − 1 的电子迁移率。16、17) 然而，IGZO TFT 通常需要在 300°C 左右进行热退火，以减少因各种类型的加工损坏而形成的缺陷。18 – 22) 我们小组报告说，通过 Ar + O 2 + H 2 溅射沉积的氢化 IGZO 薄膜非常有希望用于制造低于塑料基板软化温度的氧化物 TFT，以用于未来的柔性设备应用。通过低温（150°C）退火可以减少沉积态IGZO薄膜中产生的缺陷。15、23、24)场效应迁移率（μFE）为13.423)
用于光学功能器件的丝绸薄膜的超快激光膨胀和烧蚀加工
有机蛋白质因其独特的光学性质、卓越的机械特性和生物相容性而备受青睐。在有机蛋白质薄膜上制造多功能结构对于实际应用至关重要；然而，特定结构的可控制造仍然具有挑战性。在此，我们提出了一种通过调节有机材料的凸起和烧蚀在丝膜表面创建特定结构的策略。基于受控的超快激光诱导晶体形态转变和丝蛋白的等离子体烧蚀，产生了直径连续变化的独特表面形貌，如凸起和凹坑。由于不同周期的凸起/凹坑结构具有各向异性的光学特性，所制造的有机薄膜可用于大规模无墨彩色打印。通过同时设计凸起/凹坑结构，我们设计并展示了基于有机薄膜的光学功能装置，该装置可实现全息成像和光学聚焦。这项研究为多功能微/纳米结构的制造提供了一种有前途的策略，可以拓宽有机材料的潜在应用。
金属涂层晶片上六方氮化硼的化学气相沉积及电阻开关器件的无转移制造
在电子设备结构中引入层状二维 (2D) 材料是提升电子设备性能和提供附加功能的一种有趣策略。例如，石墨烯（导电性）已用作电容器 [ 1 ] 和电池 [ 2 ] 中的电极，而过渡金属二硫属化物 (TMD)，例如 MoS 2 、 WS 2 和 WSe 2（半导体性），常用作场效应晶体管 (FET) 和光电探测器 [ 3 – 5 ] 中的沟道。六方氮化硼 (h-BN) 是由 B 和 N 原子排列成 sp 2 六方晶格的二维层状材料，其带隙为 5.9 eV [ 6 ]。因此，h-BN 是一种电绝缘体，并且在许多不同的应用中非常有用。到目前为止，h-BN 已被证明是一种非常可靠的 FET 栅极电介质，并且能够比高 k 电介质更好地抵抗电应力 [7,8]，因为
通过控制衬底偏离角来改善垂直 GaN-on-GaN 功率开关器件的晶圆级均匀性
2 法政大学 关键词：GaN-on-GaN、肖特基势垒二极管、均匀性、光致发光、功率器件 摘要 为了大规模生产 GaN-on-GaN 垂直功率器件，n 漂移层在 10 15 cm 3 范围内的净施主浓度 ND NA 的晶圆级均匀性是一个重要因素，因为它决定了击穿电压 VB 。在本研究中，我们通过控制 GaN 衬底的偏角展示了 GaN 肖特基势垒二极管晶圆级均匀性的改善。通过 MOVPE 在具有各种偏角和偏差的独立 GaN 衬底上生长外延结构。使用电容电压测量（C V）、光致发光（PL）和二次离子质谱（SIMS）仔细分析了 ND NA 的变化。与碳有关的NA变化导致了NDNA的不均匀性，而这与晶圆的衬底偏角有关。通过最小化偏角的变化可以提高NDNA的均匀性。引言在GaN衬底上制造的垂直结构GaN功率开关器件对于高效功率转换系统很有前景，因为这些器件提供极低的导通电阻（R on）和高击穿电压（VB）[1-3]。减少对器件成品率和可靠性致命的致命缺陷是一个重要问题。GaN-on-GaN二极管初始故障机理已有报道[4]，其中具有外延坑的二极管在非常低的反向电压下表现出严重击穿。此外，最近有报道称表面粗糙度会影响可靠性[5]。在使用金属有机 (MO) 源引入碳 (C) 杂质时，n 漂移层中的净施主浓度必须控制在 10 15 cm3 范围内才能获得高 VB [6]。通过低施主含量，可以在负偏置条件下抑制 pn 或肖特基界面处的峰值电场 [7, 8]。然而，关于垂直 GaN-on-GaN 器件中净施主浓度的晶圆级均匀性的报道很少。
氢键辅助双钝化用于蓝色...
图 4. a) PeLED 的能级图。b) 原始器件和 DPPA 改性器件的归一化 EL 光谱。c) 电流密度-电压 (JV) 曲线和亮度-电压 (LV) 曲线。d) EQE-电流密度 (EQE-J) 曲线。e) 30 个器件的统计最大 EQE 值。f) 原始器件和 DPPA 改性器件的操作稳定性。