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硅量子点器件由于其延长的相干时间、紧凑的尺寸以及最近在实验中演示的相当大的量子比特阵列，成为大规模量子计算的有希望的候选者。尽管潜力巨大，但控制这些阵列仍然是一项重大挑战。本文介绍了一种新的虚拟门提取方法，以快速建立对单个量子点电位的正交控制。利用对器件物理学的深入了解，所提出的方法通过关注电荷态转变周围的关键区域，显著降低了实验开销。此外，通过采用高效的电压扫描方法，我们可以有效地精确定位这些电荷态转变线并滤除错误点。使用真实量子点芯片数据集进行的实验评估表明，与传统方法相比，速度提高了 5.84 倍到 19.34 倍，从而展示了加速硅自旋量子比特器件扩展的良好前景。
硅量子点器件的快速虚拟门提取
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