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宽带隙商用电源转换器在不同应用中的节能潜力
和减少电源转换器的占地面积 [1,2]。正因为如此，一些制造商越来越多地开发基于 SiC 和 GaN 技术的电源转换器。光伏逆变器、电机驱动逆变器、不间断电源 (UPS) 和笔记本电脑充电器等应用是可用的商用 WBG 电源转换器的几个例子。几项研究 [1,2] 报告了 WBG 转换器在特定应用中的潜在节能效果。然而，这些调查是基于学术界开发的电源转换器，而不是商业产品，通常与行业标准和商业产品要求不兼容。在这项工作中，我们估计了几种应用中每年全球节能潜力，考虑用商用 WBG 替代实际的硅基商用电源转换器。这是第一项评估商用转换器能源潜力的研究，其结果与最先进的工业技术兼容。我们搜索了每个选定应用的制造商，以获得基于 WBG 系统的可用产品和相关技术信息。我们的分析提供了 WBG 系统的节能潜力。
基于氯化物的添加剂工程用于高效稳定的宽带隙钙钛矿太阳能电池
基于金属卤化物钙钛矿的串联太阳能电池有望实现超越单结太阳能电池理论极限的功率转换效率。然而，克服宽带隙钙钛矿太阳能电池中存在的显著开路电压不足仍然是实现高效稳定的钙钛矿串联电池的主要障碍。本文报道了一种通过氯化物添加剂设计钙钛矿结晶途径来克服 1.8 eV 钙钛矿太阳能电池挑战的整体方法。结合使用自组装单层作为空穴传输层，实现了 1.25 V 的开路电压和 17.0% 的功率转换效率。阐明了甲基氯化铵添加的关键作用，即促进富含氯化物的中间相的生长，从而引导所需立方钙钛矿相的结晶并诱导更有效的卤化物均质化。形成的 1.8 eV 钙钛矿表现出抑制卤化物偏析和改善的光电性能。
Akhilesh Kumar Shakya（博士） Stella Eyitayo，博士学位 Paule Valery Joseph，博士，RN，Emba，MS，FNP-BC，CTN-B，Faan 从毛毛虫收集的昆虫觅食者的生物多样性（... Paul Egan，博士。 Div> Damar L. Lopez-Aredondo Zemfira N. Karamysheva，博士 Wen Chen 生物技术学生手册 有天赋/才华横溢的计划指南德克萨斯理工学院K-12 开放师职位 课程和教学系... 参与高科技市场的无编织研究 b'' 供应链管理专业 tingting yan 硕士学位计划和候选人资格 在AI中揭示隐私风险：数据，模型和系统 Amanda Csipak 数字农业将农艺学推向下一个绿色革命 高电阻超速带隙半导体的光电流和金属接触的特性
2。HS Gill，Ak Shakya，Ch Lee。 皮肤过敏原免疫疗法的微针。 美国化学工程师研究所（AICHE），2019年，美国奥兰多。 3。 Ak Shakya，Ch Lee和Hs Gill，“涂层的微针介导的过敏原特异性免疫疗法用于治疗小鼠气道过敏”，哺乳动物皮肤的屏障功能，戈登研究研讨会（GRS），2019年，2019年，美国新罕布什尔州沃特维尔谷。 4。 Ak Shakya，Ch Lee，HS Gill。 过敏原免疫疗法的微针：气道过敏的小鼠模型中的体内功效。 美国化学工程师研究所（AICHE），2018年，美国匹兹堡。 5。 Ak Shakya，Ch Lee，HS Gill。 微针的皮肤免疫疗法用于过敏。 国际疫苗学会2016年，美国波士顿。 6。 Ak Shakya，Ch Lee，HS Gill。 涂有过敏原的微甲烷作为预防过敏免疫疗法的新方法。 生物医学工程协会2016年会议，美国明尼阿波利斯，美国。 7。 Ak Shakya，HS Gill。 过敏原涂层的微针作为哮喘预防性免疫疗法的新方法。 2015年受控发行协会年度会议，苏格兰爱丁堡。 8。 Ak Shakya，HS Gill。 使用涂层微针的皮肤过敏原特异性免疫疗法。 皮肤疫苗接种峰会2015年，瑞士。 9。 m gatica，HS Gill，Ak Shakya。 通过微针递送椭圆蛋白，以防止小鼠的卵过敏。 SACNAS全国会议，2014年，美国洛杉矶。 10。HS Gill，Ak Shakya，Ch Lee。皮肤过敏原免疫疗法的微针。美国化学工程师研究所（AICHE），2019年，美国奥兰多。3。Ak Shakya，Ch Lee和Hs Gill，“涂层的微针介导的过敏原特异性免疫疗法用于治疗小鼠气道过敏”，哺乳动物皮肤的屏障功能，戈登研究研讨会（GRS），2019年，2019年，美国新罕布什尔州沃特维尔谷。4。Ak Shakya，Ch Lee，HS Gill。过敏原免疫疗法的微针：气道过敏的小鼠模型中的体内功效。美国化学工程师研究所（AICHE），2018年，美国匹兹堡。5。Ak Shakya，Ch Lee，HS Gill。微针的皮肤免疫疗法用于过敏。国际疫苗学会2016年，美国波士顿。 6。 Ak Shakya，Ch Lee，HS Gill。 涂有过敏原的微甲烷作为预防过敏免疫疗法的新方法。 生物医学工程协会2016年会议，美国明尼阿波利斯，美国。 7。 Ak Shakya，HS Gill。 过敏原涂层的微针作为哮喘预防性免疫疗法的新方法。 2015年受控发行协会年度会议，苏格兰爱丁堡。 8。 Ak Shakya，HS Gill。 使用涂层微针的皮肤过敏原特异性免疫疗法。 皮肤疫苗接种峰会2015年，瑞士。 9。 m gatica，HS Gill，Ak Shakya。 通过微针递送椭圆蛋白，以防止小鼠的卵过敏。 SACNAS全国会议，2014年，美国洛杉矶。 10。国际疫苗学会2016年，美国波士顿。6。Ak Shakya，Ch Lee，HS Gill。涂有过敏原的微甲烷作为预防过敏免疫疗法的新方法。生物医学工程协会2016年会议，美国明尼阿波利斯，美国。 7。 Ak Shakya，HS Gill。 过敏原涂层的微针作为哮喘预防性免疫疗法的新方法。 2015年受控发行协会年度会议，苏格兰爱丁堡。 8。 Ak Shakya，HS Gill。 使用涂层微针的皮肤过敏原特异性免疫疗法。 皮肤疫苗接种峰会2015年，瑞士。 9。 m gatica，HS Gill，Ak Shakya。 通过微针递送椭圆蛋白，以防止小鼠的卵过敏。 SACNAS全国会议，2014年，美国洛杉矶。 10。生物医学工程协会2016年会议，美国明尼阿波利斯，美国。7。Ak Shakya，HS Gill。 过敏原涂层的微针作为哮喘预防性免疫疗法的新方法。 2015年受控发行协会年度会议，苏格兰爱丁堡。 8。 Ak Shakya，HS Gill。 使用涂层微针的皮肤过敏原特异性免疫疗法。 皮肤疫苗接种峰会2015年，瑞士。 9。 m gatica，HS Gill，Ak Shakya。 通过微针递送椭圆蛋白，以防止小鼠的卵过敏。 SACNAS全国会议，2014年，美国洛杉矶。 10。Ak Shakya，HS Gill。过敏原涂层的微针作为哮喘预防性免疫疗法的新方法。2015年受控发行协会年度会议，苏格兰爱丁堡。8。Ak Shakya，HS Gill。 使用涂层微针的皮肤过敏原特异性免疫疗法。 皮肤疫苗接种峰会2015年，瑞士。 9。 m gatica，HS Gill，Ak Shakya。 通过微针递送椭圆蛋白，以防止小鼠的卵过敏。 SACNAS全国会议，2014年，美国洛杉矶。 10。Ak Shakya，HS Gill。使用涂层微针的皮肤过敏原特异性免疫疗法。皮肤疫苗接种峰会2015年，瑞士。9。m gatica，HS Gill，Ak Shakya。通过微针递送椭圆蛋白，以防止小鼠的卵过敏。SACNAS全国会议，2014年，美国洛杉矶。 10。SACNAS全国会议，2014年，美国洛杉矶。10。Ak Shakya，kumar，KS Nandakumar。聚-N-异丙丙烯酰胺作为胶原蛋白诱导关节炎的辅助。第4届印度 - 澳大利亚会议“生物材料，组织工程和药物输送系统”，2011年，印度古吉拉特邦。 11。 srivastava，ak shakya，a kumar。 使用冷冻凝胶的细胞和生物分子的硼酸盐亲和力色谱法。 第4届印度 - 澳大利亚会议“生物材料，组织工程和药物输送系统”，2011年，印度古吉拉特邦。 12。 Ak Shakya，kumar，KS Nandakumar。 热响应性聚-N-异丙丙烯酰胺作为实验性类风湿关节炎中的辅助。 年度会议与博览会生物材料学会2011年，美国奥兰多，美国。 13。 srivastava，ak shakya，a kumar。 基于组织工程应用的基于聚（N-乙烯基caprolactam）的冷冻凝胶支架：合成和生物物理表征。 年度会议与博览会，2010年生物材料学会，美国西雅图，美国西雅图，美国。第4届印度 - 澳大利亚会议“生物材料，组织工程和药物输送系统”，2011年，印度古吉拉特邦。11。srivastava，ak shakya，a kumar。使用冷冻凝胶的细胞和生物分子的硼酸盐亲和力色谱法。第4届印度 - 澳大利亚会议“生物材料，组织工程和药物输送系统”，2011年，印度古吉拉特邦。 12。 Ak Shakya，kumar，KS Nandakumar。 热响应性聚-N-异丙丙烯酰胺作为实验性类风湿关节炎中的辅助。 年度会议与博览会生物材料学会2011年，美国奥兰多，美国。 13。 srivastava，ak shakya，a kumar。 基于组织工程应用的基于聚（N-乙烯基caprolactam）的冷冻凝胶支架：合成和生物物理表征。 年度会议与博览会，2010年生物材料学会，美国西雅图，美国西雅图，美国。第4届印度 - 澳大利亚会议“生物材料，组织工程和药物输送系统”，2011年，印度古吉拉特邦。12。Ak Shakya，kumar，KS Nandakumar。热响应性聚-N-异丙丙烯酰胺作为实验性类风湿关节炎中的辅助。年度会议与博览会生物材料学会2011年，美国奥兰多，美国。13。srivastava，ak shakya，a kumar。基于组织工程应用的基于聚（N-乙烯基caprolactam）的冷冻凝胶支架：合成和生物物理表征。年度会议与博览会，2010年生物材料学会，美国西雅图，美国西雅图，美国。
宽带隙半导体KGAQ 2（Q = S，SE）和Agate 2（a = k，cs）
平面电子模式负责以魔法角旋转的扭曲双层石墨烯中的超导性。从那里可以找到任何多层扭曲石墨烯系统的其他魔法角度。最终导致发现有史以来最高的电子电子相关材料。此外，扭曲的双层石墨烯的量子相图类似于在高t c超导体中观察到的量子图，因此有巨大的研究工作可以理解扭曲的双层石墨烯，以期阐明这种强相关后背后的物理学。扭曲的双层石墨烯的特殊性是超导性和分数量子厅效应的共存，但尚不理解这种关系。在这项工作中，通过取原始4×4手性扭曲的双层石墨烯Hamiltonian的平方获得了一个简单的2×2矩阵模型。这种平方的哈密顿量包含魔法角，并且由于扭曲的双层石墨烯中的内在性手性对称性，这是与量子厅效应相关的最低能级。这种平方的哈密顿量在电子定位中发挥了核心作用，以生产频带，在这里证明，手性TBG模型的平方hamiltonian等于与单个电子汉密尔顿在非阿贝尔pseudo-pseudo-magnetic-magnetic-magnetic-magnetic fy faled of electeron中的单一电子汉密尔顿内部。因此，确定了魔法角度物理学中的基本和基本要素。尤其是对这些基本能量贡献在γ点上进行的研究，因为它与魔术角的复发及其与量子霍尔效应的关系有关。
1 本征带隙金属的光学性质和电子结构：逆
电子邮件：oleksandrmalyi@gmail.com 摘要：传统固体物理学长期以来将材料的光学特性与其电子结构关联起来。然而，最近对本征间隙金属的发现挑战了这一经典观点。间隙金属具有不同于金属和绝缘体的电子特性，具有大量未经任何有意掺杂的自由载流子和内部带隙。这种独特的电子结构使间隙金属可能优于通过有意掺杂宽带隙绝缘体设计的材料。尽管间隙金属具有透明导体等有希望的应用，但由于缺乏对其电子能带结构与光学特性之间相关性的了解，因此为特定目的设计间隙金属仍然具有挑战性。本研究重点关注有间隙金属的代表性实例，并展示了以下情况：(i) 在可见光范围内具有强带内吸收的有间隙金属（例如 CaN 2 ），(ii) 在可见光范围内具有强带间吸收的有间隙金属（例如 SrNbO 3 ），(iii) 有间隙金属（例如 Sr 5 Nb 5 O 17 ），这些金属是潜在的透明导体。我们探索了识别透明导体的潜在间隙金属的复杂性，并提出了发现新一代透明导体的逆材料设计原理。
利用三角碳化硅结构中的光子带隙实现高效的量子纳米光子硬件
由于其色心缺陷具有长自旋相干性和单光子发射特性，碳化硅成为领先的量子信息材料平台之一。碳化硅在量子网络、计算和传感中的应用依赖于将色心发射高效收集到单一光学模式中。该平台的最新硬件开发专注于角度蚀刻工艺，以保留发射极特性并产生三角形器件。然而，人们对这种几何结构中的光传播知之甚少。我们探索了三角形横截面结构中光子带隙的形成，这可以作为在碳化硅中开发高效量子纳米光子硬件的指导原则。此外，我们提出了三个领域的应用：TE 通滤波器、TM 通滤波器和高反射光子晶体镜，它们可用于高效收集和传播光发射模式选择。
宽带隙器件及其在电力电子中的应用
摘要：电力电子系统对现代社会影响巨大。它们的应用旨在通过最大限度地减少工业化对环境的负面影响（如全球变暖效应和温室气体排放）来实现更可持续的未来。基于宽带隙 (WBG) 材料的功率器件有可能在能源效率和工作方面实现范式转变，而这些转变与基于成熟硅 (Si) 的器件相比毫无二致。氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 被视为最有前途的 WBG 材料之一，它们可以大大超越成熟 Si 开关器件的性能极限。基于 WBG 的功率器件可以在更高的开关频率下实现快速开关，同时降低功率损耗，因此可以开发高功率密度和高效率的功率转换器。本文回顾了流行的 SiC 和 GaN 功率器件，讨论了相关的优点和挑战，最后介绍了它们在电力电子中的应用。
使用密度泛函理论和机器学习预测氧化物钙钛矿的带隙和带边位置
电负性_A 赤道角 顶角 s轨道能量_B p轨道能量_B 原子序数_B 电负性_B s轨道能量_A 电离能_A 电离能_B p轨道能量_A 原子半径_B 原子半径_A 原子序数_A 氧化态_A 氧化态_B
从密度泛函理论系统地调整二元 III-V 半导体的应变诱导带隙
III-V 半导体带隙性质和大小的改变对于光电应用具有重要意义。应变可用于系统地在很宽的范围内调整带隙，并引起间接到直接 (IDT)、直接到间接 (DIT) 和其他带隙性质的变化。在这里，我们建立了一种基于密度泛函理论的预测从头算方法来分析单轴、双轴和各向同性应变对带隙的影响。我们表明系统性变化是可能的。对于 GaAs，在 1.52% 各向同性压缩应变和 3.52% 拉伸应变下观察到 DIT，而对于 GaP，在 2.63 各向同性拉伸应变下发现 IDT。我们还提出了一种通过将双轴应变与单轴应变相结合来实现直接-间接转变的策略。确定了应变 GaSb、InP、InAs 和 InSb 的进一步转变点，并与元素半导体硅进行了比较。因此，我们的分析为二元 III-V 半导体中的应变诱导带隙调整提供了一种系统且可预测的方法。