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周期性晶格中的拓扑界面状态已成为电子,光子学和语音原理中的宝贵资产,这是由于它们固有的鲁棒性对障碍的固有性。与电子和光子学不同,Hypersound的线性分散关系为研究高阶带盖提供了理想的框架。在这项工作中,我们提出了一种设计策略,用于在GAAS / ALAS多层结构的高阶频带中生成和操纵拓扑纳米式界面状态。这些状态来自两个串联超晶格的频带反转,它们在带隙周围表现出倒置的空间模式对称性。通过调整这些超晶格中的单位单元的厚度比,我们能够在不同的带盖中设计界面状态,从而使能够开发跨越频率范围的多功能拓扑设备。此外,我们证明了此类界面状态也可以在混合结构中生成,这些结构将两个超晶格与以相同频率为中心的不同订单的带盖相结合。这些结构为探索高阶带盖中拓扑结构的途径开辟了途径,为揭幕和更好地理解复杂的拓扑系统提供了一个平台。